The phase change memory material is an active element in phase change memory and exhibits reversible phase transition behavior by thermal energy input. The doping of the phase change memory material with Ga leads to the increase of its crystallization temperature and the improvement of its amorphous stability. In this study, we investigated the effect of GaGe sputtering power on the formation of the phase change memory material including Ga. The deposition rate linearly increased to a maximum of 127 nm and the surface roughness remained uniform as the GaGe sputtering power increased in the range from 0 to 75 W. The Ga concentration in the thin film material abruptly increased at the critical sputtering power of 60 W. This influence of GaGe sputtering power was confirmed to result from a combined sputtering-evaporation process of Ga occurring due to the low melting point of Ga ($29.77^{\circ}C$).
A homogeneous and stoichimetric fine powder of the ferroelectric $Pb_[0.97}La_{0.02}(Zr_{0.64}Sn_{0.25}Ti_{0.11})O_3$ (PLZST) has been prepared by the hydroxide coprecipitation method. Studies on the crystallization behavior of precursor as a function of temperature by X-ray powder diffraction and transmission electron microscopy technique were consistent with the formation of the pyrochlore phase from amorphous, initially at low temperatures around 500~$550^{\circ}C$. Further heat treatment up to $750^{\circ}C$ resulted in development of the perovskite phase with no significant pyrochlore crystallite growth. At intermediate temperatures the precursor yields a fine mixture of pyrochlore and perovskite phases. When the pyrochlore phase was heat teated in air, slight weight increase was observed in the temperature range of 300~$700^{\circ}C$, which is thought to be caused from oxygen absorption. In argon atmosphere, weight increase was not observed. On the other hand, weight loss began to occur near $700^{\circ}C$, with giving off mostly CO2 gas. This implies that the pyrochlore phase seems to be crystallorgraphycally and thermodynamically metastable. An apparent activation energy of 53.9 ㎉/mol was estimated for the pyrochlore-perovskite phase transformation.
Vanadium dioxide (VO2) is a strongly correlated oxide exhibiting a first-order metal-insulator transition (MIT) that is accompanied by a structural phase transition from a low temperature monoclinic phase to a high-temperature rutile phase. VO2 has attracted significant attention because of a variety of possible applications based on its ultrafast MIT. Interestingly, the transition nature of VO2 is significantly affected by stress due to doping and/or interaction with a substrate and/or surface tension as well as defects. Accordingly, there have been considerable efforts to understand the influences of such factors on the phase transition and the fundamental mechanisms behind the MIT behavior. Here, we present the influences of oxygen deficiency, hydrogen doping, and substrate-induced stress on MIT phenomena in single-crystalline VO2 nanobeams. Specifically, the work function and the electrical resistance of the VO2 nanobeams change with the compositional variation due to the oxygen-deficiency-related defects. In addition, the VO2 nanobeams during exposure to hydrogen gas exhibit the reduction of transition temperature and the complex phase inhomogenieties arising from both substrate-induced stress and the formation of the hydrogen doping-induced metallic rutile phase.
Spherical phospholipid-bilayers, vesicles, were prepared using the layer-by-layer double emulsion technique, which allows the bilayer to be formed asymmetrically. On the outer layer of the vesicles, the phospholipase D (PLD) reacted to convert phosphatidylcholine (PC) to phosphatidic acid (PA). The reaction induced the curvature change of the vesicles, which eventually led to rupture. The response time from the time of PLD injection to the time of rupture was measured against different vesicle curvatures and the outer layer phase, using the fluorescence intensity change of a pH-sensitive dye encapsulated within the vesicles. The effect of the vesicle curvature on the response was observed to be more significantly dramatic at the solid phase, compared to the liquid phase. Furthermore, in the solid phase, the response time was faster for 80 and 155 nm vesicles and, slower for 605 nm vesicles than similarly sized vesicles in the liquid phase vesicles. This difference in the response time was thought to result from the configuration determined by the phase difference and the PLD behavior.
Small angle light scattering (SALS) and field emission scanning electron microscope (FE-SEM) have been used to investigate the effects of alcohol on phase separation of chlorinated poly(vinyl chloride) (CPVC)/tetrahydrofuran (THF)/alcohol (9/61/30 wt%) solution during water vapor induced phase separation. A typical scattering pattern of nucleation & growth (NG) was observed for all casting solutions of CPVC/THF/alcohol. In the case of the phase separation of CPVC dope solution containing 30 wt% ethanol or n-propanol, the demixing with NG was observed to be heterogeneous. Meanwhile, the phase separation of CPVC dope solution with 30 wt% n-butanol was found to be predominantly homogeneous NG. Although the different phase separation behavior of NG was observed with types of alcohol additives, the resultant surface morphology had no remarkable differences. That is, even though the NG process by water vapor is either homogeneous or heterogeneous, this difference does not play a main role on the final surface morphology. However, it was estimated from the result of hydraulic flux that the phase separation by homogeneous NG provided the membrane geometry with lower resistance in comparison with that by heterogeneous one.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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