개단 강관말뚝의 경우 일반적으로 말뚝에 작용하는 외부 주면 마찰력뿐만 아니라 설치과정에서 폐색된 흙이 강관 내부에 작용하는 내부 마찰저항이 존재한다. 내·외부 저항에 따라 극한하중의 변화가 예상되며, 말뚝이 시공된 지반이 점성토일 경우 지반 침하로 유발되는 부주면 마찰력에도 영향을 끼칠 것으로 판단된다. 따라서 본 연구에서는 강관말뚝 내·외부 저항 특성에 따른 거동을 수치해석적으로 분석하고자 하며, 지반 침하 발생 전·후의 마찰력 분포, 축력, 침하량을 산정하였다. 해석 결과, 내부 마찰 저항은 외부 마찰 저항보다 적은 영향을 미쳤지만 전체적인 말뚝 거동에 끼치는 영향을 고려하였을 때, 중요한 요소 중 하나이며 설계 시 두 가지 저항요소를 고려할 필요가 있을 것으로 판단된다.
지반위에 놓인 콘크리트 슬래브가 수직 하중을 받을 때 지반의 전단저항과 슬래브 하부와 지반과의 마찰 등에 의해 생기는 슬래브 하부의 수평저항을 고려하여 지반위에 놓인 콘크리트 슬래브의 거동을 분석하였다. 슬래브 하부의 수평 저항을 고려하기 위한 해석 공식을 유도하였고 퓨리에변환을 이용한 변환영역에서 이러한 공식의 해를 구하였다. 또한 판요소와 쉘요소를 이용한 유한요소법에 의한 모델을 개발하여 수치 해석 결과도 도출하였다. 이러한 해석 공식과 수치해석 모델을 이용한 해석 결과를 비교 분석하였고 매우 비슷한 결과가 도출되는 것을 알 수 있었다. 콘크리트 슬래브의 응력 분포에 슬래브 하부의 수평저항이 미치는 민감성을 여러 가지의 다른 슬래브의 두께, 탄성계수, 그리고 지반의 수직탄성계수 등을 고려하여 분석하였다. 해석 결과에서 슬래브 하부의 수평 저항은 슬래브의 응력에 매우 큰 영향을 미칠 수 있다는 것을 발견하였다.
오존$(O_3)$ 처리후 벼 품종의 SOD(Superoxide Dismutase)와 POD(Peroxidase)활성, 기공 저항성의 반응의 차이를 조사하여 내성품종 선발의 기초 자료로 이용하고자 실험을 실시 하였으며, 그 결과는 다음과 같다. 1. SOD활성 조사에서 오존 처리 1시간 후 상남밭벼는 활성이 높아졌고, 백나와 일품벼의 경우 오존 처리 1 시간 후 보다 2 시간 후 활성이 증가하였다. 오존 처리 24시간 후에는 상남밭벼의 활성이 크게 감소하였고, 일품벼는 활성이 증가하는 경향을 보였으며, 한강찰벼는 큰 변화를 보이지 않았다. 2. POD활성 조사에서 오존 처리 1 시간 후에는 한강찰벼, 상남밭벼, 일품벼등이 서로 비숫한 P0D활성을 나타내었지만, 백나는 활성이 매우 낮았고 시간이 지날수록 POD활성은 증가하였다. 오존 처리 24 시간 후의 POD활성은 조사된 품종 모두에서 활성이 90 %이상을 나타냈다. 3. 기공 저항성 조사에서 오존 처리 1 시간 후에는 상남밭벼의 경우 기공 저항성이 감소하는 경향 나타냈다. 오존 처리 24 시간 후의 기공 저항성은 한강찰벼, 상남밭벼, 백나에서 조사 잎 모두 기공 저항성이 감소하였지만, 일품벼에서는 오존 처리 1 시간 후와 비슷한 높은 기공 저항성을 나타냈다.
전기비저항콘은 현장에서 지반의 오염대를 조사하는데 상대적으로 경제적인 비용으로 적용될 수 있다. 그러나, 전기비저항 결과만에 의한 해석은 정량적 데이터베이스의 부족과 함수비 등의 다른 지반공학적 영향인자들에 의해 모호한 결과를 나타낼 수 있다. 본 연구에서는 지반오염조사에서의 전기비저항 측정기법을 보완하기 위하여 정전용량 측정기법을 도입하여 중금속과 유류로 오염된 지반에서의 적용성을 평가하고자 하였다. 함수비와 오염물질의 종류에 따른 전기비저항과 정전용량의 변화를 평가하기 위하여 실내모형시험을 수행하였으며, 그 결과 전기비저항과 유전상수를 통시에 측정하여 분석함으로써 오염대의 감지에 신뢰도를 높일 수 있는 것으로 나타났다. 전기비저항과 정전용량 측정기법은 중금속으로 오염된 포화지반과 지하수대 상부에 존재하는 디젤유 오염층을 감지하는 데 적용성이 높은 것으로 나타났다.
본 연구는 2008년 7월부터 2008년 12월까지 I시 P뇌훈련센타에 정서적 성향이나 학습능력 향상을 위하여 방문한 내담자 48명(실험군 24명, 대조군 24명)의 뇌파를 검사하여 뇌파 조절 훈련 전과 훈련 후의 스트레스저항능력의 변화와 스트레스저항능력이 학업성취도에 미치는 영향을 보고자 하였다. 훈련 전과 후의 스트레스저항능력의 비교는 뇌기능 분석을 통하여 비교하였으며, 학업성취도의 변화를 보기 위하여 5점 척도 설문지를 이용하였다. 연구의 결과로 뇌파 조절 훈련을 적용한 실험군에서 항스트레스지수와 학업성취도에서 유의미한 차이를 보였다. 이는 뇌파 조절 훈련이 초등학생들의 스트레스저항능력을 높여 주었으며 이결과가 학업성취도에 긍정적인 영향을 미쳤다고 본다. 따라서 본 연구 결과는 뇌기능 변화가 학생들의 육체적, 정신적 스트레스나 저항능력 등의 객관적 지표로서 활용될 수 있는 가능성을 제시한 점에서 의의가 있으며, 이에 대한 경험적 증거의 축적을 위한 후속연구가 필요하다고 본다.
본 논문은 삼동선의 선형특성에 대한 간략한 소개와 삼동선의 주선체 좌우에 설치되는 보조 선체의 위치가 조파저항성능에 미치는 영향과 그 최적위치선정을 위한 연구 결과를 보인다. 조파저항 계산기법을 이용하여 보조선체의 길이방향과 횡방향의 위치 변화에 대한 조파저항을 계산하였으며, 그 유용성을 검증하기 위하여 모형시험결과와 함께 비교하였다 본 연구를 통하여 보조선체의 횡방향 위치가 삼동선의 조파저항성능에 미치는 영향은 작으나, 길이방향 위치는 그 성능에 커다란 영향을 미치는 것으로 나타났다. 그리고 주선체의 선수부에서 발생된 커다란 파도의 파저에 보조선체의 선수가 놓이는 것이 저항성능에 가장 유리하며, 선속이 빨라짐에 따라서 그 최적위치는 선미쪽으로 옮겨가는 경향을 보였다.
탄화규소 반도체에 대한 오옴성 금속 접촉 성질을 조사하기 위해 3종류의 금속 (Ni, Co, Cu)을 세척한 탄화규소 반도체 위에 직접 증착하여 전기적 성질을 조사 비교하였다. 이들 금속에 대한 오옴성 성질은 금속종류 뿐만 아니라 열처리조건에 대해서도 크게 좌우됨을 알 수 있었다. 열처리는 급속열처리 장치를 이용한 진공상태 및 환원 분위기에서 2-step 방법으로 시행하였다. 접합비 저항은 TLM 구조를 만들었으며 면저항$(R_s)$, 접촉저항$(R_c)$, 이동거리$(L_T)$, 패드간거리(d), 저항$(R_T)$ 값을 구하면 접합비저항$(\rho_c)$ 값을 구하여 알려진 계산식에 의해 추정하였다. 가장 양호한 결과는 Cu 금속에 의한 접촉 결과이었으며 접합비저항$(\rho_c)$은 $1.2\times10^{-6}{\Omega}cm^2$의 낮은 값을 얻을 수 있었다. 열처리는 진공보다 환원분위기에서 수행한 시편이 양호한 전기적 성질을 가짐을 알 수 있었다.
반도체 웨이퍼 및 각종 박막의 면/비저항(sheet/resistivity resistance)의 측정에 비교적 간단히 측정할 수 있고 측정정확도가 높은 4탐침(four-point probe)방법이 널리 사용되고 있다 또한 4탐침 측정방법은 높은 분해능의 contour map작성과 ion implantation의 doping accuracy 및 doping uniformity의 측정에도 사용된다. 최근 재료의 소형, 박막화 경향으로 볼 때 정확한 비저항 측정의 필요성이 요구되고 있으며 이에 따라 4탐침 측정기술인 single 및 dual configuration method로 실리콘 웨이퍼에 대한 비저항의 측정 정확도를 고찰한 결과 dual configuration 측정방법이 single configuration측정 방법에 비하여 정밀 정확도가 더 좋은 것으로 고찰되었다.
본 논문에서는 MRAS(Model Reference Adaptive System)을 이용한 유도 전동기의 회전자 저항을 추정하는 방법을 제안하였다. 슬립 계산은 회전자 저항 값과 연관되어 있기 때문에, 잘못된 회전자 저항 값 정보는 벡터제어의 동특성을 저하시킬 수 있다. 따라서 회전자 저항 값을 정확히 측정 또는 추정이 매우 중요하다. 본 논문에서는 회전자 자속의 크기 기반의 MRAS를 바탕으로 회전자 자속 전압 모델을 기준 모델로 구성하고 회전자 자속 전류 모델을 적응 모델로 구성하는 방법을 제안하였다. 제안한 방법은 두 모델 사이의 오차 신호를 영으로 수렴하도록 적응 메커니즘을 구성하여 회전자 저항 값을 추정한다. 본 논문에서는 시뮬레이션을 통하여 제안된 방법의 타당성을 검증하였다.
LED Packaging 과정 중 Die bond 재료로 Silver epoxy를 사용하여 Packaging 한 후 T3Ster 장비로 열 저항 값(Rth)을 측정하였다. Silver epoxy 의 접착 두께를 조절하여 열 저항 값을 측정하였고, 열전도도 값이 다른 Silver epoxy를 사용하여 열 저항 값을 측정하였다. Silver epoxy 접착 두께가 충분하여 Chip 전면에 고루 분포되었을 경우 그렇지 않은 경우보다 평균 4.8K/W 낮은 13.23K/W의 열 저항 값을 나타내었고, 열전도도가 높은 Silver epoxy 일수록 열전도도가 낮은 재료보다 평균 4.1K/W 낮은 12K/W의 열 저항 값을 나타내었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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