This study investigates Cu(II) complexes of cyclam, propylene cross-bridged cyclam (PCB-cyclam), and propylene cross-bridged cyclam diacetate (PCB-TE2A) as homogeneous electrocatalysts for CO2 reduction in comparison with Ni(II)-cyclam. It is found that Cu(II)-cyclam can catalyze CO2 reduction at the potential close to its thermodynamic value (0.75 V vs. Ag/AgCl) in tris-HCl buffer (pH 8.45) on a glassy carbon electrode. Cu(II)-cyclam, however, suffers from severe demetalation due to the insufficient stability of Cu(I)-cyclam. Cu(II)-PCB-cyclam and Cu(II)-PCB-TE2A are revealed to exhibit much less demetalation behavior, but poor CO2 reduction activities as well. The inferior electrocatalytic ability of Cu(II)-PCB-cyclam is ascribed to its redox potential that is too high for CO2 reduction, and that of Cu(II)-PCB-TE2A to the steric hindrance preventing facile contact with CO2 molecules. This study suggests that in addition to the redox potential and chemical stability, the stereochemical aspect has to be considered in designing efficient electrocatalysts for CO2 reduction.
An improved antibody-coated sensor system based on quartz crystal microbalance was developed for the detection of Salmonella spp. An antibody against Salmonella common structural antigen was immobilized onto one gold electrode of the piezoelectric quartz crystal surface by various immobilization procedures. The best results in sensitivity and stability were obtained with the thin layers of protein A and 3,3'-dithiopropionimidate.2HCI(DTBP), a homobifunctional thiol-cleavable crosslinker. After the addition of a S. typhimurium suspension into a reaction cell with 0.1 M sodium phosphate buffer, pH 7.2, the resonant frequency owing to S. typhimurium adsorption decreased conspicuously. The antibody-immobilized crystals prepared by the gold-protein A complex formation and DTBP thiolation showed the frequency shifts of 80 and 283 Hz, respectively. The time required for maximum frequency shift was about 30~60 min. The antibody-coated crystal could be reused for 6~8 consecutive assays.
Ganjali, Mohammad Reza;Zamani, Hassan Ali;Norouzi, Parviz;Adib, Mehdi;Rezapour, Morteza;Aceedy, Mohammad
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.26
no.4
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pp.579-584
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2005
The 3-[(2-furylmethylene)amino]-2-thioxo-1,3-thiazolidin-4-one (FTT) was used as an excellent ionophore in construction of a $Zn^{2+}$ PVC-based membrane sensor. The best performance was obtained with a membrane composition of 30% poly(vinyl chloride), 62% nitrobenzen (NB), 3% FTT and 5% sodium tetraphenyl borate (TBP). This membrane sensor shows very good selectivity and sensitivity towards $Zn^{2+}$ over a wide variety of cations, including alkali, alkaline earth, transition and heavy metal ions. The membrane sensor revealed a great enhancement in selectivity coefficients for $Zn^{2+}$ ions, in comparison to the previously reported $Zn^{2+}$ membrane sensors. Theoretical studies also showed the selective interaction of TFF and $Zn^{2+}$ ions. The proposed membrane sensor exhibits a Nernstian behavior (with slope of 29.3 ${\pm}$ 0.3 mV per decade) over a wide concentration range (1.0 ${\times}$$10^{-6}$-1.0 ${\times}$$10^{-2}$) with a detection limit of 8.5 ${\times}$$10^{-7}$ M (52 ng mL$^{-1}$). It shows relatively fast response time, in the whole concentration range ($\lt$ 20 s), and can be used for at least 10 weeks in a pH range of 3.0-7.0. The proposed membrane sensor was successfully used in direct determination of $Zn^{2+}$ ions in wastewater of industrial zinc electroplating companies, and also as an indicator electrode in titration with EDTA.
RuO$_3$ thin films were deposited on Si(100) substrate at low temperatures by hot-wall metalorganic chemical vapor deposition. Bis(cyclopentadienyl) ruthenium, Ru$(C_5H_5)_2$, was used as the precursor RuO$_2$single phase was obtained at a low deposition temperature of 25$0^{\circ}C$ and the crystallinity of RuO$_2$thin films improved with increasing deposition temperature. RuO$_2$thin films grow perpendicularly to the substrate and show the columnar structure. The grain size of RuO$_2$films drastically increases with increasing the deposition temperature. The resistivity of the 180 nm-thick RuO$_2$thin films deposited at 27$0^{\circ}C$ was 136 $\mu$$\Omega$-cm and increased with decreasing film thickness. SrBi$_2Ta_2O_4$ thin films deposited by rf magnetron sputtering on the RuO$_2$bottom electrodes showed a fatigue-free characteristics up to ~10$^10$ cycles under 5 V bipolar square pulses and the remanent polarization, 2 P$_r$ and the coercive field, 2 E, were 5.2$\mu$C/$\textrm{cm}^2$ and 76.0 kV/cm, respectively, for an applied voltage of 5 V The leakage current density was about 7.0$\times$10$^{-6}$ A/$\textrm{cm}^2$ at 150 kV/cm.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07b
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pp.942-945
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2003
Nerve gas sensor based on tin oxide was fabricated and its characteristics were examined. Target gas was dimethylmethylphosphonate($C_3H_9O_3P$, DMMP) that is simulant gas of nerve gas. Sensing material was $SnO_2$ added ${\alpha}-Al_2O_3$ with $4{\sim}20wt.%$ and was physically mixed. And then it was deposited by screen printing method on alumina substrate. Sensor device was consisted of sensing electrode with interdigit(IDT) type in front and heater in back side. Total size of device was $7{\times}10{\times}0.6mm^3$. Crystallite size of fabricated $SnO_2$ were characterized by X-ray diffraction(XRD, Rigaku) and morphology of the $SnO_2$ powders was observed by a scanning electron microscope(SEM, Hitachi). Fabricated sensor was measured as flow type and sensor resistance change was monitored real time using LabVIEW program. The best conditions as added $Al_2O_3$ amounts and operating temperature changes were 4wt.% and $300^{\circ}C$ in DMMP 0.5ppm, respectively. The sensitivity was over 75%. Response and recovery times were about 1 and 3 min., respectively. Repetition measurement was very good with ${\pm}3%$ in full scale.
The response characteristics of the bioelectrode developed by the co-immobilization of black goat liver tissue and ferrocene in a carbon paste matrix for the amperometric determination of hydrogen peroxide were evaluated. In the range of electrode potential examined ($-0.3{\sim}+0.0\;V$ vs. Ag/AgCl), the response time was relatively short (t95%=12 s) and it responded in the wide range of pH. The detection limit was 2.25${\times)10^{-6}M$ and a relative standard deviation of the measurements which were repeated 15 times using 1.0${\times}10^{-2 }$M hydrogen peroxide was 1.87%. The bioelectrode sensitivity decreased to 50% of the original value in 19 days of continuous use.
Cu(In, Ga)$Se_2$ (CIGS) precursor films were electrodeposited on Mo/glass substrates in acidic solutions containing $Cu^{2+}$, $In^{3+}$, $Ga^{3+}$, and $Se^{4+}$ ions at -0.6 V (SCE) and pH. 1.8. In order to induce recrystallization, the electrodeposited $Cu_{1.00}In_{0.81}Ga_{0.09}Se_{2.08}$ (25.0 at.% Cu + 20.2 at.% In + 2.2 at.% Ga + 52.0 at.% Se) precursor films were annealed under a high Se gas atmosphere for 15, 30, 45, and 60 min, respectively, at $500^{\circ}C$. The Se amount in the film increased from 52 at.% to 62 at.%, whereas the In amount in the film decreased from 20.8 at.% to 9.1 at.% as the annealing time increased from 0 (asdeposited state) to 60 min. These results were attributed to the Se introduced from the furnace atmosphere and reacted with the In present in the precursor films, resulting in the formation of the volatile $In_2Se$. CIGS precursor grains with a cauliflower shape grew as larger grains with the $CuSe_2$ and/or $Cu_{2-x}Se$ faceted phases as the annealing times increased. These faceted phases resulted in rough surface morphologies of the CIGS films. Furthermore, the CIGS layers were not dense because the empty spaces between the grains were not removed via annealing. Uniform thicknesses of the $MoSe_2$ layers occurred at the 45 and 60 min annealing time. This implies that there was a stable reaction between the Mo back electrode and the Se diffused through the CIGS film. The results obtained in the present research were sufficiently different from comparable studies where the recrystallization annealing was performed under an atmosphere of Ar gas only or a low Se gas pressure.
The nanostructural graphene/vanadium oxide (graphene/$V_2O_5$) composite with enhanced capacitance was synthesized by the electro-deposition in 0.5 M $VOSO_4$ solution. The morphology of composites was characterized using scanning electron microscopy (SEM), x-ray diffraction pattern (XRD), and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The oxidation states of the electro-deposited vanadium oxide was found to be $V^{5+}$ and $V^{4+}$. The morphology of the prepared graphene/$V_2O_5$ composite exhibits a netlike nano-structure with $V_2O_5$ nanorods in about 100 nm diameter, which could lead a better contact between electrolyte an electrode. The composite with a deposition time of 4,000 s exhibits the specific capacitance of $854mF/cm^2$ at a scan rate of 20 mV/s and the capacitance retention of 53% after 1000 CV cycles.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.12S
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pp.1217-1223
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2003
Nerve gas sensor based on tin oxide was fabricated and its characteristics were examined. Target gas is dimethyl methyl phosphonate(C$_3$$H_{9}$$O_3$P, DMMP) that is simulant gas of nerve gas. Sensing materials were Sn $O_2$ added a-Al$_2$$O_3$ with 0∼20wt.% and were physically mixed each material. They were deposited by screen printing method on alumina substrate. The sensor device was consisted of sensing electrode with interdigit(IDT) type in front and a heater in back side. Total size of device was 7${\times}$10${\times}$0.6㎣. Crystallite size & phase identification and morphology of fabricated Sn $O_2$ powders were analyzed by X-ray diffraction and by a scanning electron microscope, respectively. Fabricated sensor was measured as flow type and resistance change of sensing material was monitored as real time using LabVIEW program. The best sensitivity was 75% at adding 4wt.% $\alpha$-Al$_2$$O_3$, operating temperature 30$0^{\circ}C$ to DMMP 0.5ppm. Response and recovery time were about 1 and 3min., respectively. Repetition measurement was very good with $\pm$3% in full scale.TEX>$\pm$3% in full scale.
Yoo, Seong Il;Do, Thu Trang;Ha, Ye Eun;Jo, Mi Young;Park, Juyun;Kang, Yong-Cheol;Kim, Joo Hyun
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.35
no.2
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pp.569-574
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2014
Inverted bulk hetero-junction polymer solar cells (iPSC) composed of P3HT/PC61BM blends on the ZnO modified with benzoic acid derivatives-based self-assembled monolayers (SAM) are fabricated. Compared with the device using the pristine ZnO, the devices with ZnO surface modified SAMs derived from benzoic acid such as 4-(diphenylamino)benzoic acid (DPA-BA) and 4-(9H-carbazol-9-yl)benzoic acid (Cz-BA) as an electron transporting layer show improved the performances. It is mainly attributed to the favorable interface dipole at the interface between ZnO and the active layer, the eective passivation of the ZnO surface traps, decrease of the work function and facilitating transport of electron from PCBM to ITO electrode. The power conversion eciency (PCE) of iPSCs based on DPA-BA and Cz-BA treated ZnO reaches 2.78 and 2.88%, respectively, while the PCE of the device based on untreated ZnO is 2.49%. The open circuit voltage values ($V_{oc}$) of the devices with bare ZnO and SAM treated ZnO are not much different. Whereas, higher the fill factor (FF) and lower the series resistance ($R_s$) are obtained in the devices with SAMs modification.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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