• 한국방재안전학회논문집
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• 제11권1호
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• pp.1-5
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• 2018

발전소는 선진 산업사회에서의 중요한 사회기반시설이다. 이러한 발전소가 해초, 물고기, 해파리, 새우 등과 같은 해양생물의 유입으로 정지 될 경우, 사회-경제적으로 심각한 문제가 발생하기도 한다. 따라서, 발전소 취수구 유입구 부분의 해양생물 침투로 인한 발전소 가동이 정지되는 것을 방지하기 위하여, 에어버블 차단막 기술이 활용되고 있다. 본 연구에서는 에어버블 차단막 기술의 기초연구인 에어버블의 거동을 분석하기 위하여 수직형 에어버블 실험장치를 개발 및 에어버블수직 거동 특성을 분석하였다. 에어버블 수직 거동 특성을 분석하기 위하여 수직형 에어버블 실험 장치를 이용하여 에어 분사량에 따른 수심별 에어버블의 상승 속도를 측정하였으며, 실험결과를 바탕으로 수심구간별 에어버블 상승속도 경험식을을 제시하였다. 제시된 경험식은 향후 에어버블 차단막 설계의 기초자료로 활용될 것이며, 발전시설 운영 부분에서의 안정성을 확보하는 데 크게 기여할 것으로 기대된다.

• 한국표면공학회지
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• 제49권2호
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• pp.152-158
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• 2016

We investigated the effect of capacitively coupled Ar plasma treatment on contact resistance ($R_c$) and channel sheet resistance ($R_{sh}$) of graphene field effect transistors (FETs), by varying their channel length in the wide range from 200 nm to $50{\mu}m$ which formed the transfer length method (TLM) patterns. When the Ar plasma treatment was performed on the long channel ($10{\sim}50{\mu}m$) graphene FETs for 20 s, $R_c$ decreased from 2.4 to $1.15k{\Omega}{\cdot}{\mu}m$. It is understood that this improvement in $R_c$ is attributed to the formation of $sp^3$ bonds and dangling bonds by the plasma. However, when the channel length of the FETs decreased down to 200 nm, the drain current ($I_d$) decreased upon the plasma treatment because of the significant increase of channel $R_{sh}$ which was attributed to the atomic structural disorder induced by the plasma across the transfer length at the edge of the channel region. This study suggests a practical guideline to reduce $R_c$ using various plasma treatments for the $R_c$ sensitive graphene and other 2D material devices, where $R_c$ is traded off with $R_{sh}$.

• 한국표면공학회지
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• 제49권1호
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• pp.40-45
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• 2016

Recently, $Bi_2Te_3$-based alloys are the best thermoelectric materials near to room temperature, so it has been researched to achieve increased figure of merit(ZT). Ternary compounds such as Bi-Te-Se and Bi-Sb-Te have higher thermoelectric property than binary compound Bi-Te and Sb-Te, respectively. Compared to DC plating method, pulsed electrodeposition is able to control parameters including average current density, and on/off pulse time etc. Thereby the morphology and properties of the films can be improved. In this study, we electrodeposited n-type ternary Cu-doped $Bi_2(Te-Se)_3$ thin film by modified pulse technique at room temperature. To further enhance thermoelectric properties of $Bi_2(Te-Se)_3$ thin film, we optimized Cu doping concentration in $Bi_2(Te-Se)_3$ thin film and correlated it to electrical and thermoelectric properties. Thus, the crystal, electrical, and thermoelectric properties of electrodeposited $Bi_2(Te-Se)_3$ thin film were characterized the XRD, SEM, EDS, Seebeck measurement, and Hall effect measurement, respectively. As a result, the thermoelectric properties of Cu-doped $Bi_2(Te-Se)_3$ thin films were observed that the Seebeck coefficient is $-101.2{\mu}V/K$ and the power factor is $1412.6{\mu}W/mK^2$ at 10 mg of Cu weight. The power factor of Cu-doped $Bi_2(Te-Se)_3$ thin film is 1.4 times higher than undoped $Bi_2(Te-Se)_3$ thin film.

• 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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• 제11권2호
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• pp.180-191
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• 2005

무선 통신 기술의 급속한 발전으로 세계적으로 무선 인터넷 서비스가 점차 확대되고 있고 그중 모바일 전자상거래가 큰 비중을 차지하고 있다. 현재의 모바일 전자 상거래 서비스는 제한적인 컨텐츠와 고가의 과금 시스템, 무선 디바이스 기기의 하드웨어적 제약 등 그것의 활성화를 저해하는 여러 가지문제점을 지니고 있음에도 불구하고 차세대 인터넷 사업으로 기대되고 있다. 본 논문에서는 이러한 기존의 모바일 전자상거래 서비스의 문제점을 정리하고, 이를 개선하기 위한 방안으로 유선 인터넷상의 상품정보를 자동으로 수집하여 모바일 전자상거래용으로 자동 변환하는 기능, 무선 디바이스상에서 오프라인으로 상품 검색 및 주문 등을 가능하게 하는 미들릿 애플리케이션, 개인적응형 상품 추천 기능을 가진 종합적인 해결책을 제안한다. 제안 시스템은 실제로 설계, 구현되어 그 기능과 유효성을 확인하였다

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2003년도 학술회의 논문집 정보 및 제어부문 B
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• pp.414-416
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• 2003

메모리 제품의 사용 환경은 점차적으로 High Speed/High Density화됨에 따라 현 Comp. Test 환경으로 Field 환경을 모두 수용하기가 어려워지고 있다. 따라서, Component Level에서 다양한 실장 System을 이용한 Screen 방법이 요구 되고 있다. 다양한 환경에서 Test를 실시하기 위해서 필수 불가결한 조건은 온도(Temperature)를 자동으로 제어(Control)할 수 있는 기능이 필요하게 되었다. 이에, 현재 사용하고 있는 방법은 Chamber나 히터를 이용하고 있으나 온도 제어가 보다 용이하고 정밀한 기능이 요구됨에 따라 열전반도체(Thermoelectric semiconductor)원리를 이용한 온도 제어 장치 도입을 위한 연구가 진행되었다. 본 논문에서는 그 개발 현황 및 평가 결과를 근거로 신규 Component실장 Tester에 효율적으로 도입 적용 가능함을 제시 하고자 한다. 또한, 향후 기타 Tester 및 산업용 설비 등에 까지 확대적용 가능함으로써 전자부품(메모리)의 품질 향상 및 설비투자 Cost절감 효과가 기대 된다.

• 한방안이비인후피부과학회지
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• 제30권4호
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• pp.97-103
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• 2017

Objectives : To identify whether pattern identification using nasal endoscopy for rhinitis can be applied as a tool for evaluating rhinitis in routine care setting, we performed a inter-rater reliability study on this pattern identification. Methods : Two Korean medicine doctors assessed 290 left/right nasal endoscopy photograph cases of rhinitis patients with pattern identification using nasal endoscopy. This pattern identification consist of four assessment items, nasal membrane color(pale/hyperemia), nasal membrane humidity(dryness/dampness), rhinorrhea(watery/yellow), and turbinate membrane edema(atrophic/edematous). Cohen's kappa statistic and Percentage agreement were used to evaluate the inter-rater reliability. Results : Inter-rater percentage agreement and Kappa coefficient for left nasal endoscopy photograph cases was from 'slight' to 'moderate'(% agreement: 40.00-67.59%/Kappa: 0.06-0.407). Only the agreement of 'rhinorrhea (watery/yellow)' item was moderate(% agreement: 67.59%/Kappa: 0.407). Inter-rater percentage agreement and Kappa coefficient for right nasal endoscopy photograph cases was also from 'slight' to 'moderate'(% agreement: 42.41-68.97%/Kappa: 0.109-0.465). Only the agreement of 'rhinorrhea(watery/yellow)' item was moderate(% agreement: 68.97%/Kappa: 0.465). Conclusions : It is necessary to resolve problems such as cut-off value setting, bipolar evaluation values(pale/hyperemia, dryness/dampness, watery/yellow, atrophic/edematous) and weighting items. Further rigorous studies that overcome the limitations of the current research are warranted.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.206-206
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• 2010

정보화 기술이 급속히 발전함에 따라서 보다 많은 양의 data를 전송, 처리, 저장 하게 되면서 이를 처리 할 수 있는 대용량, 고속, 비휘발성의 차세대 메모리의 개발이 요구 되고 있다. 이 중 저항 변화 메모리(ReRAM)는 일반적으로 전이금속산화물을 이용한 MIM 구조로서 적당한 전기 신호를 가하면 저항이 높아서 전도되지 않는 상태(Off state)에서 저항이 낮아져 전도가 가능한 상태(On state)로 바뀌는 메모리 특성을 가진다. ReRAM은 비휘발성 메모리이며 종래의 비휘발성 기억소자인 Flash memory 보다 access time이 $10^5$배 이상 빠르며, 2~5V 이하의 낮은 전압에서 동작이 가능하다. 또한 구조가 간단하여 공정상의 결함을 현저히 줄일 수 있다는 점 등 많은 장점들이 있어서 Flash memory를 대체할 수 있는 유력한 후보로 여겨지고 있다. 저항 변화의 특징을 잘 나타내는 물질에는 $TiO_2$, $Al_2O_3$, $NiO_2$, $HfO_2$, $ZrO_2$등의 많은 전이금속산화물들이 있다. 본 연구에서는 Reactive DC-magnetron Sputtering 방법과 DC-magnetron sputter를 이용하여 Ti를 증착한 후 Oxidation 방법으로 각각 증착한 $TiO_2$박막을 사용하여 저항변화특성을 관찰하였다. $TiO_2$상부에 Atomic Layer Deposition (ALD)를 이용하여 $HfO_2$ 박막을 증착하여 표면처리를 하고, 또한 $TiO_2$에 다른 전이 금속박막 층을 추가 증착하여 저항변화 특성에 접합한 조건을 찾는 연구를 진행하였다. 하부 전극과 상부 전극 물질로는 Si 100 wafer 위에 Pt 또는 TiN을 사용하였다. 저항변화 특성을 평가하기 위해 Agilent E5270B를 이용하여 current-voltage (I-V)를 측정하였다. X-ray Diffraction (XRD)를 이용하여 증착 된 전기금속 박막 물질의 결정성을 관찰했으며, Atomic Force Microscopy (AFM)을 이용하여 증착 된 샘플의 표면을 관찰했다. SEM과 TEM을 통해서는 sample의 미세구조를 확인 하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.255-255
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• 2010

전하 트랩형 비휘발성 메모리는 10년 이상의 데이터 보존 능력과 빠른 쓰기/지우기 속도가 요구 된다. 그러나 두 가지 특성은 터널 산화막의 두께에 따라 서로 trade off 관계를 갖는다. 즉, 두 가지 특성을 모두 만족 시키면서 scaling down 하기는 매우 힘들다. 이것의 해결책으로 적층된 유전막을 터널 산화막으로 사용하여 쓰기/지우기 속도와 데이터 보존 특성을 만족하는 Tunnel Barrier engineered Memory (TBM)이 있다. TBM은 가운데 장벽은 높고 기판과 전극쪽의 장벽이 낮은 crested barrier type이 있으며, 이와 반대로 가운데 장벽은 낮고 기판과 전극쪽의 장벽이 높은 VARIOT barrier type이 있다. 일반적으로 유전율과 밴드갭(band gap)의 관계는 유전율이 클수록 밴드갭이 작은 특성을 갖는다. 이러한 관계로 인해 일반적으로 crested type의 터널 산화막층은 high-k/low-k/high-k의 물질로 적층되며, VARIOT type은 low-k/high-k/low-k의 물질로 적층된다. 이 형태는 밴드갭이 다른 물질을 적층했을 때 전계에 따라 터널 장벽의 변화가 민감하여 전자의 장벽 투과율이 매우 빠르게 변화하는 특징을 갖는다. 결국 전계에 민감도 향상으로 쓰기/지우기 속도가 향상되며 적층된 유전막의 물리적 두께의 증가로 인해 데이터 보존 특성 또한 향상되는 장점을 갖는다. 본 연구에서는 기존의 TBM과 다른 형태의 staggered tunnel barrier를 제안한다. staggered tunnel barrier는 heterostructure의 에너지 밴드 구조 중 하나로 밴드 line up은 두 밴드들이 같은 방향으로 shift된 형태이다. 즉, 가전자대 에너지 장벽의 minimum이 한 쪽에 생기면 전도대 에너지 장벽의 maximum은 반대쪽에 생기는 형태를 갖는다. 이러한 밴드구조를 갖는 물질을 터널 산화막층으로 하게 되면 쓰기/지우기 속도를 증가시킬 수 있으며, 데이터 보존 능력 모두 만족할 수 있어 TBM의 터널 산화막으로의 사용이 기대된다. 본 연구에서 제작한 staggered TBM소자의 터널 산화막으로는 $Si_3N_4$/HfAlO (Hf:Al=1:3)을 사용하여 I-V(current-voltage), Retention, Endurance를 측정하여 메모리 소자로서의 특성을 분석하였으며, 터널 산화막의 제 1층인 $Si_3N_4$의 두께를 1.5 nm, 3 nm일 때의 특성을 비교 분석하였다.

• 원예과학기술지
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• 제33권1호
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• pp.18-23
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• 2015

Time-specific responses of flower bud differentiation were investigated in 'Shinko' (Pyrus pyrifolia Nakai) pear grown at different altitudes from July through December 2013 to determine their suitability as scions in a top-grafting system. Flower bud initiation and bud necrosis were monitored on each of three sections of one-year-old shoots: terminal, middle, and basal. Flower bud differentiation s tarted in September in the highlands of the Lishan area, and in J uly in the lowlands of the Zhoulan area. In Lishan, flower bud differentiation was higher in the middle and basal segments; during leaf fall, however, flower bud differentiation occurred rapidly in the terminal segment. In Zhoulan, flower buds began to differentiate from the terminal section of the shoot, and severe flower bud necrosis was noted. In July, flower buds developed normally; however, in early August, some of the buds at the basal segment showed browning. During leaf fall, some flower buds showed symptoms of necrosis with rapid and complete browning. Flower bud necrosis began at the basal segment and progressed rapidly towards middle and terminal sections. Before leaf fall, flower buds fell off when scales swelled. The terminal and middle parts of the current-year shoots, with some flower buds, collected in October or later from the Lishan area could be used as scions for top-grafting of 'Shinko' pear. Each grafting scion was a 3-5 cm shoot with one flower bud. These results suggest that scions from the terminal and middle segments of stems of 'Shinko' pear from the Lishan area can be used as scions whereas those from Zhoulan area show necrosis and might not be suitable as scions.

• Journal of Power Electronics
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• 제19권6호
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• pp.1366-1379
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• 2019

High-gain DC/DC converters have become one of the key technologies for the grid-connected operation of new energy power generation, and its research provides a significant impetus for the rapid development of new energy power generation. Inspired by the transformer effect and the ripple-suppressed ability of a coupled inductor, a double-coupled inductor high gain DC/DC converter with a ripple absorption circuit is proposed in this paper. By integrating the diode-capacitor voltage multiplying unit into the quadratic Boost converter and assembling the independent inductor into the magnetic core of structure coupled inductors, the adjustable range of the voltage gain can be effectively extended and the limit on duty ratio can be avoided. In addition, the volume of the magnetic element can be reduced. Very small ripples of input current can be obtained by the ripple absorption circuit, which is composed of an auxiliary inductor and a capacitor. The leakage inductance loss can be recovered to the load in a switching period, and the switching-off voltage spikes caused by leakage inductance can be suppressed by absorption in the diode-capacitor voltage multiplying unit. On the basis of the theoretical analysis, the feasibility of the proposed converter is verified by test results obtained by simulations and an experimental prototype.