Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 2005.07c
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- Pages.1900-1902
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- 2005
Characterization of Electrical Properties of Si Nanocrystals Embedded in a $SiO_2$ Layer by Scanning Probe Microscopy
SPM (Scanning Probe Microscopy)을 이용한 $SiO_2$ layer에서의 실리콘 나노 크리스탈의 전기적 특성 분석
- Kim, Jung-Min (Dept. of Electrical Eng., Myongji University) ;
- Her, Hyun-Jung (Dept. of Electrical Eng., Myongji University) ;
- Son, J.M. (Dept. of Physics, Myongji University) ;
- Lee, Eun-Hye (Material Lab, Samsung Advanced Institute of Technology) ;
- Khang, Yoon-Ho (Material Lab, Samsung Advanced Institute of Technology) ;
- Kang, Chi-Jung (Dept. of Physics, Myongji University) ;
- Kim, Yong-Sang (Dept. of Electrical Eng., Myongji University)
- 김정민 (명지대학교 전기공학과) ;
- 허현정 (명지대학교 전기공학과) ;
- 손정민 (명지대학교 물리학과) ;
- 이은혜 (삼성종합기술원) ;
- 강윤호 (삼성종합기술원) ;
- 강치중 (명지대학교 물리학과) ;
- 김용상 (명지대학교 전기공학과)
- Published : 2005.07.18
Abstract
본 연구에서는 scanning probe microscopy(SPM)을 이용하여 국소영역에서 silicon nanocrystal(Si NC)의 전기적 특성을 분석하였다. Si NCs은 압축된 silicon powder를 laser로 분해하는 laser ablation 방식으로 제조되었고, sharpening oxidation 과정을 통하여 Si NC 주변에 oxide shell을 형성시켰다. 이 과정에서 Si NCs은
Keywords