Rothmund-Thomson 증후군은 상염색체 열성질환으로 다형피부증(poikiloderma), 희박한 모발과 눈썹, 저신장, 골격계 이상, 유소년기 백내장과 악성종양의 위험이 높은 것으로 특징지어지는 증후군이다. 골격계의 이상은 RTS 환아의 68%에서 보고되었고 신체전반의 골격계 이형성으로 형성부전이나 기형으로 나타난다. 요골형성부전, 엄지손가락 저형성, 골감소증, 슬개골 저형성이나 슬개골 형성 부전 등이 보고되어 있다. 흔치 않은 증상으로는 말안장코와 삼각형의 얼굴 등이 보고되어있다. RTS에서 골육종을 포함한 악성종양의 발생빈도가 높고 면역학적 이상이 보고되어 있다. 피부종양이 가장 흔하며 상피세포암, 기저세포암, Bowen's disease 등이 있고 두 번째로는 육종이 흔하다. 저자들은 전신적으로 혈관확장 및 과색소침착을 보이는 다형 피부 소견과 함께 요골형성부전, 척골기형, 엄지손가락형성부전, 슬개골 형성부전의 골격계 기형이 있으면서 이후 좌측 경골에 골육종이 발생한 Rothmund-Thomson 증후군을 경험하였기에 보고하는 바이다.
Purpose: The present study purposed to examine induced characteristic or erythema and safety by medium wave ultra violet(UVB) lamp. Methods: We compared sunshine and UVB lamp using spectroradiometer and UV radiometer. For measuring sunshine irradiation, we used spectoradiometer and detected from 8 to 18 o'clock every each hour on the beach, playground and rooftop of a 5 story building. The subjects for erythema examination were 5 healthy subjects who have no pathologic history of photosensitivity reaction, psoriasis and vitiligo. They were exposed to UVB radiation at the abdominal area for 2 hours and after irradiation, we observed the change of skin color every 12 hours over a period of 1 week. Results: Between sunshine and UVB lamp, sunshine had higher data on the chromaticity coordinates, dominant and peak wavelength, bandwidth and purity than the UVB lamp but on the color temperature, brightness the UVB lamp had higher data than the sunshine. In comparison of sunshine and UVB lamp, UVB lamp irradiated constantly such as $3.9-4.4{\mu}W/cm^2$ at a distance of 100cm between bed and lamp which was same as early morning irradiation on the sunshine. The erythema didn't appear to any subject. Conclusion: This results suggest that the UVB lamp has lower irradiance as much as early sunshine. Therefore the UVB lamp had no influence of inducing erythema at a distance of 100cm between bed and lamp.
Stevens-Johnson 증후군은 피부에 특징적 발진과 수포를 동반하고 두 개 이상의 점막 조직에 병변을 보이는 것을 특징으로 하는 질환으로 감염, 예방 접종, 약물, 전신 질환 및 물리적 자극 등이 원인이 될 수 있다. 이 가운데 Mycoplasma pneumoniae는 소아기의 Stevens-Johnson 증후군의 가장 흔한 원인이다. 최근 Mycoplasma pneumoniae에 의한 피부 병변 없이 심한 점막의 병변만을 보이는 경우가 보고되었다. 이러한 경우를 피부 병변이 없는 Stevens-Johnson 증후군이거나 혹은 다른 개별적 질환으로 보아야 할지에 대해서는 아직 논란이 되고 있다. 병력에서 특이 사항이 없는 발열과 심한 경구 및 입술의 병변과 결막염으로 입원한 6세 남아가 임상 검사에서 Mycoplasma 항체 증가 이외에는 특이 소견을 보이지 않아 저자들은 Mycoplasma에 의한 피부병변 없는 Stevens-Johnson증후군으로 진단하였고 이를 문헌 고찰과 함께 보고하는 바이다.
저자들은 시야 결손 등의 시력 변화를 주 증상으로 내원한 환자에서 소세포 폐암과 이로 인한 부종양성증후군으로 동반된 암 관련 망막증을 진단하고 항암화학요법을 시행하여, 원발 병변의 부분 관해 보였으나, 시야 결손은 회복되지 않았던 1예를 경험하였기에 문헌 고찰과 함께 보고 하는 바이다.
A new hybrid silicon thin-film transistor (TFT) fabrication process using the DPSS laser crystallization technique was developed in this study to realize low-temperature poly-Si (LTPS) and a-Si:H TFTs on the same substrate as a backplane of the active-matrix liquid crystal flat-panel display (AMLCD). LTPS TFTs were integrated into the peripheral area of the activematrix LCD panel for the gate driver circuit, and a-Si:H TFTs were used as a switching device of the pixel electrode in the active area. The technology was developed based on the current a-Si:H TFT fabrication process in the bottom-gate, back-channel etch-type configuration. The ion-doping and activation processes, which are required in the conventional LTPS technology, were thus not introduced, and the field effect mobility values of $4\sim5cm^2/V{\cdot}s$ and $0.5cm^2/V{\cdot}s$ for the LTPS and a-Si:H TFTs, respectively, were obtained. The application of this technology was demonstrated on the 14.1" WXGA+(1440$\times$900) AMLCD panel, and a smaller area, lower power consumption, higher reliability, and lower photosensitivity were realized in the gate driver circuit that was fabricated in this process compared with the a-Si:H TFT gate driver integration circuit
Analog film/screen systems have been being changed to a digital x-ray imaging device using direct conversion materials. Photocoductors for a direct detection flat-panel imager require high x-ray absorption, ionization and charge collection, low leakage current and large area deposition. In this work, $HgI_2$ films with excellent properties for x-ray detector were deposited by screen printing method. The thickness of $HgI_2$ film was about $150\;{\mu}m$. The passivation layer is fabricated using a-Se and parlyene, the both fabrication $HgI_2$ film were compared for analyzing the leakage current reduction. We measured electrical properties-leakage current, photosensitivity, SNR though I-V measurement, As the result, $HgI_2$ film using a-Se passivation layer had the greater
밀착형 1차원 영상감지소자로서 팩시밀리에 사용될 광도전막을 사일랜듸 글로방전 분해법으로 제작하였다. 우선 rf전력, 사일랜유량, 분위기 가스압, $H_2/SiH_4$비 및 기판온도의 증착조건에 따른 단층광전도막의 전기적 및 광학적특성을 조사하였다. 이 단층구조 영상감지막은 광전감도 0.85와 100lux 조도하에서 $I_{ph}/I_d=100$을 나타내었다. 그러나 이러한 단층박막은 양 전극으로 부터의 캐리어주입으로 인해 큰 암전류도 0.2nA 이하를 나타내었다. 또한 다층막은 단층막에 비해 단파장 가시광영역이 보상되어 팩시밀리용 1차원 영상감지소자에 사용될 만한 결과를 나타내었다.
폴리벤조옥사졸 전구체로써 poly(ο-hydroxyamide)를 2,2'-bis(3-amino-4-hydroxy phenyl)hexafluoropropane과 여러 가지 bis-acid를 사용하여 축중합법에 의해 합성하였으며, 또한 이를 3,4-dihydro-2H-pyran과 부가반응시켜 산민감기인 tetrahydropyran이 부착된 방향족 폴리아미드를 합성하였다. Bis-acid의 구조에 따른 365 nm의 파장에서의 광투과도를 조사한 결과, 4,4'-oxydibenzoic acid로부터 합성된 중합체의 광투과도가 가장 우수하였다. 이러한 현상은 전자받게 성질을 갖고 있는 his-acid에 전자를 공여할 수 있는 구조를 도입하면 전자받게 성질이 감소되어 분자내 전하 이동 착물 (intra-CTC) 형성이 감소됨에 따라 광투과도가 증가된다고 사료된다. 또한 산민감기의 치환율이 높을수록 광투과도가 증가하는 경향을 보였다. 이는 방향족 폴리아미드에 산민감기인 THP의 치환율이 높아질수록 사슬과 사슬간의 조밀함이 떨어지기 때문에 분자간 전하 이동 착물 (inter-CTC) 형성을 줄여주는 효과를 얻게 되어 광투과도가 증가된다고 사료된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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