• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2016.07a
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• pp.147-148
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• 2016

본 논문에서는 원격 플라즈마 발생장치 (Remote Plasma Generator, RPG)에 적용하기 위한 공진형 토폴로지에 대해 비교한다. 원격 플라즈마 발생장치는 AC-DC 정류기, DC-AC 인버터, 공진탱크, 플라즈마 발생용 리액터, 점화장치로 구성되며, 이는 기존의 SMPS와 유사한 구성이다. 하지만 플라즈마 부하는 기존의 전력전자 어플리케이션들과는 달리 점화조건과 플라즈마 유지 조건을 충족시켜야 한다는 특징이 있다. 따라서 본 논문에서는 각 공진형 토폴로지들의 특성 비교 분석을 통해 원격 플라즈마 발생장치에 대한 적용 가능성에 대한 분석을 수행하였으며, 시뮬레이션을 통해 검증하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1998.07e
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• pp.1806-1808
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• 1998

Tests of pilot-scale plasma DeSOx-DeNOx system using pulsed streamer corona were carried out. The system consists of the reactor with wire-plate electrodes the $30kW_{max}$. MPC type pulse generator, and $1MW_{th}$ pulverized coal combustor as a flue gas source. $NH_3$ and $C_2H_4$ were used to enhance the removal rate. The experimental result on the removal efficiency of SOx/NOx and on the effect of the additives was presented in this paper.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2001.07c
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• pp.1573-1575
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• 2001

삼상 교류에 의한 플라즈마 발생 장치 중구리튜브 전극을 이용한 아크 글라이딩 식의 비이행형 플라즈마 발생장치는 전극구조가 간단하고 교체가 용이 할 뿐 아니라, 전극과 노즐의 형상을 유해 가스 처리에 충분한 엔탈피를 가지도록 설계될 수 있으므로, DC형과 더불어 차세대 환경정화용 핵심장치로 관심을 모으고 있다. 본 연구에서는 교류형의 특성상 어쩔 수 없이 발생하는 열플라즈마의 플리커를 제어하기 위해 글라이딩 아크의 움직임과 플라즈마 플래임의 움직임을 분석하여 열 플라즈마의 안정화 조건을 정립하고자 하였다. 또한 본 논문에서는 여러 가지 조건에서 수행된 플라즈마에 관련된 수치해석과 플라즈마 발생기의 동작시험의 결과를 바탕으로 삼상교류 열플라즈마를 안정시킬 수 있는 기본적인 조건의 범위를 제시하였으며 이에 대한 토의를 기술하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.07e
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• pp.162-165
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• 2003

A resonant type voltage source and power device and a control method using Pulse Density Modulation(PDM) power control and Pulse Width Modulation(PWM)voltage control for plasma sterilization are described. For the stability of discharge in the generating tube, it is desirable that the peak apply voltage is constant. The PDM power control is employed for sustaining the voltage constant at any generating tube input power. Moreover, to avoid the influence of input AC voltage fluctuation etc., PWM voltage control with generating tube peak voltage feedback is used. Both functions were confirmed by the experiment with inverter and generating tube. The effect of input synchronous PDM method for input current stabilizing is confirmed also.

• Journal of the Korean Society of Manufacturing Technology Engineers
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• v.21 no.5
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• pp.755-760
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• 2012

In this study, three dimensional cutting force components and surface roughness appeared in high speed cutting by using tungsten carbide endmill tools implanted ion or not found mutual relations through several analysis of statistical dispersion. It is showed that cutting force(Fx) is affect with spindle speed and feed rate, cutting force(Fy) is affect with spindle speed and ion implantation time and cutting force(Fz) is affect with feed rate in interaction through the statistical method of ANOVA of cutting force and surface roughness, it is analyzed that it is affected of spindle speed and feed rate in surface roughness.

• Journal of Surface Science and Engineering
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• v.29 no.6
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• pp.760-765
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• 1996

Silicon oxide thin films are prepared by plasma-enhanced CVD (PECVD) using 100kHz and 13.56MHz generators. Source gases are two sorts of mixture, tetramethoxysilane (TMOS) and oxygen, and tetramethylsilane (TMS) and oxygen. We investigate the effect of frequency on film properties of deposited films including mechanical properties. 100kHz PECVD process can deposit silicon oxide films at $23^{\circ}C$ at the power of 20W. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), infrared spectroscopy (IR) and ellipsometric measurements reveal that the structural quality of the films prepared both by 100kHz process and by 13.56MHz process are very like silicon dioxide. The 100kHz process is adequate for low temperature deposition of SiOx films.

• Textile Coloration and Finishing
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• v.7 no.2
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• pp.55-62
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• 1995

Plasma polymerization of Perfiuoropropene(PFP) and n-Hexane was carried out in a tubular type reactor by means of 13.56MHz radio frequency generator at the fixed RF discharge power of 25W and at the pressures of 100mTorr, 140mTorr and 200mTorr. The thin films were deposited on PAN fabrics in order to improve the dimemsional stability of woven states in hot water laundry. IR spectroscopy was used for the analysis of the structures of the thin films deposited and SEM for examination of surfaces of the fabrics. the PAN fabrics, which were coated by thin films at several experimental conditions, were immersed in boiling water for 2 hours and then the dimension stability of woven states were evaluated. In spite of very thin films, the results of surface modification were satisfactory. In general the performace of thin films by PFP was superior to that of n-Hexane.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2017.07a
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• pp.501-505
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• 2017

반도체에 대한 수요가 늘어남에 따라 반도체 칩 생산을 위한 웨이퍼 공정 및 평판 디스플레이 제조 공정에서 수백~수십 나노 단위 크기의 트랜지스터, 커패시터 등의 회로소자 제조를 요구하고 있다. 이에 따라 반도체 공정의 미세화가 10nm 이하까지 다다랐고 이로 인해 수율과 신뢰성 측면에서 파티클, 금속입자, 잔류이온 등 진공챔버 내부의 오염원 제거 중요성이 점점 증가하고 있다. 이러한 오염원 제거를 위해서 과거에는 진공 챔버를 개방하여 액상물질로 주기적인 세정을 하였으나 2000년대 초반부터 생산성 향상을 위해 진공 상태에서 건식 세정하는 원격 플라즈마 발생장치(Remote Plasma Generator, RPG)를 개발하여 공정에 적용 해 왔다. 건식 세정을 위해서 화학적 반응성이 높은 고밀도의 라디칼이 필요하고 이를 위해 플라즈마를 이용하여 라디칼을 생성한다. RPG는 안테나 형태의 기존 유도 결합 플라즈마 (Inductively Coupled Plasma, ICP) 방식에 자성코어(Ferrite Core)를 추가함으로써 고밀도 플라즈마 생성이 가능하다. 본 세션에서는 이러한 건식세정과 관련된 플라즈마 기술 소개, 플라즈마 발생장치의 종류 및 효과적인 건식 세정을 위한 원격 플라즈마 발생장치를 소개하고자 한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.10a
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• pp.204-206
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• 2003

Electron beam generator of cold cathode type has been developed for industrial application, for example, waste water cleaning, flue gas cleaning, and pasteurization etc. The operational principle is based on the emission of secondary electrons from cold cathode when ions in the plasma hit the cathode, which are accelerated toward exit window by the gradient of an electric potential. The characteristics of secondary electron emission are studied by comparing total cathode current with ion current.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.1410_1411
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• 2009

본 연구에서는 고전압·방전, Laser Beam, Plasma 공학분야 등에 있어서 중요한 현상 중의 하나로 대두되고 있는 Pulse Power 현상과 관련하여 고전압 단 펄스 발생장치(Pulse Width =10 ns, Pulse Height = 3kV) 시스템을 제작 하였다.