• 제목/요약/키워드: orthorhombic phase

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혼합원자가 $La_{1-x}Ca_xFeO_{3-y}$의 비화학양론에 관한 연구 (Nonstoichiometric Studies of the Mixed Valency $La_{1-x}Ca_xFeO_{3-y}$)

  • 여철현;편웅범;이은석;이성주
    • 대한화학회지
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    • 제32권1호
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    • pp.9-14
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    • 1988
  • $La_{1-x}Ca_xFeO_{3-y}$ 계의 perovskite 형의 화합물은 La_2O_3,\;CaCO_3$, 및 Fe(NO-3)_3{\cdot}9H_2O$의 정량적 혼합물은 1100$^{\circ}C$에서 24시간 동안 가열하여 제조하였다. 이 고용체의 결정구조는 모든 조성에서 사방정계였다. X-선 회절분석과 Mohr 염 분석을 통하여 y값이 증가하면 공위배열에 의한 상전이가 일어나며 격자체적은 x값이 증가함에 따라 감소한다는 것을 확인하였다. 비화학양론적 조성 y는 0.0에서 0.5사이의 값을 나타내었다. Mossbauer 분광분석을 298K에서 수행하여 x = 0.75 조성이 높은 닐온도를 갖는다는 것을 확인하였다. 시료의 전기전도도는 $-100{\sim}100^{\circ}C$ 온도범위에서 측정하였다. 활성화 에너지로부터 공위 배열에 기인한 열린 통로를 갖고 있는 시료들은 이온성 전기전도에 의한 기여가 어느 정도 존재하는 것으로 밝혀졌다.

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(1-x)Mg4Ta2O9-xTiO2(x=0\sim0.9)세라믹스의 미세구조와 마이크로파 유전 특성 (Microstructure and Microwave Dielectric Properties of (1-x)Mg4Ta2O9-xTiO2(x=0\sim0.9) Ceramics)

  • 김재식;최의선;이문기;류기원;이영희
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제17권8호
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    • pp.840-845
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    • 2004
  • The microstructure and microwave dielectric properties of $(1-x){Mg}_4{Ta}_2{O}_9-xTi{O}_2(x=0\sim0.9)$ ceramics were investigated. The specimens were prepared by the conventional mixed oxide method with sintering temperature of 140$0^{\circ}C$∼150$0^{\circ}C$. To improve the quality factor and the temperature coefficient of resonant frequency,$ Ti{O}_2(\varepsilon\Gamma=100, Q\times f_\Gamma=40,000 GHz,\ta_f= +450 ppm\diagup^{\circ}C $ was added in ${Mg}_4{Ta}_2{O}_9$ceramics. The dielectric and structural properties were investigated. According to the XRD patterns, $(1-x){Mg}_4{Ta}_2{O}_9-xTi{O}_2(x=0\sim0.9)$ ceramics had the ${Mg}_4{Ta}_2{O}_9$ phase(hexagonal) and ${MgTi}_2{O}_5$phase(orthorhombic). The dielectric constant($\varepsilon_r$). quality($Qtimes{f}_r$${\tau}_f$) of the $(1-x){Mg}_4{Ta}_2{O}_9-xTi{O}_2(x=0\sim0.9)$ ceramics were 8.12∼18.59, 18,750∼186,410 GHz and -36.02∼+3.46 ppm/$^{\circ}C$, respectively.

Preparation of Gas Sensors with Nanostructured SnO2 Thick Films with Different Pd Doping Concetrations by an Ink Dropping Method

  • Yoon, Hee Soo;Kim, Jun Hyung;Kim, Hyun Jong;Lee, Ho Nyun;Lee, Hee Chul
    • 한국세라믹학회지
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    • 제54권3호
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    • pp.243-248
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    • 2017
  • Pd-doped $SnO_2$ thick film with a pure tetragonal phase was prepared on patterned Pt electrodes by an ink dropping method. Nanostructured $SnO_2$ powder with a diameter of 10 nm was obtained by a modified hydrazine method. Then the ink solution was fabricated by mixing water, glycerol, bicine and the Pd-doped $SnO_2$ powder. When the Pd doping concentration was increased, the grain size of the Pd-doped $SnO_2$ thick film became smaller. However, an agglomerated and extruded surface morphology was observed for the films with Pd addition over 4 wt%. The orthorhombic phase disappeared even at a low Pd doping concentration and a PdO peak was obtained for a high Pd doping concentration. The crack-free Pd-doped $SnO_2$ thick films were able to successfully fill the $30{\mu}m$ gap of the patterned Pt electrodes by the optimized ink dropping method. The prepared 3 wt% Pd-doped $SnO_2$ thick films showed monoxide gas responses ($R_{air}/R_{CO}$) of 4.0 and 35.6 for 100 and 5000 ppm, respectively.

Microwave Dielectric Properties of (${Pb_{0.2}}{Ca_{0.8}}$)[$({Ca_{1/3}}{Nb_{2/3}})_{1-x}{Ti_x}$$O_3$ 세라믹스의 마이크로파 유전특성 (Microwave Dielectric Properties of (${Pb_{0.2}}{Ca_{0.8}}$)[$({Ca_{1/3}}{Nb_{2/3}})_{1-x}{Ti_x}$]$O_3$ Ceramics)

  • 김응수;김용현;김준철;방규석
    • 한국재료학회지
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    • 제11권8호
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    • pp.708-712
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    • 2001
  • ($Pb_{0.2}$$Ca_{0.8}$ )[($Ca_{1}$3$Nb_{2}$3/)$_{1-x}$ $Ti_{x}$ ]O$_{3}$ 세라믹스의 $^{4+}$ 치환량 변화에 따른 마이크로파 유전특성을 고찰하였다. $Ti^{4+}$ 치환량이 증가함에 따라 x=0.05부터 x=0.15까지의 조성범위에서는 단일상의 페롭스카이트상을 얻을 수 있었으며, x=0.2이상에서는 $Ti_2$$CaNb_2$$O_{6}$ 가 제 2상으로 존재하였고, 결정구조는 x=0.05에서 사방정(orthorhombic) 구조가 x=0.35에서 이방정(cubic) 구조로 전이하였다. 유전상수(K)는 $Ti^{4+}$ 치환량의 증가에 따라 rattling 효과의 증가로 인하여 증가되었으며, B-자리 양이온의 평균이온반겨의 세제곱의 반비례하였다. 그러나 결정립 크기의 감소와 제 2상의 존재로 인하여 Qf값은 감소하였다. $Ti^{4+}$ 치환량이 증가됨에 따리 tolerance factor(t)와 B-자리 결합원자가의 영향으로 공진주파수의 온도계수(TCF)는 -27.36ppm/$^{\circ}C$값으로부터 +18ppm/$^{\circ}C$r값으로 조절되었다. $1350^{\circ}C$d서 3시간 소결한 ($Pb_{0.2}$ $Ca_{0.8}$ )[(Ca$_{1}$3$Nb_{2}$3)$_{1-x}$ /$Ti_{x}$]$O_{3}$ 시편에서 K=51.67, Qf=7268(GHz), TCF=0 ppm/$^{\circ}C$의 우수한 특성을 얻을 수 있었다.

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PIB(Particle In Binder) 방법으로 제조된 산화납의 특이상전이에 따른 전기적 특성 평가 (The electrical properties study with specific of phase transition of Lead Monoxide by PIB(Particle In Binder))

  • 김성현;김영빈;정숙희;김민우;오경민;박지군
    • 한국방사선학회논문지
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    • 제2권3호
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    • pp.19-25
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    • 2008
  • 현재 기존의 아날로그 형태의 필름/스크린 방식은 영상 저장 및 전송 등의 문제점이 대두되면서, X선에 반응하여 전하 캐리어를 생성시키는 광도전체 물질을 사용하는 직접 방식의 디지털 방사선 검출기로의 연구가 활발히 이루어지고 있다. 본 논문에서는 광도전체 물질인 Lead Oxide와 기존에 많이 연구가 진행 되었던 Lead(II) Oxide를 PIB(Particle In Binder) 방식으로 각각 제작하여 그 전기적 특성을 비교 평가하고자 하였다. 기존의 논문 중 물질의 입체각에 관한 논문에 따르면 정방계의 물질이 사방정계의 물질보다 좋은 특성을 보인다는 것을 기반으로 하여 PbO가 정방계의 ${\alpha}$-PbO와 사방정계의 ${\beta}$-PbO를 비교하였다. 정방계의 ${\alpha}$-PbO와 ${\beta}$-PbO를 PVB(Poly Vinyl Butyral)를 이용한 바인더를 사용하여 PIB(Particle In Binder) 방법으로 제조된 각 시편의 민감도(X-ray sensitivity), 누설전류(Leakage current) 및 SNR(Signal to Noise Rate)와 같은 전기적 특성을 실험을 통해 확인 비교한 것이다. 그리고 시편의 물리적인 특성을 보기 위한 기본적인 SEM(Scanning Electron Microscope) 사진을 촬영하였다. 본 논문에서는 완벽한 ${\alpha}$-PbO를 제작하지 못하였으므로 차후 물질을 제작하는 것에 대한 연구가 더 필요할 것으로 사료된다.

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졸-겔 공정에 의한 YMnO3 박막의 전기적 특성 (Electrical Properties of YMnO3 Thin Film by Sol-gel Process)

  • 김응수;김병규;김유택
    • 한국세라믹학회지
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    • 제39권5호
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    • pp.511-516
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    • 2002
  • $Y(NO_3)_3{\cdot}5H_2O$$Mn(CH_3CO_2)_2{\cdot}4H_2O$를 출발물질로 하여 졸-겔(sol-gel)법으로 Si(100) 기판위에 육방정계의 $YMnO_3$ 박막을 제조하였다. $YMnO_3$ 박막의 열처리 온도변화, 가수분해시 가수의 양(Rw)과 촉매제의 첨가에 따른 결정 구조 및 전기적 특성을 조사하였다. $YMnO_3$ 박막의 결정화는 700${\circ}C$부터 시작되었고 완전한 결정화는 800${\circ}C$-1시간 열처리하여 이루어 졌으며, $YMnO_3$ 박막의 가수의 양 Rw=6일때 육방정계 $YMnO_3$상의 c-축 (0001) 우선 배향성을 나타내었고, Rw=1 과 Rw=12인 경우에는 Rw=6인 경우보다 c-축 배향성은 감소하였다. 산성이나 염기성 촉매제 첨가에 따라 $YMnO_3$ 박막의 결정성 및 우선 배향성은 영향을 받아 c-축 우선 배향성은 감소하고 사방정계의 $YMnO_3$ 상을 형성하였다. Rw=6일 때 $YMnO_3$박막은 0.2V인가 전압에서 $1.2{\times}10-8 A/cm^2$으로 우수한 누설 전류 밀도를 나타내었고 누설 전류 밀도는 인가 전압에 따라 크게 변하지 않았다.

Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$ 박막의 제작과 그 특성에 관한 연구 (Preparation of a Bi$_{4}$Ti$_{3}$O$_{12}$ Thin Film and Its Electrical Properties)

  • 강성준;장동훈;민경진;김성진;정양희;윤영섭
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제37권4호
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    • pp.7-14
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    • 2000
  • Bi/sub 4/Ti/sub 3/O/sub 12/ (BIT) 박막을 acetate 계 precursor 를 이용한 sol-gel 법으로 제작한 후, 구조적 및 전기적 특성을 조사하여 NVFRAM (Won-Volatile Ferroelectric RAM)으로의 응용가능성을 조사하였다. DT-TG (Differential Thermal-Thermal Gravimetric) 분석으로 drying 온도와 annealing 온도가 각각 400℃ 와 650℃ 인 BIT 박막의 열처리조건을 확립하였다. Pt/Ta/Sio/sub 2//Si 기판 위에 제작된 BIT 박막은 완전한 orthorhombic perovskite상을 가지며, 입자크기가 약 100nm 이고 표면 거칠기는 약 70.2Å 으로 비교적 치밀한 형상을 나타내었다. 10㎑ 의 주파수에서 비유전률과 유전손실은 각각 176 과 0.038 이었으며, 100 ㎸/cm 의 전기장에서 누설전류밀도는 4.71㎂/㎠ 이었다. ±250㎸/㎝ 에서 이력곡선을 측정한 결과, 잔류분극 (Pr)과 항전계 (Ec)는 각각 5.92μC/㎠ 과 86.3㎸/㎝ 이었다. BIT 박막에 ±5V 의 사각펄스를 인가하여 피로특성을 측정한 결과, 잔류분극은 초기값 5.92μC/㎠ 에서 10/sup 9/회에서는 3.95μC/㎠ 로 약 33% 감소하였다.

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Photoferroelectric 반도체의 광학적 특성 연구 IV. (SbSI:V, SbSeI:V, BiSI:V, BiSeI:V, SbSI:Cr, SbSeI:Cr, BiSI:Cr, BiSeI:Cr, SbSI:Ni, SbSeI:Ni, BiSI:Ni 및 BiSeI:Ni 단결정의 광학적 특성에 관한 연구) (Optical Properties of Photoferroelectic Semiconductors IV.(Optical Properties of SbSI:V, SbSeI:V, BiSI:V, BiSeI:V, SbSI:Cr, SbSeI:Cr, BiSI:Cr, BiSeI:Cr, SbSI:Ni, SbSeI:Ni, BiSI:Ni and BiSeI:Ni Single Crystals))

  • 오석균;현승철;윤상현;김화택;김형곤;최성휴;윤창선;권숙일
    • 한국진공학회지
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    • 제2권2호
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    • pp.236-245
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    • 1993
  • SbSI : V, SbSeI : V, BiSI : V, BiSeI : V, SbSI : Cr, SbSeI : Cr, BiSI : Cr, BiSeI : Cr, SbSI : Ni, SbSeI : Ni, BiSI : Ni, 및 BiSeI : Ni 단결정을 고순도(99.9999%)의 성분원소에 혼합물을 투명석 영관내에 넣고, $1{\times}10^{-6}mmHg$의 진공에서 봉입하여 합성한 ingot를 사용하여, 수직 Bridgman 방법으로 성장시켰다. 성장된 단결정의 구조는 orthorhombic 구조이며, 광학적 energy band gap 구조는 간접전이형 이었고, energy gap의 온도의존성은 상전이에 관계되는 2개의 변곡점이 나타났으며, 연속된 영역에서는 Varshni 방정식을 만족하였다. 첨가한 3d 불순문(V, Cr, Ni)은 모결정의 $T_d$ 대칭을 갖는 주격자점에 +2가 ion으로 위치하며, 이들 ion의 energy 준위간의 전자전이에 의하여 불순물 광흡수 peak가 나타난다.

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LiFe0.9Mn0.1PO4 물질의 결정구조 및 뫼스바우어 분광 연구 (Studies on Crystallographic and Mossbauer Spectra of the LiFe0.9Mn0.1PO4)

  • 권우준;이인규;이찬혁;김삼진;김철성
    • 한국자기학회지
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    • 제22권1호
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    • pp.15-18
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    • 2012
  • Olivine 구조인 $LiFe_{0.9}Mn_{0.1}PO_4$ 분말 시료를 직접합성법(solid state method) 으로 제조하였으며, 결정학적 및 자기적 특성을 x-선 회절(x-ray diffractometer), 초전도 양자 간섭계(superconducting quantum interference devices) 및 뫼스바우어 분광(M$\ddot{o}$ssbauer spectroscopy) 실험을 이용하여 연구하였다. $LiFe_{0.9}Mn_{0.1}PO_4$ 시료의 결정구조는 공간그룹이 Pnma인 orthorhombic 구조임을 Rietveld 정련법으로 분석하였다. $LiFe_{0.9}Mn_{0.1}PO_4$ 시료의 닐온도 (N$\acute{e}$el temperature; $T_N$)는 50 K으로 나타내었고 닐온도에서 자기 상전이가 일어나는 것을 초전도 양자 간섭계 실험을 통하여 확인하였다. Fe(Mn)-O 이온간 거리를 분석하여 $FeO_6(MnO_6)$ 팔면체 구조가 비대칭임을 확인하였고 그 구조로 인하여 강한 결정장에 영향을 받으며, 닐온도 이상에서 자기 2중극자 상호작용은 사라지고, 강한 결정장에 의한 전기 4중극자 작용만이 존재하여 두 개의 흡수선이 나타나는 것을 뫼스바우어 분광 실험을 통하여 분석하였다.

비납계 (Na,K)NbO3-M(Cu,Nb)O3, (M = Ca, Sr, Ba) 압전 세라믹의 비정상 결정 성장 거동 비교 (Comparison of Abnormal Grain Growth Behavior of Lead-Free (Na,K)NbO3-M(Cu,Nb)O3, (M = Ca, Sr, Ba) Piezoelectric Ceramics)

  • 정승운;임지호;정한보;지성엽;최승곤;정대용
    • 한국재료학회지
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    • 제30권7호
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    • pp.343-349
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    • 2020
  • NKN [(Na,K)NbO3] is a candidate lead-free piezoelectric material to replace PZT [Pb(Zr,Ti)O3]. A single crystal has excellent piezoelectric-properties and its properties are dependent of the crystal orientation direction. However, it is hard to fabricate a single crystal with stoichiometrically stable composition due to volatilization of sodium during the growth process. To solve this problem, a solid solution composition is designed (Na,K)NbO3-Ba(Cu,Nb)O3 and solid state grain growth is studied for a sizable single crystal. Ceramic powders of (Na,K)NbO3-M(Cu,Nb)O3 (M = Ca, Sr, Ba) are synthesized and grain growth behavior is investigated for different temperatures and times. Average normal grain sizes of individual specimens, which are heat-treated at 1,125 ℃ for 10 h, are 6.9, 2.8, and 1.6 ㎛ for M = Ca, Sr, and Ba, respectively. Depending on M, the distortion of NKN structure can be altered. XRD results show that (NKN-CaCuN: shrunken orthorhombic; NKN-SrCuN: orthorhombic; NKN-BaCuN: cubic). For the sample heat-treated at 1,125 ℃ for 10 h, the maximum grain sizes of individual specimens are measured as 40, 5, and 4,000 ㎛ for M = Ca, Sr, and Ba, respectively. This abnormal grain size is related to the partial melting temperature (NKN-CaCuN: 960 ℃; NKN-SrCuN: 971 ℃; NKN-BaCuN: 945 ℃).