• 한국통신학회논문지
• /
• 제25권1B호
• /
• pp.201-208
• /
• 2000

시분할 멀티플렉서는 여러 병렬 스트림(stream)들을 높은 비트율을 갖는 하나의 직렬 스트림으로 결합하는 장치로, 광통신 시스템의 송신부에 사용된다. 본 논문에서는 에미터 크기가 2$\times$8um\sup 2\인 SiGe HBT를 사용하여 4:1 (4채널) 시분할 멀티플렉서를 설계하였다. 설계된 회로의 동작속도는 10Gbps, 입력전압 및 출력전압은 각각 400mVp-p와 800mVp-p, 20-80% 간의 상승시간 및 하강시간은 각각 34ps와 34ps이며, 전력소모는 1.50W이다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
• /
• pp.31-32
• /
• 2000

$Zn_2SiO_4:Mn$ phosphors have been recently spotlighted as a green component for plasma TV application. Commercial phosphors such as P1 and P39 have been known to be a very efficient green light emitter for lamp and CRT application. Unfortunately, such commercial phosphors are not suitable for the plasma TV application as both the emission intensity and the decay time do not meet the requirement for plasma TV. The present investigation aims at improving the existing $Zn_2SiO_4:Mn$ phosphors for the purpose of adapting them to PDP application.

• 대한전기학회논문지
• /
• 제45권2호
• /
• pp.249-255
• /
• 1996

A self-aligned latch-up suppressed IGBT has been proposed and the process method and the device characteristics of the IGBT have been verified by numerical simulation. As the source is laterally diffused through the sidewall of the trench in the middle of the body, the size of the source is small and the doping concentration of the source is lower than that of the p++ body and the emitter efficiency of the parasitic npn transistor is low so that latch-up may be suppressed. No additional mask steps for p++ region, source, and source contact are required so that small sized body can be obtained Latch-u current density higher than 10000 A/cm$^{2}$ have been achieved by adjusting the process conditions.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제28권3호
• /
• pp.360-364
• /
• 2024

Npn heterostructures with GaN collectors were fabricated using nanomembrane (NM) stacking. N- and p-Si NMs were transfer-printed onto the n-GaN substrates, resulting in the formation of vertical n-Si/p-Si/n-GaN heterostructures. Electrical measurements of Si/Si and Si/GaN pn heterostructures exhibited rectifying properties, indicating that the formation of bipolar junctions was feasible through NM stacking. The energy band diagram of stacking-enabled npn heterostructure was analyzed to explain the rectifying behaviors of base-emitter and collector-base junctions, as well as to suggest potential applications for bipolar junction transistors with a GaN subcollector.

• 한국진공학회지
• /
• 제22권5호
• /
• pp.238-244
• /
• 2013

태양전지 제조공정에서 열처리로 레이저를 사용하는 도핑공정은 태양전지의 성능을 결정짓는 중요한 요소이다. 그러나 퍼니스를 이용하는 공정에서는 선택적으로 고농도(Heavy) 도핑영역을 형성하기가 어렵다. 레이저를 사용한 선택적 도핑의 경우 고가의 레이저 장비가 요구되어지며, 레이저 도핑 후 고온의 에너지로 인한 웨이퍼의 구조적 손상 문제가 발생된다. 본 연구는 저가이면서 코로나 방전 구조의 대기압 플라즈마 소스를 제작하였고, 이를 통한 선택적 도핑에 관한 연구를 하였다. 대기압 플라즈마 제트는 Ar 가스를 주입하여 수십 kHz 주파수를 인가하여 플라즈마를 발생시키는 구조로 제작하였다. P-type 웨이퍼(Cz)에 인(P)이 shallow 도핑 된(120 Ohm/square) PSG (Phosphorus Silicate Glass)가 제거되지 않은 웨이퍼를 사용하였다. 대기압 플라즈마 도핑 공정 처리시간은 15 s와 30 s이며, 플라즈마 전류는 40 mA와 70 mA로 처리하였다. 웨이퍼의 도핑프로파일은 SIMS (Secondary Ion Mass Spectroscopy)측정을 통하여 분석하였으며, 도핑프로파일로 전기적 특성인 면저항(sheet resistance)을 파악하였다. 도펀트로 사용된 PSG에 대기압 플라즈마 제트로 도핑공정을 처리한 결과 전류와 플라즈마 처리시간이 증가됨에 따라 도핑깊이가 깊어지고, 면저항이 향상하였다. 대기압 플라즈마 도핑 후 웨이퍼의 표면구조 손상파악을 위한 SEM (Scanning Electron Microscopy) 측정결과 도핑 전과 후 웨이퍼의 표면구조는 차이가 없음을 확인하였으며, 대기압 플라즈마 도핑 폭도 전류와 플라즈마 처리시간이 증가됨에 따라 증가하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2001년도 춘계학술대회 논문집 반도체재료
• /
• pp.22-25
• /
• 2001

A thyristor switch circuit for capacitor discharge application, of which the equivalent circuit includes a resistor between cathode and gate of a reverse-conducting thyristor and an avalanche diode anti-parallel between its anode and gate to set thyristor tum-on voltage, is monolithically integrated by planar process with AVE double-implantation method. To ensure a lower breakdown voltage of the avalanche diode for thyristor tum-on than the break-over voltage of the thyristor, $p^+$ wells on thyristor p base layer are made by boron implantation/drive-in for a steeper doping profile with higher concentrations while rest p layers of thyristor and free-wheeling diode parts are formed with Al implantation/drive-in for a doping profile of lower steepness. The free-wheeling diode part is isolated from the thyristor part by formation of separated p-well emitter for suppressing commutation between them, which is achieved during the formation of thyristor p-base layer.

• 대한기계학회논문집
• /
• 제11권2호
• /
• pp.331-344
• /
• 1987

본 연구에서는 직사각형 밀폐공간내에서 자연대류와 복사의 상호 영향에 대해 서 P-1 근사를 이용하여 수치적으로 해석하였다.밀폐공간내에서의 온도분포, 속도 분포 및 열전달계수를 구하였으며 열경계층내에서의 전도와 복사의 상호 영향에 대하 여 고찰하였다. 표면 복사만이 존재하는 경우에 대해서도 고찰함으로써 P-1 근사의 적용한계를 규명하였다. 벽면을 산광 방사 및 반사체(diffuse emitter and reflec- tor)로, 기체는 회색체(gray body)로 가정하였다. 이는 복사 물성치의 파장에 따른 변화를 고려할 때의 대단히 복잡한 계산 과정을 피할 수 있고, 현재의 이론적 수준에 비추어 복사 열전달의 열향을 정성적으로 규명하는데 타당한 가정이다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제44권9호
• /
• pp.71-80
• /
• 2007

본 논문은 교차결합된 부성저항(cross-coupled negative-gm) 발진기 구조의 캐패시터 공통단자에서 2차 고조파를 얻어내는 새로운 푸쉬-푸쉬 기술에 대해 제안한다. 캐패시터 공통단자에서 2차 고조파가 생성되는 기본적인 이론은 에미터-베이스 접합 다이오드의 비선형 특성에 의한 Voltage clipping과 VCO core 트랜지스터의 Switching 동작 시 생기는 상승과 하상 시간의 차로써 설명된다. Simulation을 통한 비교연구를 통하여 본 논문에서 제안한 방법이 기존의 에미터 공통단자에서 출력을 얻어내는 방법보다 마이크로파 영역에서 전력효율이 더 뛰어나다는 것을 보였다. 본 기술을 적용한 Prototype MMIC VCO가 12-GHz와 17-GHz 대역에서 GaInP/GaAs HBT 공정을 사용하여 설계, 제작되었다. 출력 파워는 각각 -4.3dBm과 -5dBm이 측정되었고, Phase noise는 1-MHz offset에서 각각 -108 dBc/Hz와 -110.4 dBc/Hz가 측정되어 -175.8 dBc/Hz와 -184.3 dBc/Hz의 FoM(Figure-of-Merit)을 얻었다. 제작된 12-GHz와 17-GHz의 VCO Core는 각각 25.7mW(10.7mA/2.4V)와 13.1mW(4.4mA/3.0V)를 소모한다.

• 센서학회지
• /
• 제8권3호
• /
• pp.283-290
• /
• 1999

본 연구에서는 고효율 단결정 실리콘 태양전지의 제작방법인 PERL방식을 사용하여 비저항이 $0.1{\sim}2{\Omega}{\cdot}cm$을 갖는 (100)면의 p형실리콘 기판으로 $n^+/p/p^+$ 접합의 태양전지를 제작하였다. 이를 위해 웨이퍼의 절단, KOH을 사용한 역피라미드 모양으로의 에칭, 인과붕소의 도핑, 반사방지막과 전극의 증착 및 열처리 등의 공정을 행하였다. 이때 소자표면의 광학적인 특성과 도핑농도가 저항값에 미치는 영향을 조사하고, Silvaco로 $n^+$도핑에 대한 확산 깊이와 도핑농도를 시뮬레이션하여 측정치와 비교하였다. AM(air mass) 1.5 조건하에서 입사되는 빛의 세기가 $100\;mW/cm^2$인 경우의 단락전류는 43 mA, 개방전압은 0.6 V, 그리고 충실도는 0.62였다. 이때 제작된 태양전지의 광전변환효율은 16%였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제10권2호
• /
• pp.33-37
• /
• 2003

Si 태양전지의 효율 개선을 위해 textured 표면을 갖는 에피텍셜 베이스 전지(TSEB)를 제작하고 이의 전기광학적 특성을 조사하였다. 제작된 전지는 AM-1 100 mW/$cm^2$ 입사광 아래에서 개방전압이 0.62 V로, 단락전류가 40 mA로, 충실도가 0.7, 전력변환 효율이 16%로 나타났다. 본 연구에서 제안된 전지는 $P^-/P^+$ 에피구조에 의한 광흡수 영역에서 캐리어의 드리프트 이동과 효과적 배면전계의 형성, 그리고 buried contact을 통한 낮은 직렬저항 등으로 인해 고효율 Si 태양전지의 제작에 적합한 구조로 판단된다.