• 제목/요약/키워드: oscillator phase noise

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결합 마이크로스트립 라인을 이용한 전압제어 발진기의 동조전압에 따른 위상잡음 특성 개선 (Improvement of Phase Noise Characteristics for Tuning Voltage in Voltage Controlled Oscillator using Coupled Microstrip Lines)

  • 류근관;신동환;염인복;김성찬
    • 한국통신학회논문지
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    • 제35권5A호
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    • pp.513-518
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    • 2010
  • 전압제어 발진기의 위상잡음 특성을 개선하기 위해 결합 마이크로스트립라인을 이용하여 공진주파수를 동조하는 변형된 구조의 주파수 동조회로를 제안한다. 위상잡음 특성이 개선됨을 실험적으로 입증하기 위해 주파수 동조회로를 제외하면 같은 구조를 갖는 2개의 9.8GHz HEMT 전압제어 발진기를 설계 및 제작하였다. 측정결과 결합마이크로스트립라인의 주파수 동조회로를 갖는 제안된 구조의 전압제어 발진기가 일반적인 전압제어 발진기에 비해 100KHz 오프셋 지점에서 8dBc/Hz 이상의 위상잡음 특성 개선효과를 나타내었다.

An InGaP/GaAs HBT Monolithic VCDRO with Wide Tuning Range and Low Phase Noise

  • Lee Jae-Young;Shrestha Bhanu;Lee Jeiyoung;Kennedy Gary P.;Kim Nam-Young
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제5권1호
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    • pp.8-13
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    • 2005
  • The InGaP/GaAs hetero-junction bipolar transistor(HBT) monolithic voltage-controlled dielectric resonator oscillator(VCDRO) is first demonstrated for a Ku-band low noise block down-converter(LNB) system. The on-chip voltage control oscillator core employing base-collector(B-C) junction diodes is proposed for simpler frequency tuning and easy fabrication instead of the general off-chip varactor diodes. The fabricated VCDRO achieves a high output power of 6.45 to 5.31 dBm and a wide frequency tuning range of ]65 MHz( 1.53 $\%$) with a low phase noise of below -95dBc/Hz at 100 kHz offset and -115 dBc/Hz at ] MHz offset. A]so, the InGaP/GaAs HBT monolithic DRO with the same topology as the proposed VCDRO is fabricated to verify that the intrinsic low l/f noise of the HBT and the high Q of the DR contribute to the low phase noise performance. The fabricated DRO exhibits an output power of 1.33 dBm, and an extremely low phase noise of -109 dBc/Hz at 100 kHz and -131 dBc/Hz at ] MHz offset from the 10.75 GHz oscillation frequency.

이중루프 PLL을 이용한 IMT-2000용 저 위상잡음 주파수 합성기의 설계 및 제작 (A Design and Fabrication of Low Phase Noise Frequency Synthesizer Using Dual Loop PLL)

  • 김광선;최현철
    • 한국통신학회논문지
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    • 제27권2C호
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    • pp.191-200
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    • 2002
  • 본 논문에서는 이중 루프 PLL을 이용한 IMT-2000용 주파수 합성기를 설계 및 제작하였다. 위상잡음 특성을 개선하기 위해서 기준 루프와 두 개의 루프로 나누고 기준루프에는 변형 클램프 형태의 전압제어 발진기와 루프 필터를 최적화 함으로서 위상잡음을 개선하고 메인 루프에는 동축형 유전체 공진기를 사용한 전압제어 발진기와 위상 검출기로 SPD(Sampling Phase Detector)를 사용함으로서 분주기의 사용을 없애고 개루프 이득을 크게 함으로서 위상잡음 특성을 개선하였다. 이렇게 제작된 주파수 합성기는 1.81GHz의 중심주파수에 가변범위는 158.5MHz이고 위상잡음은 100kHz offset에서 -120..66dB로 우수한 특성을 나타내었다.

이중루프 PLL을 이용한 IMT-2000용 저위상잡음 주파수합성기의 설계 및 제작 (Design and Fabrication of Low Phase-Noise Frequency Synthesizer using Dual Loop PLL for IMT-2000)

  • 김광선;최현철
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1999년도 추계종합학술대회 논문집
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    • pp.163-166
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    • 1999
  • In this paper, frequency synthesizer that can be used in IMT-2000 was designed and fabricated using dual loop PLL(Phase Locked Loop). For improving phase noise characteristic Voltage Controlled Oscillator was fabricated using coaxial resonator and eliminated frequency divider using SPD as phase detector and increased open loop gain. Fabricated frequency synthesizer had 1.82㎓ center frequency, 160MHz tuning range and -119.73㏈c/Hz low phase noise characteristic.

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저전압용 전압제어발진기의 설계 (Design of the Voltage Controlled Oscillator for Low Voltage)

  • 이종인;정동수;정학기;윤영남;이상영
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제16권11호
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    • pp.2480-2486
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    • 2012
  • 본 논문에서는 WCDMA(Wide Code Division Multiple Access) 시스템 사양을 만족시키는 주파수 합성기 블록 중 위상잡음 및 전력소모의 최적 설계가 필요한 저전압 LC-VCO (voltage controlled oscillator)의 설계를 제안 하였다. 최적 설계를 위해 LC-tank의 손실성분을 보상하는 MOS트랜지스터의 전달컨덕턴스와 인덕턴스 평면에 여유이득 라인과 튜닝 범위 라인을 그어 설계 가능한 영역 내에서 위상잡음이 최소가 되는 파라미터 값을 구하였다. 모의실험 결과 위상잡음 특성은 1MHz옵셋에서 -113dBc/Hz였다. 최적 설계된 LC-VCO는 0.25um CMOS 공정을 이용하여 제작되었다. 칩 측정결과 LC-VCO의 위상잡음 특성은 1MHz 옵셋에서 -116dBc/Hz였다. 전력소모는 15mW였으며, Kvco는 370MHz/V였다.

Metamaterial 공진기를 이용한 레이더 송. 수신기용 X-대역 고출력. 저위상 잡음 Push-Push 발진기 (X-band Low Phase Noise Push-Push Oscillator Using Metamaterial Resonator)

  • 김양현;서철헌;하성재;이복형
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제46권12호
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    • pp.1-5
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    • 2009
  • 본 논문은 X-대역에서 높은 Q값을 이용하여 위상 잡음을 줄이기 위하여 metamaterial 공진기를 이용한 Push-Push 발진기를 제안하였다. Metamaterial 공진기는 큰 결합 계수 값을 갖는데, 이는 Q값을 크게 만들고, 발진기의 위상 잡음을 줄일 수 있었다. 1.8 V의 공급 전압을 사용한 Push-Push 발진기는 12 GHz의 주파수 범위에서 -117 dBc/HB @ 100 kHz의 위상 잡음 특성을 가지며 metamaterial 공진기와 일반적인 나선형 공진기를 비교 했을 때, 개선된 Q값 특성은 -29.7 dB와 -47.5 dB이다. 제작된 metamaterial 공진기를 이용한 Push-Push 발진기는 X-대역에서 발진기로 이용될 수 있음을 확인 하였다.

Metamatrial Resonator를 이용한 K-Band 저위상 잡음 Push Push OSC 설계 (K-Band Low Phase Noise Push Push OSC Using Metamaterial Resonator)

  • 심우석;이종민;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제49권2호
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    • pp.67-71
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    • 2012
  • 본 논문은 K-band에서 위상잡음과 출력파워를 향상시키기 위하여 메타 구조로 높은 Q값을 갖는 이중 H자 형태의 메타전자파구조의 공진기를 적용한 Push-Push 구조의 발진기를 제안하였다. 제안된 발진기는 낮은 위상잡음과 높은 출력 전압을 보여준다. 특히 이중 H자 형태의 메타 전자파구조(DHM)는 전기장의 커플링을 강하게 하여 발진 주파수에서 높은 Q 값을 갖도록 설계되었다. 또한 2개의 발진기를 Push-Push 구조로 결합시킴으로 출력 전력을 개선하였다. 실험결과 20.20 GHz에서 3.1 dBm의 출력을 나타내었고, 중심주파수 억압특성은 -23.7 dBc, 위상잡음은 -116.28 dBc @ 100kHz의 특성을 보였다.

The Tripler Differential MMIC Voltage Controlled Oscillator Using an InGaP/GaAs HBT Process for Ku-band Application

  • Yoo Hee-Yong;Lee Rok-Hee;Shrestha Bhanu;Kennedy Gary P.;Park Chan-Hyeong;Kim Nam-Young
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제6권2호
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    • pp.92-97
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    • 2006
  • In this paper, a fully integrated Ku-band tripler differential MMIC voltage controlled oscillator(VCO), which consists of a differential VCO core and two triplers, is developed using high linearity InGaP/GaAs HBT technology. The VCO core generates an oscillation frequency of 3.583 GHz, an output power of 3.65 dBm, and a phase noise of -96.7 dBc/Hz at 100 kHz offset with a current consumption of 30 mA at a supply voltage of 2.9 V. The tripler shows excellent side band rejection of 23 dBc at 3 V and 12 mA. The tripler differential MMIC VCO produces an oscillation frequency of 10.75 GHz, an output power of -13 dBm and a phase noise of -89.35 dBc/Hz at 100 kHz offset.

기판 집적형 도파관(SIW)과 Complementary Split Ring Resonator(CSRR)로 구현한 저위상 잡음 발진기 설계 (Low-Phase Noise Oscillator Using Substrate Integrated Waveguide and Complementary Split Ring Resonator)

  • 박우영;임성준
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제23권4호
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    • pp.468-474
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    • 2012
  • 본 논문은 기판 직접형 도파관(SIW)에 complementary split ring resonator(CSRR)이 탑재된 저위상 잡음 발진기를 제안한다. SIW 캐비티의 unloaded Q-factor는 CSRR을 삽입하여 높아졌고, 그 값은 1960을 나타내고 있다. 높은 Q-factor를 나타내는 SIW 캐비티 공진기에 대한 이론적인 분석과 설계 과정이 제시되어 있으며, 설계된 회로가 11.3 dBm의 출력 파워와 1-MHz 오프셋에서 -127.9 dBc/Hz의 위상 잡음을 갖는 9.3 GHz의 신호를 발생시킴을 실험적으로 보여주고 있다.

위상잡음 특성을 개선한 DSRC용 운전체 공진 발진기 (A Dielectric Resonator Oscillator for DSRC with Improved Phase Noise Characteristic)

  • 이영준;김현진;홍의석
    • 한국ITS학회 논문지
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    • 제1권1호
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    • pp.1-9
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    • 2002
  • 본 논문에서는 높은 안정도를 가지는 DSRC(Dedicated Short Range Communication)용 유전체 공진 발진기 (DRO : Dielectric Resonator Oscillator)를 설계 및 제작하였다. 제안된 유전체 공진 발진기는 기본 주파수로부터 100kHz 떨어진 곳에서 -109dBc/Hz의 위상잡음 특성을 나타내었다 5.8GHz에서의 출력은 11.53dBm을 나타내었고, 55.33dBc의 2차 고주파 억압 특성을 나타내었다. 이와 같이 위상잡음 특성의 높은 안정성을 갖는 유전체 공진 발진기는 DSRC용 시스템에 응용할 수 있으리라 예측된다.

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