Dinitroethylenediaminepalladium(II), $Pd(C_2H_8N_2)\;(NO_2)_2$의 결정구조는 a=7.425(3), b=8.480(4), c=11.885(2)${\AA}$, 사방정계(Orthorhombic), 공간군 $A2_1ma$, 공간군 번호 36이며, Z=4, V=748.3(4)${\AA}^3,\;D_c=2.295\;gcm^{-3},\;{\mu}=2.457mm^{-1}$이었다. 구조분석은 중금속법으로 풀었으며, 최소 자승법으로 정밀화하였고, 최종 신뢰도 값들은 377개의 회절반점에 대하여 $(R_1=0.0306,\;R_w=0.0802,\;R_{all}=0.0320,\;S=1.166)$이었다. 최종 분석한 착염의 결합거리와 각들은 기존에 알려진 해당 자료들에 상응하였다. 착염의 구조는 Reiset's salt type 유사체와 같은 일차원 구조로써 c축을 따라서, Pd-Pd 거리가 3.762(2) $(\AA)$이고, 각 $161.41(5)^{\circ}$인 지그재그 사슬구조를 형성하고 있다. 사슬내에서나 사슬간에는 질소와 산소사이에 각각 3.05(1)과 3.15(1) ${\AA}$인 수소결합으로 연결되어 있다.
An epitaxial NiSi structure on Si (001) substrate was studied by using density functional theory (DFT). Orhorhombic and B2-NiSi structures were compared first. B2 structure was further considered as it has same crystal structure as Si and the lattice mismatch between B2 and Si is small, compared to orthorhombic-NiSi. The lattice parameters of x- and y-direction in B2-NiSi structure were modified to match with those in Si (001). The size reduction of the lattice parameter of B2-NiSi to match with that of Si increased the lattice parameter of z-direction by 10.5%. Therefore, we propose that an optimum structure of NiSi for epitaxial growth on Si (001) is a tetragonal structure.
Ethylenediammonium chromate, $C_2H_{10}N_2{\cdot}CrO_4$ 결정구조는 a=6.667(2), b=8.845(2), c=11.827(2) ${\AA}$, 사방정계(Orthorhombic), 공간군 $P2_12_12_1$, 공간군 번호 19이며, Z=4, V=697.4(3) ${\AA}{^3},\;Dc=1.696gcm^{-3},\;{\mu}=1.594mm^{-1}$이었다. 구조분석은 중금속법으로 풀었으며, 최소 자승법으로 정밀화하였고, 최종 신뢰도 값들은 1204개의 회절반점에 대하여 $R_1=0.0254,\;R_w=0.070,\;R_{all}=0.0255$, S=1.133이었다. 두가지 이온들의 자료들은 기존 유사물질들의 자료에 상응하였으며, Ethylenediammonium 이온은 trans 구조로써 주위의 음이온과 사이에 많은 수소결합으로 연결되어 있다.
유기금속 화합물 $(C_{16}H_{21}B_{10}BrOSn)$를 o-carborane으로부터 출발하여 closo-1-[(methoxyl) methyl]-o-carborane$(HCab^o)$를 합성하고, $SnMe_2Br_2$을 가하여 합성하였다. X-선 회절법을 이용하여 $(C_{16}H_{21}B_{10}BrOSn)$ 화합물의 분자구조를 규명하였다. 이 화합물의 결정학적 자료는 orthorhombic, space group Pna2, a =17.9292(15)$\AA$, b= 7.2066(4)$\AA$, c=13.0582(10)$\AA$, Z=4, V=1687.2(2)$\AA^3$이다. 결정 구조는 직접법으로 해석하였으며, 1724개의 회절 반점에 대하여 최종 신뢰도 인자 R=0.0574인 분자 모형을 구하였다.
피부의 장벽 구조는 표피의 각질 형성세포의 분화과정에 의해서 생성된다. 이 구조는 케라틴 단백질로 구성되는 각질세포와 그 사이를 채우고 있는 세포간 지질로 구성된다. 이때 표피의 기저층의 세포의 막을 이루던 인지질 등의 성분은 분해되어 없어지고, 세라마이드 등이 성분이 신규로 합성되어 각질층의 세포간 지질을 구성한다. 본 연구에서는 피부 장벽의 세포간 지질 구조의 패킹과 장벽기능에 진세노사이드 Rg3성분이 미치는 영향을 확인하였다. 이를 위해 3D피부 세포의 분화과정에 Rg3성분을 처리하였다. 3D피부를 대상으로 FT-IR 및 TEWL를 분석한 결과, 각질 세포간 지질의 orthorhombic패킹이 강화되고 장벽기능이 강화되는 것을 확인하였다. 또한 HaCaT세포에 Rg3를 처리한 경우, 긴 체인 길이의 지질을 합성하는 EVOL1 및 EVOL4의 발현 증가와 짧은 길이의 세라마이드의 합성을 당하는 CERS6의 감소 그리고 피토스핑고신을 사용하는 세라마이드를 분해시키는 ACER6의 증가를 검출하였다. 이를 통해 Rg3가 표피 분화 과정 중 지질의 합성에 영향을 주어 장벽 기능 변화를 가져올 가능성을 제시하였다.
Melt textured YBCO superconductors were fabricated by the top seeding method using Sml.8($Sm_{1.8}$$Ba_{2.4}$$Cu_{3.4}$$O_{7-Y}$) seed. We investigated the twin structures using the optical microscope, SEM and TEM. The twin structures formed during the tetragonal to orthorhombic transition which occurred at $450^{\circ}C$ in sample oxygen annealing. The twin structures were clearly observed by SEM due to the chemical etching effects. The lengths of twin structures were increased as the oxygenation heat treatment time increased from 1hr to 10hr. We investigated twin structure by TEM. The twin spaces were considered to be related to the oxygen contents. The results suggested an oxygen diffusion model for the formation of the twin lengths.
The structural changes viewed from the molecular level have been investigated for the isothermal crystallization phenomena of polyethylene (PE) and the solvent-induced crystallization phenomenon of syndiotactic polystyrene (sPS) glassy sample. The data, which were collected by the time-resolved measurements of Fourier-transform infrared spectra, Raman spectra, synchrotron-sourced small-angle X-ray scattering, wide-angle X-ray scattering, and so on, were combined together to extract the detailed structural information in these phase transition phenomena. In the case of PE, the isothermal crystallization from the melt to the orthorhombic form was found to occur via the conformationally-disordered trans chain form, followed by the formation of the lamellar stacking structure of regular orthorhombic-type crystals. In the case of sPS, the amorphous chains in the glassy sample were found to enhance the mobility through the interaction with the injected solvent molecules, which act as a trigger to cause the conformational ordering from the random coil to the regular T$_2$G$_2$-type helical form. The thus created short helical segments were found to grow into longer helices, which gathered together to form the crystallites, as revealed by the organized coupling of the infrared, Raman and X-ray scattering data.
1473 K, 대기압하에서 $Sm_{1-x}Sr_xFe^{3+}{_{1-t}}Fe^{4+}{_t}O_{3-y}$ ($0.00{\leq}x{\leq}1.00$) 페라이트계에 대하여 균일상의 시료를 제조하였다. x값의 증가에 따라 $Fe^{4+}$ 이온의 양이 증가하였으며 결정학적 구조는 orthorhombic에서 cubic으로 변화함을 알 수 있었다. $Fe^{4+}$ 이온의 증가에따라 일정온도에서의 전기전도도는 급격히 증가하며, 활성화에너지는 감소한다. x=0.00 시료의$M{\ddot{o}}ssbauer$ spectrum은 six-line 형태를 보이며 팔면체 자리에 $Fe^{3+}$ 이온이 존재함을 확인시켜 주었다.
The microwave dielectric properties of (I-x)CaTiO$_{3}$-xLaAIO$_{3}$ were investigated. The solid solution of (1-x)CaTiO$_{3}$-xLaAIO$_{3}$ had the perovskite structure in the range of all compositions. The crystal system of (1-x)CaTiO$_{3}$-xLaAIO$_{3}$ was transformed to orthorhombic(x.leq.0.4), psudo-cubic(x=0.5), and rhombohedral (x.geq.0.7) in turn, as the amount of LaAIO$_{3}$ increased. The dielectric constant and temperature coefficient of resonant frequency of solid solution were decreased with the content of LaAIO$_{3}$, whereas, the value of Q . f$_{o}$ was increased. The microwave dielectric material having Q . f$_{o}$ = 32, 500, .epsilon.$_{r}$ = 42, and .tau.$_{f}$ = 5 ppm/.deg. C was obtained from the 0.35CaTiO$_{3}$-0.65LaAIO$_{3}$ composition sintered at 1600.deg. C for 4hrs.hrs.hrs.
Tetragonal-NiSi (010)/Si superstructures were calculated for studying the interface structure using density functional theory, The orthorhombic-NiSi was changed to the tetragonal-NiSi to be matched with the Si surface for epitaxy interface. The eight interface models were produced by the type of the Si surfaces, The tetragonal-NiSi (010)/Si (020)[00-1] superstructure was energetically the most favorable, and the interface thickness of this superstructure was the shortest among the tetragonal-NiSi (010)/Si superstructures. However, in the case of tetragonal-NiSi (010)/Si (010)[00-1] superstructure, it was energetically the most unfavorable, and the interface thickness was the longest. The energies and interface thicknesses of tetragonal-NiSi (010)/Si superstructures were influenced by the coordination number of Ni atoms and the bond length between atoms located at the interface.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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