• 한국결정성장학회지
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• 제7권2호
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• pp.271-275
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• 1997

HWE방법으로 GaAs 기관위에 Cl이 첨가된 ZnSe 박막을 성장하였다. 성장된 박막의 표면 상태는 경면이 있었으며 좋은 결정성과 낮은 비저항 n 형 전도성을 나타내었다. 성장된 박막의 운반자 농도는 $10^{16}Cm{-3}$ 정도였으며 비저항값은 10$\\Omega$\cdotcm였다. 실온에서 청색 발광을 하는 photoluminescence를 나타내었다. 나타내었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제13권6호
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• pp.662-667
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• 2013

The effect of fluorine ions, which can be reacted with boron in high-doped BPSG, is investigated on the contact sidewall wiggling profile in semiconductor process. In the semiconductor device, there are many contacts on $p^+/n^+$ source and drain region. However these types of wiggling profile is only observed at the $n^+$ contact region. As a result, we find that the type of plug implantation dopant can affect the sidewall wiggling profile of contact. By optimizing the proper fluorine gas flow rate, both the straight sidewall profile and the desired electrical characteristics can be obtained. In this paper, we propose a fundamental approach to improve the contact sidewall wiggling profile phenomena, which mostly appear in high-doped BPSG on next-generation DRAM products.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권2호
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• pp.93-97
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• 1990

도핑된 半導體 界面의 界面電荷 近似式과 構造를 提案하였다. III-V族 化合物 半導體인 p-GaP,p-InP,n-GaAs와 $C_sNO_3$ 水性 電解質 界面에서 整流現象은 循環電流-電壓特性으로 定性的 解析을 하였다. 半導體 界面의 電流-電壓 特性曲線, 이온 吸着과 電位障壁 過程은 連續循環電壓方法으로 實證하였다. 도핑된 半導體-電解質 界面에서 pn 또는 np 接合構造와 그에 따른 整流形은 空間電荷에 의하여 決定된다.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제3권1호
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• pp.37-42
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• 1997

The DC current variation of calcia doped zirconia single crystal was measured under various oxygen containing gases at high temperatures. The DC current was influenced by the gas species for oxygen activity establishment. Also, strong non-ohmic characteristics were observed in the $CO/CO_2/N_2$ gas mixtures. Based on the experimental data obtained by introducing the non-buffering gas $N_2$ into the $CO/CO_2$ mixtures, the processes occurring at the gas/solid interface during a defect relaxation process are discussed.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.540-542
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• 2009

Phosphorus doped ZnO (PZO) thin films were deposited on $SiO_2$/n-Si substrates using DC magnetron sputtering system varying oxygen partial pressures from 0 to 40 % under Ar atmosphere. The deposited films showed reduced n-type conductivity due to the compensating donor effects by phosphorus dopant. The bias-time stability shows relatively good stability over bias and time comparing to un-doped ZnO-based TFTs.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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• pp.611-614
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• 2003

The electrochemical oxidation of ascorbic acid(AA), serotonin(SE) and epinephrine(EP) have been performed at poly N,N-dimethylaniline(PDMA) film coated diamond electrode. This cationic polymer film is electrochemically deposited on boron-doped diamond electrode surface. Unlike the bard electrode, the polymer film-coated diamond electrode can well separate the oxidation potential of AA by 200mV. Thus this electrode can be successfully used for the simultaneoud detection of both species. Increases in the concentration of AA do not affect the reponse of EP and SE.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
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• pp.930-933
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• 2003

The electrochemical oxidation of ascorbic acid(AA), serotonin(StT) and epinephrine(EP) have been performed ae poly N,N-dimethylanliline(PDMA) film coated diamond electrode. This cationic polymer film is electrochemically deposited on boron-doped diamond electrode surface. Unlike the bard electrode, the polyaer film-coated diamond electrode can well separate the oxidation potential of AA by 330mV. Thus this electrode can be successfully used for the simultaneoud detection of both species. Increases in the concentration of AA donot affect the reponse of EP and ST.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제57권3호
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• pp.331-337
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• 2019

광촉매로 검토된 물질 중에는 티타니아가 가장 큰 주목을 받아왔다. 그러나, 티타니아는 밴드갭 에너지가 높음으로 인하여 자외선 영역에서만 그 활성을 나타낼 수 있는 것으로 알려져 있다. 따라서, 티타니아의 광촉매 활성을 가시광선 영역으로 확대하려는 노력들이 있어왔으며, 대표적인 방안들은 티타니아의 표면 개질을 통해 시도되었다. 티타니아 광촉매가 가시광선 영역에서 활성을 갖기 위해서는 표면 개질을 요구한다. 티타니아의 다양한 표면 개질 방안 중 질소도핑은 제조의 수월성과 친환경적인 장점을 가진다. 질소 도핑 티타니아는 가시광선 영역에서도 가전자대의 전자가 전도대로 여기되며, 광촉매 활성을 잘 나타내고 있다. 본 연구에서는 발표된 많은 자료에 근거하여 티타니아 내부에 도핑된 질소 형태에 주목하였다. 여전히 논쟁이 계속되는 질소 도핑 제조방법과 티타니아 내부의 질소 형태에 대해서 살펴보았다. 특히, 질소 도핑 형태는 주로 두 가지로 보고되고 있으며, 티타니아 격자를 구성하는 산소를 질소가 치환하는 경우와 티타니아 격자 사이에서 질소산화물의 형태로 위치하는 경우가 알려져 있다. 지금도 가시광선 영역에서 물 분해를 할 수 있는 잠재력을 활용하려는 시도들은 지속적으로 나오고 있으며, 질소 도핑 티타니아의 향후 전망에 대해서도 살펴보았다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.142-142
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• 2009

Zinc Oxide (ZnO)는 wurtzite 결정구조를 가지고 있으며, 밴드갭 에너지가 약 3.4eV인 산화물 반도체 이다. GaN가 도핑된 ZnO 박막을 Pulsed Laser Deposition (PLD) 법을 이용하여 사파이어 기판과 실리콘 기판에 각각 증착하였다. $500^{\circ}C$의 증착온도에서 1at%~10at%까지의 GaN 도핑농도에 따른 ZnO 박막의 결정성, 성분 분석을 비롯한 전기적 특성을 조사하였다. 첨가된 GaN의 농도에 따라 ZnO 박막의 결정성이 변화하였으며, 농도 변화에 상관없이 ZnO(002) 방향으로 성장함을 알 수 있었다. 또한 실리콘 기판에 증착한 GaN-doped ZnO 박막은 5at%에서 $9.3\;{\times}\;10-3{\Omega}cm$, 10at%에서 $9.2\;{\times}\;10-3{\Omega}cm$의 비저항 값을 가지며 각각 p-type 특성을 나타내었다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제49권2호
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• pp.78-81
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• 2000

The closed-form analytic solutions for the breakdown voltage of 6H-SiC RTD(silicon carbide reachthrough diode) having metal$-n^--n^+$ Schottky structure or $p^+-n^--n^+$, are successfully derived by solving impact ionization integral using an effective ionization coefficient. For the lightly doped n- epitaxial layer, the breakdown voltage of SiC RTD are nearly constant with the increased doping concentration while the breakdown voltages decrease for the heavily doped epitaxial layer.