지렁이(Earthworm, Lumbricus terrestris)로부터 thiol-specific antioxidant activity(TSA)를 나타내는 향산화 단백을 분리정제 하였다. 이 향산화 단백은 환원제로 thiol성분에 의해 유지되는 비효소적 금속 촉매 산화계 (MCO, $Fe^{3+}$, DTT 또는 2-mercatoethanol ; Thiol- MCO system)에 의하여 Glutamine Synthetase의 불활성을 억제하지만 아스코르브산과 같은 nonthiol 환원제를 가진 효소적 금속 촉매 산화계 (MCO, $Fe^{3+}$, ascorbate ; nonthiol- MCO system)에서는 Glutamine Synthetase의 불활성을 방어하지 못하였다. 정제된 지렁이 TSA 단백질은 SAS-PAGE에 의해 51-kDa임을 밝혔고, 기존에 알려진 TSA protein과 분자량이 다른 TSA Family로써 활성 산소종에 의한 산화적 손상을 방어하는 향산화 효소로써의 중요한 생화학적 역할을 수행함을 제시하였다.
Czochralski법으로 성장된 대구경(8인치 이상) 규소 단결정속에 폰재하는 결정 결 함을 규명하였다. Ring형 산화 적충 결함(Oxidation Induced Stacking Faults, 일명 OISF)의 발생 형태를 조사하였다. Minority life time을 mappmg하여 본 결과, rmg형 OISF의 폰재는 재료의 전기적 성질에 영향을 미칠 가능성이 높은 것으로 확인되었다. OISF의 핵 생성에 미치는 냉각 속도의 영향을 조사한 결과 homogeneous적 핵 생성 및 성장 현상을 확인할 수 있었다. 또한 COP(Crystal Originated Particle)의 주원인인 FPD(Flow Pattern Defects)의 발생은 용 체의 응고 속도에 크게 화우됨을 발견하였다. 이들 결함의 상반된 발생 현상의 제어를 위하여 는 인상 속도는 느리게, 또한 $950^{\circ}C$ 근처에서의 냉각속도는 빠르게 하는 것이 바람직한 것으로 결함 발생 제어 모델이 제시되었다.
Gurumoorthy, P.;Ravichandran, J.;Karthikeyan, N.;Palani, P.;Rahiman, A. Kalilur
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제33권7호
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pp.2279-2286
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2012
The template synthesis of copper(II) and nickel(II) complexes derived from 2,6-diformyl-4-methylphenol with diethylenetriamine or 1,2-bis(3-aminopropylamino)ethane produce the 12-membered $N_3O$ and 17-membered $N_4O$ macrocyclic complexes, respectively. The geometry of the complexes has been determined with the help of electronic and EPR spectroscopic values and found to be five coordinated square pyramidal and, six coordinated distorted tetragonal for 12-membered and 17-membered macrocyclic complexes, respectively. Electrochemical studies of the mononuclear $N_3O$ and $N_4O$ copper(II) complexes show one irreversible oneelectron reduction wave at $E_{pc}=-1.35$ and -1.15 V respectively, and the corresponding nickel(II) complexes show irreversible one-electron reduction wave at $E_{pc}=-1.25$ and -1.22 V, respectively. The nickel(II) complexes show irreversible one-electron oxidation wave at $E_{pa}=+0.84$ and +0.82 V, respectively. All the complexes were evaluated for in vitro antimicrobial activity against the human pathogenic bacteria and fungi.
Poly(anthranilic acid) was synthesized by rapid mixing method using 5-sulphosalicylic acid as a dopant. The synthesized polymer was characterized by various techniques like FT-IR, UV-Visible, and X-ray diffraction $etc.$, The FT-IR studies reveal that the 5-sulphosalicylic acid is well doped within the polymer. The morphological property was characterized by field emission scanning electron microscopic technique. The electrochemical properties of the polymer were studied by cyclic voltammetric method. The synthesized polymer was used to modify glassy carbon electrode (GCE) and the modified electrode was found to exhibit electrocatalytic activity for the oxidation of uric acid (UA).
Biosensor based on rugate PSi interferometer for the detection of avidin has been described. Rugate PSi fabricated by applying a computer-generated pseudo-sinusoidal current waveform has been prepared for the application as a label-free biosensor based on porous silicon interferometer. The fabrication, optical characterization, and surface derivatization of a rugate PSi has been described. The method to fabricate biotinderivatized rugate PSi has been investigated. The surface and cross sectional morphology of rugate PSi are obtained with SEM. FT-IR spectroscopy is used to characterize the oxidation and functionalization reaction of rugate PSi sample. Binding of the avidin into the biotin-derivatized rugate PSi induces a change in refractive index. A red-shift of reflectivity by 18 nm in the reflectivity spectrum is observed, when the biotin-modified rugate PSi was exposed to a flow of avidin.
The characteristics of selective oxidation prior to hot-dip galvanizing with the annealing atmosphere dew point and chemical composition in dual-phase steels and their effect on the inhibition layer formation relevant to coating adhesion have been studied using a combination of electron microscopic and surface analytical techniques. The annealed and also galvanized samples of 3 kinds of Si/Mn ratios with varied amounts of Si addition were prepared by galvanizing simulator. The dew point was controlled at soaking temperature $800^{\circ}C$ in 15%$H_2$ -85%$N_2$ atmosphere. It was shown that good adhesion factors were mainly uniformity of oxide particle distribution of low number density and low Si/Mn ratio prior to hot-dip galvanizing. Their effect was the greatly reduced coating bare spots and the formation of uniform inhibition layer leading to good adhesion of Zn overlay. The mechanism of good adhesion is suggested by two processes: the formation of inhibition layer on the oxide free surface uncovered with no $SiO_2$-containing particles in particular, and the inhibition layer bridging of oxide particles. The growth of inhibition layer was enhanced markedly by the delayed reaction of Fe and Al with the increase of Si/Mn ratio.
Ultrafine ${\beta}$-SiC powders were synthesized by the vapor phase reaction of TMS[Si(CH3)4] in hydrogen The reaction temperature and TMS concentration were varied from 1000 to 1400$^{\circ}C$ and from 1 to 10% respectively. The average particle size and phase of the powders were analyzed by TEM and XRD. Ultrafine ${\beta}$-SiC powders were synthesized above 1000$^{\circ}C$ and the crystallinity of the powders increased with increasing reaction temperature. Shape of the particles were spherical and had average size of about 20 nm which showed no difference as the reaction temperature and TMS concentration increased. From the FT-IR analysis the absorption bands of Si-C of the powders shifted to higher wavenumber as the reaction temperature increased,. Under the condition of total gas flow above 1500cc/min ${\beta}$-SiC and poly-Si powders were obtained simultaneously. The Si-O bond intensity was increased under the condition of total gas flow rate above 1000cc/min which might be due to oxidation formed on poly-Si.
A present semiconductor cleaning technology is based upon RCA cleaning technology which consumes vast amounts of chemicals and ultra pure water(UPW) and is the high temperature Process. Therefore, this technology gives rise to the many environmental issues, and some alternatives such as functional water cleaning are being studied. The electrolyzed water was generated by an electrolysis system which consists of anode, cathode, and middle chambers. Oxidative water and reductive water were obtained in anode and cathode chambers, respectively. In case of NH$_4$Cl electrolyte, the oxidation-reduction potential and pH for anode water(AW) and cathode water(CW) were measured to be +1050mV and 4.8, and -750mV and 10.0, respectively. AW and CW were deteriorated after electrolyzed, but maintained their characteristics for more than 40 minutes sufficiently enough for cleaning. Their deterioration was correlated with CO$_2$ concentration changes dissolved from air. It was known that AW was effective for Cu removal, while CW was more effective for Fe removal. The particle distributions after various particle removal processes maintained the same pattern. In this work, RCA consumed about 9$\ell$chemicals, while EW did only 400$m\ell$ HCI electrolyte or 600$m\ell$ NH$_4$Cl electrolyte. It was hence concluded that EW cleaning technology would be very effective for eliminating environment, safety, and health(ESH) issues in the next generation semiconductor manufacturing.
본 연구에서는 scanning probe microscopy(SPM)을 이용하여 국소영역에서 silicon nanocrystal(Si NC)의 전기적 특성을 분석하였다. Si NCs은 압축된 silicon powder를 laser로 분해하는 laser ablation 방식으로 제조되었고, sharpening oxidation 과정을 통하여 Si NC 주변에 oxide shell을 형성시켰다. 이 과정에서 Si NCs은 $10{\sim}50 nm$의 크기와 약 $10^{11}/cm^2$의 밀도로 $SiO_2$층에 증착되었다. SPM의 conducting tip을 통하여 전하는 각각의 Si NC로 주입되게 되고, 이로 인하여 발생하는 SCM image와 dC/dV curve의 변화를 통하여 Si NC에서 전하 거동을 모니터 하였다. 또한 국소영역에서 Si NC의 전기적 특성을 MOS capacitor 구조에서의 C-V 특성과 비교 분석하였다.
M-CeO2 (M : noble metal) catalysts have been widely studied as three-way catalysts and methanol synthesis catalysts. Ceria is thought to play a number of roles in these catalysts. The Ce(IV)/Ce(III) redox pair may store/release gases under oxidizing/reducing conditions, extending the operational window. Additionally, metal-ceria interactions lead to several effects, including the dispersion of the active components and promoting the activation of molecules such as CO or NO. Pd is a promising component to current TWC formulations and behaves particularly well when compared with Pt and Rh-based catalysts for low-temperature oxidation of Co and hydrocarbon. However the effect of Pd-ceria interactions on the physicochemical properties of Pd and the redox properties of Ce is not elucidated yet. In order to know exactly about the metal-ceria interactions, the model study are expecting to give a better environment, resulting in the wide use of the surface science tools. The substrate was Si(100) wafer, on which Ta metal was sputtered as a thickness of 100nm. The CeO2 thin film of 30nm was deposited by using the magnetron sputtering. Spin coating and magnetron sputtering methods were used to make the Pd thin film layer. The prepared sample was investigated by in-situ XPS, AES, SEM and AFM analysis.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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