Rock bream iridovirus (RBIV) is a megalocytivirus widely infected in various fish species in Korea, causing symptoms of acute inflammation and enlargement of spleen. In our previous study, RBIV induced the initial upregulation but later down-regulation of proinflammatory cytokines and IFN1 gene expression. Signal transducers and activators of transcriptions (STAT) are transcription factors involved in the regulation of immune genes including IFNs. This study was conducted to analyse the expression of STAT2. The expressional study of STAT2 gene was performed in head kidney and spleen upon RBIV infection and immune stimulants like LPS or poly I:C in vitro. Consequently, STAT2 gene expression pattern was different in head kidney and spleen as it was significantly up-regulated by LPS from 4 h to 8 h but down-regulated at 24 h while up-regulated by poly I:C at 8 h in head kidney while, in spleen, STAT2 gene expression was down regulated by LPS but significantly up-regulated by poly I:C. Upon RBIV stimulation, STAT2 gene expression was significantly down-regulated by high dose RBIV at 4 h but up-regulated at 8 h and 24 h in head kidney. In spleen cells, it was up-regulated by medium dose RBIV at 4 h and by high dose RBIV at 4 h and 8 h but down regulated later then. In vivo, STAT2 gene expression was not significantly affected by RBIV infection while significant up-regulated by vaccination at day 7 post-vaccination, indicating STAT2 gene can be involved in adaptive immune response in rock bream.
이소특이성 촉매인 rac-(EBI)M($NMe_2$)$_2$ [EBI=1,2-ethylenebis-(1-indenyl); M=Zr (rac-1), M=Hf(rac-2)와 공촉매계로서 Al(iBu)$_3$/[Ph$_3$C][B($C_{6}F_{5}$)$_4$]를 이용하여 고차 $\alpha$-올레핀의 중합특성을 조사하였다. 고차 $\alpha$-올레핀의 중합은 높은 활성을 나타냈으며, rac-1과 rac-2의 두 촉매계는 유사한 중합거동을 나타냈다. 중합 활성은 단량체의 크기와 중합된 고분자 가지의 길이에 의해 영향을 받았다. 단량체의 전환율은 1-pentene>1-hexene>1-octene>1-decene의 순서로 감소하였다. 또한 합성된 폴리($\alpha$-올레핀)의 고유점도값과 시차주사열분석기에 의한 용융거동도 유사한 경향을 나타냈다. 폴리 ($\alpha$-올레핀)은 매우 높은 이소탁틱도 트리에드를 나타냈으며 poly(1-pentene)$^1H$ NMR과 Raman 스펙트럼을 이용한 고분자 사슬의 말단기 분석 결과로부터, 주로 일어나는 사슬정지반응은 말단에 포화된 메틸기를 생성하는 공촉매로의 전이이며, 소수 반응으로 비닐리덴, 삼차치환 및 비닐렌 이중결합을 생성하는 $\beta$-수소제거 반응이 일어남을 알 수 있었다.
This paper describes the fabrication and characteristics of Schottky micro hydrogen sensors for high temperatures by using polycrystalline(poly) 3C - SiC thin film grown on Si substrates with thermal oxide layer using APCVD. Pd/poiy 3C-SiC Schottky diodes were made and evaluated by I-V and C-V measurements. Electric current density and barrier height voltage were $2\times10^{-3}\;A/cm^2$ and 0.58 eV, respectively. These devices could operate stably at about $400^{\circ}C$. According to $H_2$ concentrations, their barrier height($\Phi_{Bn}$) were changed 0.587 eV, 0.579 eV, 0.572 eV and 0.569 eV, respectively. the current was increased. Characteristics of implemented sensors have been investigated in terms of sensitivity, linearity of response, response rate and response time. Therefore, from these results, Pd/poly 3C-SiC Schottky devices have very high potential for high temperature chemical sensor applications.
The binding isotherms of Methylene Blue with Poly(vinyl pyrrolidone) (PVP) were determined in a Mcllvaine buffer of pH 8.0 at 3$0^{\circ}C$ by a dynamic dialysis methods. The isotherms showed a partition binding which was increase linearly with the increase of free dye concentration in solution. The Scatchard plots for Poly(vinyl pyrrolidone)-Methylene Blue gave a constant value. The results were interpreted by the McGhee and von Hippel theory considering non-cooperative binding. The intrinsic binding constant k, for Poly(vinyl pyrrolidone)-Methylene Blue was 6.02$\ell$/base mol.
Poly(trimethylene terephthalate)(이하 PTT)는 1941년 Caligo Printing Ink사의 Whinfield와 Dickson에 의해 중합 방법이 보고[1]된 이후 상업화를 위한 많은 학문적 연구가 이어져왔다. 그럼에도 불구하고 아직 PET에 비하여 기초 연구가 미비하며 상업적으로 사용하기에는 많은 불안정한 요소들을 가지고 있다. 앞선 연구자들이 밝힌바와 같이 PTT의 결정구조는 2개의 단량체가 1개의 unit cell을 이루면서 결정격자 내에서 O-C $H_2$-C $H_2$-C $H_2$-O가 trans-gauche-gauche-trans형의 coiled spring처럼 형성되어 좋은 elastic recovery와 뛰어난 신축성, 염색성 등 우수한 물성을 가지며 전반적인 성질은 PET와 Nylon의 중간성질을 뛰고 있지만 [2,3] 유리전이온도 (Tg : dir 4$0^{\circ}C$)와 냉결정화오도 ( $T_{ c cold}$ : dir 55$^{\circ}C$)사이의 차이가 15$^{\circ}C$ 정도이므로 섬유상에 많은 경시변화가 일으켜 구조적 불안정성을 가지게 한다 [4]. (중략)
Lee, Wook-Bin;Choi, Won Young;Lee, Dong-Hyun;Shim, Hyeran;KimHa, Jeongsil;Kim, Young-Joon
BMB Reports
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제52권2호
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pp.133-138
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2019
Upon viral infection, the 2', 5'-oligoadenylate synthetase (OAS)-ribonuclease L (RNaseL) system works to cleave viral RNA, thereby blocking viral replication. However, it is unclear whether OAS proteins have a role in regulating gene expression. Here, we show that OAS1 and OAS3 act as negative regulators of the expression of chemokines and interferon-responsive genes in human macrophages. Clustered regularly interspaced short palindromic repeats (CRISPR)-CRISPR-associated protein-9 nuclease (Cas9) technology was used to engineer human myeloid cell lines in which the OAS1 or OAS3 gene was deleted. Neither OAS1 nor OAS3 was exclusively responsible for the degradation of rRNA in macrophages stimulated with poly(I:C), a synthetic surrogate for viral double-stranded (ds)RNA. An mRNA sequencing analysis revealed that genes related to type I interferon signaling and chemokine activity were increased in $OAS1^{-/-}$ and $OAS3^{-/-}$ macrophages treated with intracellular poly(I:C). Indeed, retinoic-acid-inducible gene (RIG)-I- and interferon-induced helicase C domain-containing protein (IFIH1 or MDA5)-mediated induction of chemokines and interferon-stimulated genes was regulated by OAS3, but Toll-like receptor 3 (TLR3)- and TLR4-mediated induction of those genes was modulated by OAS1 in macrophages. However, stimulation of these cells with type I interferons had no effect on OAS1- or OAS3-mediated chemokine secretion. These data suggest that OAS1 and OAS3 negatively regulate the expression of chemokines and interferon-responsive genes in human macrophages.
본 연구의 목적은 인간의 Poly(ADP-ribose) synthetase (PARS)의 cDNA를 클로닝하여 발현시키기 위해 수행하였다. 먼저, 인간의 PARS cDNA 전체를 포함한 pPARS3.1을 pGEM-7Zf(+) 등의 발현 벡터 클로닝하였다. 이 결과로 생성된 재조합 플라스미드 pPARS6.1이 인간의 PARS cDNA 전체를 포함하고, 올바른 방향으로 삽입되었는지를 확인하기 위해 제한효소 지도를 작성하였고, random primed DNA probe을 이용한 Southern blot 분석에 의해서 PARS가 클로닝되었다는 것을 확인하였다. 또한, 염기서열 분석 결과, 단백질 합성이 시작되는 유전 암호가 정확한 순서로 위치하고 있음을 확인하였다. 재조합된 pPARS6.1의 발현을 위해 배양시 0.4 mM IPTG로 처리하여 만들어진 인간의 PARS 단백질이 10% SDS-PAGE에서 120 kDa 위치에 이동하였다는 것을 nick-translated된 DNA를 probe로 이용하여 확인하였고, Southwestern blot 실험 결과 120 kDa과 98kDa에 위치하는 단백질이 DNA와 결합함을 알 수 있었다.
Imide 단위를 포함하는 diamine과 dicarboxylic acid 단량체들, N-(4-aminophenyl)-4-aminophthalimide(APAP), N-(4-carboxyphenyl)-4-carboxyphthalimide(CPCP), N,N'-oxydiphenylenebis(4-aminophthalimide)(ODPAP), 그리고 N,N'-oxydiphenylenebis(4-carboxy-phthalimide)(ODPCP)를 합성하였다. 상기 디아민을 포함한 단량체들과 디카르복시산을 포함한 단량체들을 서로 축합반응하여 imide 단위가 교대로 치환된 poly(imide-amide)s를 합성하였다. 또한 imide단위를 포함하는 diamine 단량체들과 terephthaloyl chloride, 그리고 isophthaloyl chloride를 축합하여 poly(imide-amide)s들도 합성하였다. 이렇게 합성된 중합체들은 NMP/LiCl용액에 매우 잘 용해하였으나 그밖에 극성 비양자성 극성 용매인 DMF, DMSO, 그리고 DMAc 등에는 $80^{\circ}C$에서도 작은 용해도를 보여주었다. 그밖에 고유점도는 0.18~0.67 dL/g를 보여주었으며 NMP/LiCl 용액으로부터 단단하고 부서지기 쉬운 막이 형성되었다. 중합체들은 $500^{\circ}C$ 이하에서 유리 전이 온도 및 융점은 관찰되지 않았으며 열 중량 분석에서 10% 중량 감량은 $500^{\circ}C$ 부근에서 나타나 우수한 열적 성질을 보여주었다.
This paper presents the fabrication of polycrystalline thin film transistor(TFT) using sequential lateral solidification(SLS) of amorphous silicon. The fabricated SLS TFT showed high Performance suitable for active matrix liquid crystal display(AMLCD). The SLS process involves (1) a complete melting of selected area via irradiation through a patterned mask, and (2) a precisely controlled pulse translation of the sample with respect to the mask over a distance shorter than the super lateral growth(SLG) distance so that lateral growth extended over a number of iterative steps. The SLS experiment was performed with 550$\AA$ a-Si using 308nm XeCl laser having $2\mu\textrm{m}$ width. Irradiated laser energy density is 310mJ/$\textrm{cm}^2$ and pulse duration time was 25ns. The translation distance was 0.6$\mu$m/pulse, 0.8$\mu$m/pulse respectively. As a result, a directly solidified grain was obtained. Thin film transistors (TFTs) were fabricated on the poly-Si film made by SLS process. The characteristics of fabricated SLS p -type poly-Si TFT device with 2$\mu\textrm{m}$ channel width and 2$\mu\textrm{m}$ channel length showed the mobility of 115.5$\textrm{cm}^2$/V.s, the threshold voltage of -1.78V, subthreshold slope of 0.29V/dec, $I_{off}$ current of 7$\times$10$^{-l4}$A at $V_{DS}$ =-0.1V and $I_{on}$ / $I_{off}$ ratio of 2.4$\times$10$^{7}$ at $V_{DS}$ =-0.1V. As a result, SLS TFT showed superior characteristics to conventional poly-Si TFTs with identical geometry.y.y.y.
In this paper, the characteristics of co-sputtered Ru-Zr metal alloy as gate electrode of MOS capacitors have been investigated. The atomic compositions of alloy were varied by using the combinations of relative sputtering power of Ru and .Zr. C-V and I-Vcharacteristics of MOS capacitors were measured to find the effective oxide thickness and work function. The alloy made of about 50% of Ru and 50% of Zr exhibited an adequate work function for nMOS. C-V and I-V measurements after 600 and $700^{\circ}C$ rapid thermal annealing were performed to prove the thermal and chemical stability of the Ru-Zr alloy film. Negligible changes in the accumulated capacitance and work function before and after annealing were observed. Sheet resistance of Ru-Zr alloy was lower than that of poly-silicon. It can be concluded that the Ru-Zr alloy can be a possible substitute for the poly-silicon used as a gate of nMOS.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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