• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권11호
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• pp.870-875
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• 2011

The $(Na_{0.52}K_{0.44})(Nb_{0.9}Sb_{0.06})O_3-0.04dLiTaO_3$ (NKNS-LT) ceramics with various $Cu_2O$ concentration were prepared by the conventional solid state reaction method. The $Cu_2O$ content was varied in the range of 0.1~0.4 wt%. The effects of Cu on microstructure, crystallographic phase transition, and piezoelectric properties were investigated. The material with perovskite structure had a tetragonal phase (T1) when $Cu_2O$ concentration was less than 0.3 wt% and it transformed to another tetragonal phase (T2) when the $Cu_2O$ amount was greater than 0.3 wt%. The phase boundary between T1 and T2 phases appeared at around 0.3 wt% of $Cu_2O$ concentration. The piezoelectric properties were shown the maximum values at the composition of the phase boundary. The electro-mechanical coupling factor ($k_p$) was 0.42 and the piezoelectric charge constant ($d_{33}$) was 245 pC/N at the 0.3 wt% of $Cu_2O$ concentration.

• 전기전자학회논문지
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• 제22권2호
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• pp.427-431
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• 2018

본 논문에서는 최근 전력반도체 산업에서 활용되어지는 와이드밴드갭 반도체 중에 하나인 $Ga_2O_3$를 이용한 에피웨이퍼 성장에 관련되어 서술하였다. GaN 성장시 활용되어지는 HVPE법을 이용하여 Sn이 도핑된 $Ga_2O_3$ 기판웨이퍼에 평균 $5.3{\mu}m$ 두께로 성장시켰다. 일반적으로 화합물반도체의 에피 두께가 $5{\mu}m$일 경우 SiC의 경우 600V 전력반도체소자를 제작할 수 있으며, $Ga_2O_3$ 에피웨이퍼의 경우에는 1000V이상의 전력소자를 제작할 수 있다. 성장된 에피웨이퍼의 J-V 측정 결과 $2.9-7.7m{\Omega}{\cdot}cm^2$의 온저항을 얻을 수 있었으며, 역방향의 경우 상당히 높은 전압에서도 누설전류가 거의 없음을 알 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제20권4호
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• pp.47-52
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• 2013

Gold wire has long been used as a proven method of connecting a silicon die to a substrate in wide variety of package types, delivering high yield and productivity. However, with the high price of gold, the semiconductor packaging industry has been implementing an alternate wire material. These materials may include silver (Ag) or copper (Cu) alloys as an alternative to save material cost and maintain electrical performance. This paper will analyze and compare the electrical characteristics of several wire types. For the study, typical 0.6 mil, 0.8 mil and 1.0 mil diameter wires were selected from various alloy types (2N gold, Palladium (Pd) coated/doped copper, 88% and 96% silver) as well as respective pure metallic wires for comparison. Each wire model was validated by comparing it to electromagnetic simulation results and measurement data. Measurements from the implemented test boards were done using a vector network analyzer (VNA) and probe station setup. The test board layout consisted of three parts: 1. Analysis of the diameter, length and material characteristic of each wire; 2. Comparison between a microstrip line and the wire to microstrip line transition; and 3. Analysis of the wire's cross-talk. These areas will be discussed in detail along with all the extracted results from each type the wire.

• 한국광학회지
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• 제15권6호
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• pp.490-494
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• 2004

평면도파로 (Planar Lightwave Circuits)를 수소처리한 후 격자를 제작하였다. 성장특성 분석 결과 격자는 거듭제곱식 (power law)에 따라서 성장되는 것을 알 수 있었다. 격자의 성장특성을 이용하여 외부 공진기 레이저용 평면도파로 격자를 설계하고 제작한 결과 예상치와 거의 일치하는 격자특성을 얻을 수 있었고, 제작된 격자로 구현된 외부 공진기 레이저에서 ∼40dB의 인접모드억압비(side mode suppression ratio)를 갖는 단일모드 발진을 관측할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제29권4호
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• pp.210-214
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• 2016

We investigated the sintering behavior and piezoelectric properties of lead-free $(K_{0.5}Na_{0.5})NbO_3$ ceramics co-doped with excess 0.01 mol ZnO and x mol $MnO_2$, where x was varied from 0 to 0.03. Excess $MnO_2$ addition was found to retard the grain growth and densification during sintering. However, 0.005 mol $MnO_2$ addition improved the piezoelectric properties of 0.01 mol ZnO added $(K_{0.5}Na_{0.5})NbO_3$ ceramics. The planar mode piezoelectric coupling coefficient, electromechanical quality factor, and piezoelectric constant $d_{33}$ of 0.01 mol ZnO and 0.005 mol $MnO_2$ added specimen were 0.40, 304, and 214 pC/N, respectively.

• 한국재료학회지
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• 제9권2호
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• pp.168-172
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• 1999

보른이 고농도 도핑된 $\textrm{p}^{+}$-Si 영역상에서 비저항이 낮고 열적 안정성이 우수한 Co/Ti 이중막 실리사이드의 형성을 연구하였다. 본 연구에서는 Co/Ti 이중막 실리사이드는 청결한 $\textrm{p}^{+}$-Si 기판상에 Co(150${\AA}$)/Ti(50${\AA}$) 박막을 E-beam 기술로 진공증착하고 질소분위기($\textrm{10}^{-1}$atm)에서 2단계 RTA 공정(1차열처리:$650^{\circ}C$/20sec, 2차열처리:$800^{\circ}C$/20sec)을 수행하여 제작된다. 실험에서 얻어진 Co/Ti 이중막 실리사이드는 약 500${\AA}$의 균일한 두께를 갖고 18$\mu\Omega$-cm의 낮은 비저항 특성을 나타내었으며, $1000^{\circ}C$에 이르기까지 장시간 후속 열처리를 실시하여도 면저항 변화나 열응집 현상이 발생되지 않았다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.256-256
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• 2010

투명전극부터 디스플레이 산업에 이르기까지 광범위하게 응용되어지고 있고 개발되어지고 있는 투명전도산화물(TCO)은 ZnO, In2O3, SnO2 등을 기본으로 하는 n-type 재료가 대부분이다. 그러나 투명전도 산화물을 이용한 light emitting diode(LED), 투명한 태양전지, p-형 TFT와 같은 투명전자소자의 개발을 위해서는 p-type 소재가 필수적이다. p-type TCO 소재는 비교적 연구 개발 실적이 매우 부진한 실정이었다. 1997년 넓은 밴드갭을 가지는 ABO2(delafossite) 산화물이 p-type으로서 안정적이라는 것을 보고함에 따라 이에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 현재 ABO2 형태를 가진 Delafossite구조 산화물이 가장 유망한 p-type 투명전도체 소재로 거론되고 있다. Delafossite 구조가 p-type 투명전도체에 적합한 결정구조인 이유는 밴드갭이 넓고 공유결합에 유리하기 때문이다. Delafossite구조는 상온에서 2종류의 polytype(상온에서 Rhombohedaral구조와 hexagonal 구조)이 존재하며 이들은 각각 3R 및 2H의 결정 구조를 가지고 있다. ABO2의 delafossite구조에서 Cu+의 배열은 c-축을 따라 Cu-O-Cr-O-Cu의 연속적인 층 구조로서 2차원연결로 보여 진다. 보고된 Cu- base delafossite구조를 가지는 재료들은 CuAlO2, CuGaO2, CuInO2 등 여러가지가 있다. 본 연구에서는 PLD를 이용하여 c-plane 사파이어 기판위에 성장된 delafossite구조인 CuCrO2박막의 특성을 알아보았다. p-type 특성을 위하여 CuCrO2에 Zn를 첨가하였으며 그에 따른 구조적 전기적 특성을 조사하였다. 성장온도와 산소분압을 $500{\sim}700^{\circ}C$, 0~10mTorr로 변화시켜 특성을 연구하였다. 성장온도 $700^{\circ}C$, 산소분압 10mTorr에서 c-plane 사파이어 기판위에 c-축 배향의 에피성장된 CuCrO2:Zn 박막을 얻을 수 있었다. Mg를 도핑함에 따른 p-type 특성보다 현저히 떨어지는 것을 확인하였다. 또한 동일한 조건임에도 특정한 이차상의 존재를 통해 도핑된 Zn의 위치를 추측할 수 있었다. 온도와 분압에 따른 결정성과 표면상태를 SEM을 통해서 확인하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
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• pp.81-83
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• 2000

Tin-doped indium oxide(ITO) thin films were deposited on polyethylene terephthalate(PET) at room temperature by oxygen ion beam assisted evaporator system and the effects of oxygen gas flow rate on the properties of room temperature ITO thin films were investigated. Plasma characteristics of the ion gun such as oxygen ions and atomic oxygen radicals as a function of oxygen flow rate were investigated using optical emission spectroscopy(OES). Faraday cup also used to measure oxygen ion density. The increase of oxygen flow rate to the ion gun generally increase the optical transmittance of the deposited ITO up to 6sccm of $O_2$ and the further increase of oxygen flow rate appears to saturate the optical transmittance. In the case of electrical property, the resistivity showed a minimum at 6 sccm of $O_2$ with the increase of oxygen flow rate. Therefore, the improved ITO properties at 6 sccm of $O_2$ appear to be more related to the incorporation of low energy oxygen radicals to deposited ITO film rather than the irradiation of high energy oxygen ions to the substrate. At an optimal deposition condition, ITO thin films deposited on PET substrates showed the resistivity of $6.6{\times}10^{-4}$ ${\Omega}$ cm and optical transmittance of above 90%.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.317-321
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• 2002

Piezoelectric properties of $(Pb_{1-x}Y_x)[(Ni_{1/3}Nb_{2/3})_{0.15}(Zr_{1/2}Ti_{1/2)})_{0.85}]O_{3}$ (x=0~0.05) ceramics were investigated, The stoichiometric PNN-PZT ceramics required the sintering temperature above $1100^{\circ}C$, but the addition of $Y_{2}O_{3}$ in the PNN-PZT ceramic lowered the sintering temperature down to $1000^{\circ}C$. In case of x=0.005, the electro-mechanical coupling $factor(K_p)$, the piezoelectric $constant(d_{33})$, and the maximum strain ratio of PNN-PZT ceramics sintered at $1000^{\circ}C$ were 53.1%, 395pC/N, and $2200{\times}10^{-6}$ respectively, A 30-layer piezoelectric actuator$(10{\times}10{\times}1.7mm)$ fabricated with the above material showed the maximum strain of $2.09{\mu}m$ under 100V DC bias.

• 한국자기학회지
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• 제15권2호
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• pp.109-112
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• 2005

Electronic and magnetic properties of $Ti_{1-x}M_xO_{2-\delta}$ (M=Co and Fe) thin films grown by sol-gel method have been investigated. Anatase and rutile $Ti_{1-x}Co_xO_{2-\delta}$ films were successfully grown on $Al_2O_3$ (0001) substrates and exhibited p-type electrical conductivity while the undoped films n-type conductivity. Room temperature vibrating sample magnetometry measurements on the anatase and rutile $Ti_{1-x}Co_xO_{2-\delta}$ films with same x ($=4.8 at.{\%}$) showed quite similar magnetic hysteresis curves with the saturation magnetic moment of $\~4 {\mu}_B$ per Co ion despite their differences in structural and electronic properties. Such giant magnetic moment is attributable to the unquenched orbital moment of the $Co^{2+}$ ions substituting the octahedral $Ti^{4+}$ sites. Similar ferromagnetic behavior was observed for $Ti_{1-x}Fe_xO_{2-\delta}$ films that are highly resistive compared to the Co doped samples. Saturation magnetic moment was found to decrease for higher x, i.e., $\~2$ and $\~1.5 {\mu}_B$ per Fe ion for x=2.4 and 5.8 at. $\%$, respectively. Conversion electron $M\ddot{o}ssbauer$ spectroscopy measurements predicted the coexistence of $Fe^{2+}$ and $Fe^{3+}$ ions at the octahedral sites of $Ti_{1-x}Fe_xO_{2-\delta}$.