$AlFe_2B_2$ produced by using a conventional arc melter has a ferromagnetic material with a Curie temperature ($T_C$) of around 300 K, but the arc-melt generates paramagnetic $Al_{13}Fe_4$ impurities during the synthesis of $AlFe_2B_2$. Impurities are brought to cause a decrease in magnetocaloric effects (MCEs). To investigate the effects of $Al_{13}Fe_4$ impurities on MCEs, we prepared and compared ascast and acid-treated samples, where the acid treatment was performed to remove the $Al_{13}Fe_4$ impurities. For the structural analysis, powder X-ray diffraction was carried out, and the measured data were subjected to a Rietveld refinement. The presence of $Al_{13}Fe_4$ impurities in the as-cast sample was observed in the phase analysis measurements. Magnetic properties were investigated by using Superconducting Quantum Interference Device (SQUID) measurements for the as-cast and the acid-treated $AlFe_2B_2$ samples. From isothermal magnetization measurements, Arrott plots were obtained showing that the transition of $AlFe_2B_2$ has a second-order magnetic phase transition (SOMT). The $T_C$ and the saturation magnetization increased for the acid-treated sample due to removal of the paramagnetic impurities. As a consequence, the magnetic entropy change ($-{\Delta}S$) increased in the pure $AlFe_2B_2$ samples, but the full width at half maximum in the plot of $-{\Delta}S$ vs. T decreased due to the absence of impurities.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제11권1호
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pp.37-41
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2010
The authors investigated the photoluminescence (PL) and the electron paramagnetic resonance (EPR) from an magnesium (Mg)-doped GaN thin film with a delta-doped layer. The regularly doped sample shows a PL peak at 2.776 eV for the as-grown sample, and the peak shifts to 2.904 eV and increases in intensity for the annealed sample. The delta-doped sample also shows the same PL peak as does the regularly doped sample. However, only the annealed delta-doped layer shows a sharp EPR with a small isotropic Lande g-factor, $g_{II}$, of 2.029. This resonance is attributed to the delta-doped layer, which forms a hole-bound Mg-N atomic structure instead of the $Mg_{Ga}-V_N$ defect complex, indicating that the delta-doped sample was not optically activated to form PL centers but was instead electrically activated to form a hole-bound state.
교류전위차법 (alternating current potential drop : ACPD)을 이용하여 이차원 표면균열을 갖고 있는 강자성체 (ferromagnetic material)와 상자성체 (paramagnetic material)의 모드 I (opening mode) 응력확대계수($K_I$)를 효과적으로 계측하는 방법을 개발하기 위하여 하중에 따른 교류전위차 변화(change in ACPD)에 미치는 자속(magnetic flux)의 영향을 연구하였다. 그리고 하중에 따른 전위차 변화에 미치는 탈자(demagnetization) 및 균열길이의 영향을 연구하였다. 기전력을 많이 유도할 수 있도록 설계된 계측계의 경우 하중에 따른 교류전위차 변화량은 크게 증가하였다. 아울러 교류전위차 변화와 응력확대계수 변화 사이의 관계는 탈자 등의 조치가 없어도 선형적이며, 탈자는 전위차 변화에 거의 영향을 미치지 않았다. 일정 $K_I$ 변화에 의한 전위차 변화량은 균열길이에 의존하지 않고 계측계에 의존한다. 교류전위차법을 이용하여 효과적으로 응력확대계수를 결정하는 방법은 기전력을 많이 유도할 수 있도륵 설계된 계측계를 사용하여 교류전위차 변화를 측정하는 것이다.
We have prepared crystalline Ag nanoparticles with an average size of 4 nm in diameter by using an inductively coupled plasma reactor equipped with the liquid nitrogen cooling system. Our magnetic data show that the nano-sized effect of Ag nanoparticles on the magnetic properties is ferromagnetic, instead of a diamagnetic component of the Ag bulk and a superparamagnetic component of magnetic nanoparticles. We have also studied the magnetic properties of Ag-Cu nanocomposites with an opposite concentration profile between surface and core. These comparisons indicate that the ferromagnetic component strongly depends on the surface of Ag nanoparticles, while the paramagnetic component is strongly affected by the outer oxide layer, with the background of a diamagnetic component from the core of Ag.
Magnetic and transport properties in the ceramic specimen of L $a_{0.7}$S $r_{0.3}$Fe $O_3$ with orthohombic structure has been investigated. Weak ferromagnetism has been observed in a ceramic sample of L $a_{0.7}$S $r_{0.3}$Fe $O_3$. Large dielectric relaxation of Debye type is observed in paramagnetic states within the temperature range of 130K~200K. From the temperature dependence of the characteristic frequency, we concluded that the elementary process of the dispersion is related to holes hopping between F $e^{3+}$ and F $e^{4+}$ ions. The temperature dependencies of thermoelectric power and Dc conductivity suggest that the charge carrier responsible for the conduction are strongly localized. These experimental results have been interpreted in terms of a hopping process involving small polaron.n.laron.n.
High-frequency induction is an efficient way to heat mold surface by electromagnetic induction in a noncontact procedure. It has been recently applied to the injection molding of thin-walled parts or micro/nano structures. Though the induction heating has an advantage in terms of its rapid-heating capacity on the mold surface, it still has difficulty in efficient mold temperature control due to the restriction of an induction coil design suitable for the given mold shape. The present study proposed a localized mold heating method by means of selective use of mold material. For localized induction heating, an injection mold composed of ferromagnetic material and paramagnetic material is used. The electromagnetic induction concentrates on the ferromagnetic material, from which we can selectively heat for the local mold elements. The feasibility of the proposed heating method is investigated through an experimental measurement in terms of the heating efficiency on the localized mold surface.
The $Cu[SO_3(CH_2)_4SO_3$]ㆍ$4H_2O$ compound was synthesized. The three-dimensional structure of $Cu[SO_3(CH_2)_4SO_3$]ㆍ$4H_2O$ compound was determined. The copper atom is bridged by 4 oxygen atoms of 4 water molecules and 2 oxygen atoms of butanedisulfonate. The butyl chain in the plane of four copper atoms is oriented parallel and perpendicular to the one of plane axis, alternatively. Magnetic data indicate that this compound behaves a typical paramagnetic.
Park, Jin-Ho;Youn, Suk-Ju;Min, Byung-Il;Yi, Jae-Yel
Journal of Magnetics
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제1권1호
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pp.4-8
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1996
Employing the LMTO band method, we have studied electronic and magnetic properties of Fe/Si/Fe trilayer in which the z-direction is chosen to be (111) direction of FeSi with B2 phase, We have also determined electronic structure of bulk FeSi, as a reference material. The ground state of FeSi is paramagnetic insulator with a band gap of 0.05 eV. Band structures of Fe/Si/Fe with varying the thickness of the spacer layer reveal that the spacer layer is metallic, and the states along the growth direction do not disperse much reflecting a two-dimensional nature. Magnetic moment of Fe atom in the interfacial layer of Fe/Si/Fe is reduced a lot as compared to the bulk value, suggesting a strong hybridization between Fe and Si states. The geometry of the Fermi surface indicates that the magnetic coupling period of ~8ML (monolayers) in Fe/Si/Fe is explained with a short Fermi wave vector of bcc Si.
ZnGa2O4: Mn phosphors were prepared by a new chemical process, and their photoluminescence and electron paramagnetic resonance characteristics were investigated. The chemical method showed a low temperature formation of phosphors and a rod-type shape of particles. The strong ultraviolet emission was observed in the undoped ZnGa2O4 phosphor, while strong green emission in the Mn2+-activated ZnGa2O4 phosphor. The green emission intensity of the phosphor prepared by the chemical method was much stronger than that prepared by the conventional method. This difference with preparation methods was interpreted as due to the difference in the distribution of Mn2+ in the host lattice. From EPR results, it was explained that the line intensity of the undoped ZnGa2O4 is associated with the electrical conductivity of this material and the concentration quenching of green luminescence of ZnGa2O4: Mn at higher Mn2+ concentration is attributed to the coupling by exchange interaction between Mn2+ ions.
In this study, the discharge characteristic of FTS (Facing Targets Sputtering) apparatus was investigated using metal target paramagnetic and ceramic targets such as Zn, Al, $ZnO:Al(Al_2O_3)$, ITO. Threshold voltage and stable stage of discharge show different with target species. Compare with commercial sputtering apparatus, the FTS apparatus is a high-speed sputter method that promotes ionization of sputter gas by screw and reciprocate moving high-speed ${\gamma}$electrons which arrays two targets facing each other, inserts plasma arresting magnetic field to the parallel direction of the center axis of both targets, discharged from targets and accelerated at the cathode falling area. Especially, we notice that the FTS method using ceramic target has stable discharge characteristic even by DC power source.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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