• Title/Summary/Keyword: optoelectronic

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The effect of NPB morphology on OLEDs optoelectronic characteristics

  • Jiang, Yurong;Xue, Wei
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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    • pp.602-604
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    • 2004
  • NPB surface morphologies deposited on different temperature substrates were investigated using atomic force microscopy(AFM). It has been found that the NPB morphology turned from island morphology at high temperature(100$^{\circ}C$) to grain morphology at room temperature. To characterize the effect of NPB surface morphology, the devices with the structure of Glass/ITO/NPB/$Alq_3$/Al were fabricated using NPB films deposited at different substrate temperature and their performances were compared.

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New Generation Color Filter Technology in TFT-LCD

  • Koo, Horng Show
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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    • pp.408-411
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    • 2004
  • Color filter is a fundamental and necessary component to make a full-color TFT-LCD, its quality intensively influence the performance of TFT-LCD in the application of Notebook Computer, Monitor and Television. Color filter in chromaticity also make an effect for human visual system and video enjoyment. Recently, mother glass size is enlarged for demand of large-size panels and new generation color .filter technology for large-size liquid crystal cell panels is also developed. Here, latest generation color filter technology in TFT-LCD will be discussed.

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Beam-Lead를 이용한 Laser Diode의 제작과 열저항 특성 (Fabrication of Laser Diodes using Beam-Lead and its thermal characteristics)

  • 조성대
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 1990년도 제5회 파동 및 레이저 학술발표회 5th Conference on Waves and lasers 논문집 - 한국광학회
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    • pp.69-72
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    • 1990
  • For the effective heat transfering in Lser Diodes, Beam-Lead structure were introduced which is applicable to hybrid Optoelectronic Integrated Circuits. A 5-layer planar structure Laser Diode is fabricated and Beam-Lead is made by Au plating. And carrier was made by etching Si substrate and LD was mounted on a carrier. The thermal resistance was measured and we could certain that Beam-Lead structure behaves well as a heat sink.

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Optoelectronic OLED Modeling for Device Optimization and Analysis

  • Ruhstaller, Beat;Flatz, Thomas;Moos, Michael;Kiy, Michael;Beierlein, Tilman;Kern, Roland;Winnewisser, Carsten;Pretot, Roger;Chebotareva, Natalia;Schaaf, Paul Van Der
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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    • pp.1099-1102
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    • 2007
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Fabricated SWCNT-PEDOT Hybrid Flim Using by SAW-ED and Their Optoelectronic Properties

  • 조상현;양종원;김진열
    • 한국재료학회:학술대회논문집
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    • 한국재료학회 2011년도 춘계학술발표대회
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    • pp.237.2-237.2
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    • 2011
  • SAW-ED를 이용하는 박막공정 기술을 통하여 나노레벨의 SWCNT 와 PEDOT의 thin film 및 hybrid화된 film구조를 얻을 수 있었다. SWCNT와 전도성고분자와의 hybridization을 통해 균일상의 표면 morphology를 갖는 고전도성 투명 필름을 제작하고, 이들의 전기광학적 성질을 확인하였다. SAW-ED를 이용하는 박막공정 기술은 나노입자 및 나노구조물의 박막화 패턴화를 포함하는 새로운 deposition 기술로서의 응용성을 가지고 있으며, 본 연구에서는 SWCNT와 전도성고분자를 이용하여 이를 확인하였다.

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실리콘 포토닉스 기술 (Silicon Photonics)

  • 박래만;신재헌;허철;김경현;김태엽;성건용;정태형
    • 전자통신동향분석
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    • 제20권5호통권95호
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    • pp.84-92
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    • 2005
  • 실리콘 포토닉스 기술은 차세대 실리콘 기술로서 optoelectronic integrated circuit을 위한 실리콘 기반 광기술에 대한 것이다. 본 고에서는 이러한 실리콘 포토닉스 기술을 이용한 단일 집적화에 있어서 응용과 문제점 및 연구개발 동향에 대해 알아본다. 특히, 세부 기술들에 대한 현재의 기술적 수준을 단일 집적화 측면에서 검토하였으며, 가장 큰 문제점으로 인식되는 실리콘 발광원의 국내외 기술 현황을 살펴보았다.

Advanced crystal growth for the development of new optical materials

  • Fukuda, Tasuguo;Shimamura, Kiyoshi
    • 한국결정성장학회:학술대회논문집
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    • 한국결정성장학회 1996년도 The 9th KACG Technical Annual Meeting and the 3rd Korea-Japan EMGS (Electronic Materials Growth Symposium)
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    • pp.38-74
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    • 1996
  • Recently, the development of new crystal materials for optical applications has become a focus of considerable interest because of the progress of optoelectronic technologies. We have carried out investigations focussing on the development of new optical and electrical materials, by systematic investigations of advanced crystal growth techniques. Here, research and progress in development of new materials and crystal growth techniques is reviewed.

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GaAs 광전집적 회로에 대한 연구 (A Study On Implementation of GaAs Optoelectronic Integrated Circuits)

  • 권영세;홍창희;유회준
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 1990년도 광학 및 양자전자학 워크샵
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    • pp.6-12
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    • 1990
  • GaAs 광전집적회로의 구현을 위해 MBE와 MOCVD system을 이용하여 수직 구조에 알맞는 광소자 및 전자소자를 개발하였으며 이 소자들의 집적화를 시도하였다. 발광소자로서는 Bcllcorc와 공동으로 MBE를 이용하여 표면 방출형 레이저 다이오드 및 array 구조의 연구가 시도 되었고 수직형 전자소자로서는 sclcctive MOCVD를 이용하여 W이 매몰된 VFET 구현하였다. VFET 위에 LED를 집적시켜 출력단의 수직 광전집적회로를 제안하고 제작하였으며 수신단 광전집적회로에서는 PIN 다이오드와 VJFET를 집적화한 광전집적회로가 현재 연구중에 있다.

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