The dielectric properties of the uniaxial relaxor ferroelectric $Sr_xBa_{1-x}Nb_2O_6$ with x = 0.75 were investigated along the polar [001] direction as a function of temperature. The capacitance maximum showed the frequency dispersion commonly observed in relaxors. Additional weak dielectric anomalies were observed in the paraelectric phase; they were only seen during the heating process and disappeared upon subsequent cooling. These were attributed to the existence of large polar clusters strongly pinned at defects and/or to random fields and their metastable characters. Aligning the ferroelectric domains along the polar axis at room temperature removed the high-temperature dielectric anomalies. The dependences of the capacitance and the dielectric maximum temperature on the magnitude of the poling field were investigated.
Polarization and strain induced by unipolar electric field (P\ulcorner, S\ulcorner), those induced by bipolar electric field (P, S) and remanent polarization (P\ulcorner) were investigated in 0.9Pb(Mg\ulcornerNb\ulcorner)O$_3$-$0.1PbTiO_3$relaxor ferroelectric ceramics in the temperature range of $-50^{\circ}C$~$90^{\circ}C$. From the temperature dependence of polarization and strain, the transition from predominantly paraelectric (electrostrictive) to partially ferroelectric (piezoelectric) is visualized. Under the given temperature, the P\ulcorner/P\ulcorner is always larger than the S\ulcorner/S\ulcorner and the difference between them becomes larger ass the temperature decrease. The S\ulcorner/P\ulcorner increases as the temperature decreased below phase transition temperature. It was suggested that these experimental results might be explained with a simple rigid ion model concentrating on BO\ulcorner octahedron.
Ferroelectric relaxor ceramics with $BaTiO_3-NaNbO_3-Bi(Mg_{1/2}Ti_{1/2})O_3$ ternary compositions (BT-NN-BMT) have been prepared by sol-gel powder synthesis and consequent bulk ceramic processing. Through the modified chemical approach, fine and single-phase complex perovskite compositions were successfully obtained. Temperature and frequency dependent dielectric properties indicated typical relaxor characteristics of the BT-NN-BMT compositions. The ferroelectric-paraelectric phase transition became diffusive when NN and BMT were added to form BT based solid solutions. BMT additions to the BT-NN solid solutions affected the high temperature dielectric properties, which might be attributable to the compositional inhomogeneity of the complex perovskite and resulting weak dielectric coupling of the Bi-containing polar nanoregions (PNRs). The temperature stability of the dielectric properties was good enough to satisfy the X9R specification. The quasi-linear P-E response and the temperature- stable dielectric properties imply the high potential of this ceramic compound for use in high temperature capacitors.
Bi4Ti3O12 (BIT) and its rare earth (Y, Nd, Sm, Gd)-substituted derivatives were synthesized using a sol-gel method to investigate their microstructures, cystal structures and electrical properties depending on the subsituted elemetns. Nd- or Sm-substitution into BIT appeared to be favorable, while Y- or Gd-substitution occurred with a pyrochlore phase. This suggests that a smaller trivalent rare earth ion may not be favorable in the structure of BIT. The rare earth derivatives showed that their particle sizes and shapes were considerably different depending on the kinds of substituted elements. Y-substitution resulted in developing a relatively even particle size and a dense microstructure. In structure, they may be similar to the pseudo-orthorhombic BIT but close to a paraelectric tetragonal phase. Their a (or b) axes were shortened, compared to the one of BIT. Such a distortion may result a decrease in the tilting of TiO6. BIT and the derivatives showed that their dielectric constants and losses were 40~120 and less than 0.03, respectively in the frequency range of 1~10 MHz. The dielectric loss of Y-substituted derivative was the lowest one and changed a little to frequency. Curie points were observed in all the derivatives like BIT to suggest that they would be ferroelectric. The temperature stability of the delectric properties of the derivatives below the Curie points were relatively better than the one of BIT.
In this study, in order to develop relaxor ferroelectric ceramics for refrigeration device application with large electrocaloric effect and low sintering temperature, PLZT(8/65/35) ceramics was fabricated using conventional solid-state method with the variation of sintering temperature ($1,050^{\circ}C$, $1,100^{\circ}C$, $1,200^{\circ}C$). The XRD pattern of all specimens indicated general perovskite structure with secondary phase. From the results of temperature dependence of dielectric constant, the $T_C$ (ferroelectric-paraelectric phase transition temperature) was shifted toward high temperature with increasing sintering temperature. When the specimen was sintered at $1,100^{\circ}C$, the optimal value of ${\Delta}T{\sim}0.349^{\circ}C$ in ambient temperature of $215^{\circ}C$ was appeared. It is considered that PLZT(8/65/35) ceramics possess the possibility of refrigeration device application.
A large amount of papers about the cubic-to-tetragonal phase transition the ferroelectric domain structures of the BaTiO3 were already reported but there exist still some needs to observe the domain behaviors directly. In this study the domain structures of the tinned plates prepared from ta single crystal grown by the TSSG technique were observed using a polarizing microscope TE and X-ray topography. The spatial relation be-tween the orientation states of domains was investigated and the effects of external stresses and electric fields on the behaviors of ferroelectric and ferroelastic domains were studied. All the 90$^{\circ}$walls cut off in the crystal are the wedge shaped lamellar domains and all the straight boundaries in the observed domain patte군 can be interpreted as the head-to-tail 90$^{\circ}$walls. The irregular overlapped boundaries commonly observed by using a polarizing microscope and X-ray topography are complex combinations of well-known 90$^{\circ}$walls and are domain walls were predominant and were stabilized after surface polishing. In the paraelectric phase region the domain walls vanished but the residual surface strain patterns could be seen at the same positions of the stabilized 90$^{\circ}$a-a walls in the tetragonal phase region, These stabilized walls resulted from the surface strain had a memory effect in domain formation during the repeated phase transitions and could notr be affected by an external electtric field.
Thin films of Bi4-xSmxTi3O12(0$\leq$x$\leq$2) were prepared on Pt/Ti/SiO2/Si(100) at $700^{\circ}C$ using spin-coating with sols derived from Bi-Sm-Ti complex alkoxides. From X-ray diffraction analysis, it was observed that Sm-substituted phases resembled ferroelectric Bi4Ti3O12 in structure. Variations of their lattice parameters depending on the amount of Sm-substitution showed that an anomalous structural distortion might exist at x=1. The grain sizes of the thin films decreased from 0.115 ${\mu}{\textrm}{m}$ to 0.078${\mu}{\textrm}{m}$ with increasing the amount of Sm-substitution. The dielectric constants and the remanent polarizations of the thin films decreased with increasing the amount of the Sm-substitution, which were related to decrease of the stereo-active Bi3+ ion contributing to polarization. However, these values were exceptionally high at x=1, compared to those of the other substituted phases. Such an anomaly suggests that the phase of x=1 has 1:1 chemical ordering between Sm and Bi in structure. The thin films of all compositions except x=2 showed ferroelectricity. The thin film of x=2 was paraelectric, whose grains were too fine to exhibit ferroelectricity.
A study was carried out on the effect of VDF mol%, on the phase transition presented by P(VDF/TrFE) copolymer cast from dimethylformamide(DMF) solution with molar ratios 70/30 and 80/20. The results from dielectric spectrum and differential scanning calorimetry(DSC) showed that the phase transitions from ferroelectric to paraelectric phase(Curie transition) were observed The Curie point slightly has shifted to high temperature with increasing in VDF mol%, however, the melting point has shifted to low temperature.
${Li_2}{CO_3}$ and MgO doped paraelectric ${Ba_{0.5}}{Sr_{0.5}}{TiO_3}$, materials were prepared and compared for LTCC applications. In these days LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) technology has been widely employed for electronic modules for the communication systems such as front-end modules, antenna modules, and switching modules. In this paper, 1 ${\sim}$ 5 wt % of ${Li_2}{CO_3}$, and 30 wt % of MgO were added to ${Ba_{0.5}}{Sr_{0.5}}{TiO_3}$, respectively. The crystalline properties and electrical properties will be compared and discussed.
In this paper dielectric and electrostrictive strain properties of (1-y-x)Pb(Mg$_{1/3}$Nb$_{2/3}$)O$_{3}$-PbTiO$_{3}$$-yPbTiO_{3}-xSrTiO_{3}[(1-y-x)PMN-yPT-xST]$ ceramics fabricated by using columbite precursor method have been investigated with the substitution of SrTiO$_{3}$(ST). Dielectric constant of the specimens increased with the increase of ST content up to 5[m/o] and decreased with further substitution of ST. And the pyrochlore phase decreased with the increase of ST content up to 5[m/o] in XRD analysis. The elimination of the pyrochlore phase improved dielectric constants. The electrostrictive strains generated by AC electric field have the highest value at 5[m/o] SrTiO$_{3}$ addition and the hysteresis of strain ranged from 12 to 20[%]. The electrostrictive strain at various temperature investigated in the temperature range of $-50[^{\circ}C]~74[^{\circ}C].$ In higher temperature than phase transition region, it showed paraelectric property which shows very small hystersis.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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