• Nano
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• 제13권12호
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• pp.1850137.1-1850137.9
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• 2018

A series of silica surface-capped with hexamethyldisilazane (denoted as $H-SiO_2$) were prepared by liquid-phase in-situ surface-modification method. The as-obtained $H-SiO_2$ was incorporated into acrylic amino (AA) baking paint to obtain AA/$H-SiO_2$ composite extinction paints and/or coatings. $N_2$ adsorption-desorption tests were conducted to determine the specific surface area as well as pore size and pore volume of $H-SiO_2$. Moreover, the effects of $H-SiO_2$ matting agents on the physical properties of AA paint as well as the gloss and transmittance of AA-based composite extinction coatings were investigated. Results show that $H-SiO_2$ matting agents possess a large specific surface area and pore volume than previously reported silica obtained by liquid-phase method. Besides, they have better dispersibility in AA baking paint than the unmodified silica. Particularly, $H-SiO_2$ with a silica particle size of $6.7{\mu}m$ and the dosage of 4% (mass fraction) provides an extinction rate of 95.2% and a transmittance of 79.3% for the AA-based composite extinction coating, showing advantages over OK520, a conventional silica matting agent. Along with the increase in the silica particle size, $H-SiO_2$ matting agents cause a certain degree of increase in the viscosity of AA paint as well as a noticeable decrease in the gloss of the AA-based composite extinction coating, but they have insignificant effects on the hardness and adhesion to substrate of the AA-based composite coatings. This means that $H-SiO_2$ matting agents could be well applicable to preparing low-viscosity and low-gloss AA-based matte coatings.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제14권1호
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• pp.87-96
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• 2019

유기 박막 트랜지스터 (OTFT) 백플레인을 이용한 유연한 유기 발광 다이오드 (OLED) 디스플레이가 연구되고 있다. OLED 디스플레이의 구동을 위해서 게이트 드라이버가 필요하다. 저온, 저비용 및 대 면적 인쇄 프로세스를 사용하는 디스플레이 패널의 내장형 게이트 드라이버는 제조비용을 줄이고 모듈 구조를 단순화한다. 이 논문에서는 유연한 OLED 디스플레이 패널의 내장형 게이트 드라이버 제작을 위하여 OTFT를 사용한 의사 CMOS (pseudo complementary metal oxide semiconductor) 로직 게이트를 구현한다. 잉크젯 인쇄형 OTFT 및 디스플레이와 동일한 프로세스를 사용하여 유연한 플라스틱 기판 상에 의사 CMOS 로직 게이트가 설계 및 제작되며, 논리 게이트의 동작은 측정 실험에 의해 확인된다. 최대 1 kHz의 입력 신호 주파수에서 의사 CMOS 인버터의 동작 결과를 통하여 내장형 게이트 드라이버의 구현 가능성을 확인하였다.

• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• 제33권1호
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• pp.1-14
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• 2023

Polyethylene terephthalate (PET) is a plastic material commonly applied to beverage packaging used in everyday life. Owing to PET's versatility and ease of use, its consumption has continuously increased, resulting in considerable waste generation. Several physical and chemical recycling processes have been developed to address this problem. Recently, biological upcycling is being actively studied and has come to be regarded as a powerful technology for overcoming the economic issues associated with conventional recycling methods. For upcycling, PET should be degraded into small molecules, such as terephthalic acid and ethylene glycol, which are utilized as substrates for bioconversion, through various degradation processes, including gasification, pyrolysis, and chemical/biological depolymerization. Furthermore, biological upcycling methods have been applied to biosynthesize value-added chemicals, such as adipic acid, muconic acid, catechol, vanillin, and glycolic acid. In this review, we introduce and discuss various degradation methods that yield substrates for bioconversion and biological upcycling processes to produce value-added biochemicals. These technologies encourage a circular economy, which reduces the amount of waste released into the environment.

• Composites Research
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• 제22권4호
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• pp.13-19
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• 2009

접착제에 의한 접합기술은 다양한 목적과 환경에서 널리 사용되는 방법이다. 그 중 우레탄 접착제는 저온에서의 우수한 접착 특성으로 인하여 액화천연가스 운반선과 같은 극저온 환경의 접착에 사용되고 있다. 유사한 우레탄 접착제라도 각기 다른 기재와의 접착특성을 갖게 된다. 특히 기재에 사용된 수지의 종류와 섬유와의 상응성에 따른 접착력의 변화는 산업현장에서의 접착제 선정에 매우 중요한 인자로 작용된다. 본 연구에서는 서로 다른 제조사의 우레탄 접착제를 사용하여 동일한 리섬유강화복합재료에 접착하였을 때 실험 온도에 따른 다른 경향의 박리강도를 얻었다. 그 원인을 주사전자현미경을 사용하여 검토하였으며, 실혐 결과 극저온에서 접착제와 복합재료 수지간의 접착력은 거의 유사하였으나 접착제와 가재에 노출된 유리섬유간의 접착력이 달라짐에 따른 원인으로 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.100-101
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• 2012

The plasma damage free and room temperature processedthin film deposition technology is essential for realization of various next generation organic microelectronic devices such as flexible AMOLED display, flexible OLED lighting, and organic photovoltaic cells because characteristics of fragile organic materials in the plasma process and low glass transition temperatures (Tg) of polymer substrate. In case of directly deposition of metal oxide thin films (including transparent conductive oxide (TCO) and amorphous oxide semiconductor (AOS)) on the organic layers, plasma damages against to the organic materials is fatal. This damage is believed to be originated mainly from high energy energetic particles during the sputtering process such as negative oxygen ions, reflected neutrals by reflection of plasma background gas at the target surface, sputtered atoms, bulk plasma ions, and secondary electrons. To solve this problem, we developed the NBAS (Neutral Beam Assisted Sputtering) process as a plasma damage free and room temperature processed sputtering technology. As a result, electro-optical properties of NBAS processed ITO thin film showed resistivity of $4.0{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}m$ and high transmittance (>90% at 550 nm) with nano- crystalline structure at room temperature process. Furthermore, in the experiment result of directly deposition of TCO top anode on the inverted structure OLED cell, it is verified that NBAS TCO deposition process does not damages to the underlying organic layers. In case of deposition of transparent conductive oxide (TCO) thin film on the plastic polymer substrate, the room temperature processed sputtering coating of high quality TCO thin film is required. During the sputtering process with higher density plasma, the energetic particles contribute self supplying of activation & crystallization energy without any additional heating and post-annealing and forminga high quality TCO thin film. However, negative oxygen ions which generated from sputteringtarget surface by electron attachment are accelerated to high energy by induced cathode self-bias. Thus the high energy negative oxygen ions can lead to critical physical bombardment damages to forming oxide thin film and this effect does not recover in room temperature process without post thermal annealing. To salve the inherent limitation of plasma sputtering, we have been developed the Magnetic Field Shielded Sputtering (MFSS) process as the high quality oxide thin film deposition process at room temperature. The MFSS process is effectively eliminate or suppress the negative oxygen ions bombardment damage by the plasma limiter which composed permanent magnet array. As a result, electro-optical properties of MFSS processed ITO thin film (resistivity $3.9{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$, transmittance 95% at 550 nm) have approachedthose of a high temperature DC magnetron sputtering (DMS) ITO thin film were. Also, AOS (a-IGZO) TFTs fabricated by MFSS process without higher temperature post annealing showed very comparable electrical performance with those by DMS process with $400^{\circ}C$ post annealing. They are important to note that the bombardment of a negative oxygen ion which is accelerated by dc self-bias during rf sputtering could degrade the electrical performance of ITO electrodes and a-IGZO TFTs. Finally, we found that reduction of damage from the high energy negative oxygen ions bombardment drives improvement of crystalline structure in the ITO thin film and suppression of the sub-gab states in a-IGZO semiconductor thin film. For realization of organic flexible electronic devices based on plastic substrates, gas barrier coatings are required to prevent the permeation of water and oxygen because organic materials are highly susceptible to water and oxygen. In particular, high efficiency flexible AMOLEDs needs an extremely low water vapor transition rate (WVTR) of $1{\times}10^{-6}gm^{-2}day^{-1}$. The key factor in high quality inorganic gas barrier formation for achieving the very low WVTR required (under ${\sim}10^{-6}gm^{-2}day^{-1}$) is the suppression of nano-sized defect sites and gas diffusion pathways among the grain boundaries. For formation of high quality single inorganic gas barrier layer, we developed high density nano-structured Al2O3 single gas barrier layer usinga NBAS process. The NBAS process can continuously change crystalline structures from an amorphous phase to a nano- crystalline phase with various grain sizes in a single inorganic thin film. As a result, the water vapor transmission rates (WVTR) of the NBAS processed $Al_2O_3$ gas barrier film have improved order of magnitude compared with that of conventional $Al_2O_3$ layers made by the RF magnetron sputteringprocess under the same sputtering conditions; the WVTR of the NBAS processed $Al_2O_3$ gas barrier film was about $5{\times}10^{-6}g/m^2/day$ by just single layer.

• 생명과학회지
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• 제18권7호
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• pp.952-957
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• 2008

본 실험에서는 THP-1 세포의 PMA에 의하여 유도되는 초기 세포부착에 관한 메카니즘을 이해하기 위하여 다양한 요인(혈청, 신규 단백질의 합성, 세포 골격 저해제, 단백질 인신화 저해제)들의 효과를 조사하였다. 또한 본 실험에서는 이들 세포부착의 정도를 일반적으로 세포증식 분석에 사용되고 있는 SRB염색법을 도입하여 세포부착 분석에 간편한 방법의 조건을 확립하였다. PMA에 의한 초기 세포부착에는 배양액중의 혈청의 유무는 영향이 없었으나, 신규 단백질의 합성이 요구되는 것을 확인하였다. 또한 이들 초기 세포부착에 PMA처리에 의한 PKC의 활성화는 필수적이나, 그 하류 활성화 인자로 잘 알려진 MAP-kinase (erk1/2)의 인산화는 필요치 않음을 알 수 있었다. 흥미롭게도 액틴 중합 저해제인 cytochalasin D의 PMA와 공 처리는 오히려 세포부착을 PMA 단독 처리시 보다 증가시켰다. 또한 본 실험에서 사용된 SRB 염색법을 통한 세포부착 분석법은 최근 암 등 다양한 질환의 신약 표적 분자로 주목을 받고 있는 PKC 저해제의 초기 세포 기반 분석에 매우 유용하리라고 생각된다.

• 한국버섯학회지
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• 제5권1호
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• pp.1-6
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• 2007

우수한 약리기능성을 보이는 잎새버섯의 병재배에 적합한 새로운 품종 "함박"을 이핵단핵 (di-mono) 교잡육종법으로 육성하였다. "함박" 잎새버섯의 재배는 참나무 톱밥 75% + 포플라톱밥 25%에 영양원으로는 미강 15% 또는 옥수수피 10%를 혼합사용할 때 가장 좋았으며, 병재배와 봉지재배가 모두 가능하다. 그러나 재배농가에서 현재 재배되는 버섯을 대체하기에는 배양기간이 길고, 재배시 습도관리가 까다로워 재배법을 더 개선할 필요가 있다. 무엇보다 시장을 형성하기 위해서는 잎새버섯의 약리 기능성에 관한 연구와 이를 바탕으로한 지속적인 홍보가 필요하다. 함박 잎새버섯의 특성은 다음과 같다. 균사배양 최적온도는 $25^{\circ}C$, 자실체발생온도는 $15{\sim}16^{\circ}C$, 생육온도는 $15{\sim}18^{\circ}C$로 기존품종에 비하여 다소 낮은 중온성이다. 함박자실체의 색깔은 갈색이며 갓 이면에는 장타원형의 관공으로 되어 있다. 병재배시 초발이소요일수가 잎새1호보다 2일 빠르고 수량은 병당 97g으로 높으며, 자실체 송이의 크기가 크며 색택이 진하여 품질이 좋다.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제29권2호
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• pp.199-204
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• 2012

유기 박막 트랜지스터 (organic thin-film transistors; OTFTs)는 유기 반도체 그리고 디스플레이와 같은 분야에 그들의 잠재적인 응용 가능성 때문에 많은 주목을 받고 있다. 하지만 급격한 산화 혹은 낮은 전기 이동도와 같은 단점으로 인하여 n-형 물질은 p-형 물질에 비해서 상대적으로 많은 연구가 진행되지 못한 실정이다. 따라서 본 논문에서는 n-형 반도체 물질인 [6,6]-phenyl-C61-butyricacidmethylester (PCBM)과 Poly(4-vinylphenol) (PVP)을 유기 절연막으로 이용하여 o-dichlorobenzene, toluene and chloroform과 같은 다양한 유기 용매를 사용한 플라스틱 기판에 유기트랜지스터를 제작하였고 유기 용매가 ODCB 경우 전계 효과 이동도는 약 0.034 $cm^2/Vs$ 그리고 점멸비(on/off ratio)는 ${\sim}1.3{\times}10^5$ 으로 향상 되었다. 다양한 유기 용매의 휘발성에 따라서 PCBM TFT의 전기적 특성에 미치는 영향을 규명하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권4호통권37호
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• pp.275-280
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• 2005

나노 임프린트 (NIL)와 포토 리소그라피를 접목시킨 combined nanoimprint and photolithography (CNP) 기술을 이용하여 나노 미세 패턴을 형성하였다. 일반적인 UV-NIL 스탬프의 양각 패턴 위에 Cr 금속막을 입힌 hybrid mask mold (HMM)을 E-beam writing과 plasma etching으로 제작하였다. HMM 전면에는 친수성 물질인 $SiO_2$를 코팅하여 점착방지막 역할의 self-assembled monolayer(SAM) 형성을 용이하게 함으로써 HMM과 transfer layer의 분리를 용이하게 하여 패턴 손상을 억제하였다. 또한, transfer layer에는 일반적인 monomer resin 대신에 건식 에칭에 대한 저항력이 높은 negative PR을 사용하였다. Photo-mask 역할을 하는 HMM의 Cr 금속막이 UV를 차단하여 잔류하게 되는 PR의 비경화층(unexpected residual layer)은 간단한 현상 공정으로 제거하여 PR 잔류층이 없는 나노 미세 패턴을 transfer layer에 형성하였다.

• 한국잡초학회지
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• 제30권3호
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• pp.215-224
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• 2010

고들빼기의 시설생산을 위해 배지조성 및 차광정도를 달리한 환경조건에 대한 생육특성과 그에 따른 생리활성 변이를 검토하고자 온실시험을 수행하였다. 고들빼기 시설재배를 위한 적정한 배지조합은 코코피트와 펄라이트를 각각 70:30과 50:50으로 혼합한 배지가 코코피트와 펄라이트의 단독배지보다 생육 및 수량에 있어서 유의적으로 높게 나타났다(P<0.05). 차광정도에 따른 고들빼기의 근장, 엽면적 및 생체중을 비롯한 생육은 무차광에서 가장 높게 나타났고 그 다음이 50%차광 및 70%차광 순이었다(P<0.05). 총페놀 함량(110.2~119.2mg $kg^{-1}$)과 총플라보노이드 함량(128.3~146.7mg $kg^{-1}$)과 같은 생리활성물질의 함량은 지하부보다는 지상부에서, 무차광보다는 차광에서 높게 검출되었다. 한편, DPPH 라디컬 소거능 측정을 통한 항산화성은 추출물 농도가 증가할수록 높은 활성을 보였고 지하부(47.7~49.8%)보다는 지상부(50.2~80.8%)에서, 차광보다는 무차광에서 높은 활성을 보였다.