• 한국결정학회지
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• 제2권2호
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• pp.7-12
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• 1991

C13H18N2O3(Mr=250.29)는 단사정계의 P211a의 공간군을 갖고 있으며 a=8.765(4), b=17.679 (3), c=9.238(4)A, p=105.6(3)A, z=4, V= 1378.53A3, A(Mo Ka)=0.71069A, 1:0. 81cm-1, F(000)=536, T=298 이며 1.0 σ(I)보다 큰 강도를 가진 1783개의 회절반점에 대하여 최종 R값은 0.080이다. 직접법에 의하여 구조를 풀었으며 C-H 결합길이와 메칠기는 길이를 고정시켜 이 상적인 기하학적 구조에 맞추어 계단식 대각최소자 승법에 의하여 정밀화하였다 두 에토오키시기중의 하나는 다른 기에 비해 100°나 더 기울어져있다. 결정격자내에 한개의 N-H‥‥0(2.798A) 수소결합이 있어 두 분자를 연결하면서 b-축에 따라 쌓여져 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.476-477
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• 2013

반도체의 성능은 최근 10년 사이에 급격하게 발전했고 아날로그 및 디지털 회로 소자들에 있어 저전력/고속 특성 요구가 커지고 있다 [1]. 상온에서 30,000 $cm^2$/Vs 이상의 전자 이동도를 가지며 큰 conduction band offset을 갖는 InAs/AlSb 2차원전자가스(2DEG) 소자는 Spinorbit-interaction의 값이 매우 커서 SPIN-FET 소자로 크게 주목받고 있다 [2]. 본 발표자들은 GaAs 기판위에 성장한 InAs 2DEG HEMT 소자의 전/자기적인 특성과 고속반응 물질로 주목 받는 InSb 박막소자의 doping 특성에 따른 전기적/물리적인 특성의 평가에 대해 그 결과를 소개하고자 한다. 격자정합과 Semi-insulating 기판의 부재로 상용화되어 있는 GaAs와 InP 기판위에 물질차이에 따른 고유의 한계 특성을 줄이기 위한 Pseudomorphic이라 불리는 특별한 박막 성장 기법을 적용하여 높은 전자 이동도를 가지며 spin length가 길어 Spin-FET로서 크게 주목받고 있는 InAs 2DEG HEMT 소자를 완성시켰다. 60,000 ($cm^2$/Vs) 이상의 높은 전자 이동도를 갖는 소자의 구현을 목표로 연구를 진행하였으며 1.8 K에서 측정된 Spin-orbit interaction의 값은 6.3e-12 (eVm)이다. InAs/InGaAs/InAlAs 및 InGaAs/InAlAs 구조의 InP 기반의 소자에서 보다 큰 값으로 향후 Spin-FET 응용에 크게 기대하고 있다. 또한, GaAs 기판위에 구현된 InSb 소자는 격자부정합 감소를 위해 InAs 양자점을 사용하여 약 $2.6{\mu}m$ 두께로 구현된 InSb 박막 소자는 상온에서 약 60,400 ($cm^2$/Vs)의 상온 전자이동도를 보였으며 현재 동일 두께에서 세계 최고결과(~50,000 $cm^2$/Vs)에 비해 월등하게 높은 값을 보이고 있다. Hall bar pattern 공정을 거쳐 완성된 소자는 측정 결과 10~20% 이상 향상된 전자 이동도를 보였다. 2e18/$cm^3$ 미만의 p-doping의 경우, 상온에서 n-type 특성을 보이나, 저온에서 p-type으로 변하는 특성을 보였고 n-doping의 경우 5e17/$cm^3$까지는 전자 이동도만 감소하고, doping에 의한 효과는 크게 없었다. 1e18/$cm^3$의 높은 doping을 할 경우 carrier가 증가하는 것을 확인했다. 이상의 측정 결과로 Spin-FET 소자로서 아주 우수하다는 것을 확인할 수 있었고 n-/p- type이 특성을 고려한 high quality InSb 박막소자의 응용을 위한 중요한 정보를 얻을 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.308.2-308.2
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• 2014

최근 III-N계 물질 기반의 광 반도체 중 m-면 사파이어 기판을 사용하여 반극성 (11-22) GaN박막을 성장하는 광반도체의 발광효율을 높이려는 연구가 많이 진행되고 있다. 하지만, 반극성 (11-22) GaN와 m-면 사파이어 기판과의 큰 격자상수 차이와 결정학적 이방성의 차이에 의해 많은 결정 결함이 발생하게 된다. 이러한 결정결함들은 반극성 LED소자내에서 누설전류 및 비발광 재결합, 순방향전압 등의 소자특성을 저하시키는 큰 요인이 되기 때문에 고효율 발광소자를 제작함에 있어 어려움을 야기시킨다. 이러한, 반극성 LED 소자의 효율 향상을 위해 결함 분석에 대한 연구를 주를 이루고 있는 상황으로, n-GaN층에 Si도핑에 관한 연구가 진행되고 있다. 이미 극성과 비극성에서는 n-GaN층에 Si이 도핑이 증가될수록 결정질이 향상되고, 양자우물의 계면의 질도 향상 되었다는 보고가 있다. 본 연구에서는 반극성 (11-22) GaN 기반의 발광소자를 제작함에 있어 n-GaN 층의 도핑 농도 변화를 통한 반극성 GaN 박막의 결정성 및 전기적 특성 변화에 따른 LED소자의 전계 발광 특성에 대한 연구를 진행하였다. 금속유기화학증착법을 이용하여 m-면 사파이어 기판에 $2.0{\mu}m$두께의 반극성 (11-22) GaN 박막을 저온 GaN완충층이 존재하지 않는 고온 1단계 성장법을 기반으로 성장하였다.[3] 이후, $2.0{\mu}m$ 반극성 (11-22) GaN 박막 위에 $3.5{\mu}m$ 두께의 n-GaN 층을 성장시켰다. 이때, n-형 도펀트로 SiH4 가스를 4.9, 9.8, 19.6, 39.2 sccm으로 변화하여 성장하였다. 이 4가지 반극성 (11-22) n-GaN 템플릿을 이용하여 동일 구조의 InGaN/GaN 다중양자우물구조와 p-GaN을 성장하여 LED 구조를 제작하였다. X-선 ${\omega}$-rocking curve를 분석한 결과, 이러한 특성은 반극성 (11-22) n-GaN층의 Si 도핑농도 증가에 따라서 각 (0002), (11-20), (10-10) 면에서 결정 결함이 감소하고, 반극성 (11-22) n형 GaN템플릿을 이용하여 성장된 반극성 GaN계 LED소자는 20mA인가 시 도핑 농도 증가에 따라 9.2 V에서 5.8 V로 전압이 감소하였으며 역방향 전류에서도 누설전류가 감소함이 확인되었다. 또한, 전계 발광세기도 증가하였는데, 이는 반극성 n형 GaN박막의 실리콘 도핑농도 증가에 따라 하부 GaN층의 결정성이 향상과 더불어 광학적 특성이 향상되고, n형 GaN층의 전자 농도 및 이동도의 동시 증가에 따라 전기적 특성이 향상 됨에 따라 LED소자의 전계 발광 특성이 향상된 것으로 판단된다.

• 한국재료학회지
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• 제6권10호
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• pp.1043.2-1048
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• 1996

자기기록의 고밀도화로 인해 보자력(Hc)이 큰 자기기록매체가 필요하게 되었다. 고보자력매체에 신호를 충분히 기록하기 위해서는 보다 강한 자장이 필요하다. 이 때문에 포화자화(Ms)가 큰 재료가 필요하며 고주파 영역에서 실효투자율($\mu$eff)이 높아야 한다. Fe계 합금박막은 이에 적합한 재료이다. 본 연구에서는 Fe의 결정자기이방성에 영향을 미치는 Si과 Fe의 격자 변형을 유도할 수 있는 B를 첨가하였다. Fe-B-Si 계 박막을 질소분위기 중에서 RF Matnetron Sputter로 제작하여 연자기적 특성에 관하여 고찰하였다. Fe91.49B4.01Si4.50at% 박막은 35$0^{\circ}C$에서 1시간 열처리를 행함으로써 약 900(10MHz) 정도의 투자율과 7.6Oe의 보자력을 나타냈으며 포화자화는 1300emu/㎤를 얻었다.

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권3호
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• pp.89-95
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• 1996

In this ppaer, temeprature dependent transport and heat transport models have been incorperated to the two dimensional device simulator SNU-2D provides a solid bse for nonisothermal device simulation. As an example to study the nonisothermal problem. we consider SOI MOSFET's I-V characteristics have been simulated and compared with the measurements. It is shown that negative slopes in the Ids-Vds characteristics are casused by the temperature dependence of the saturation velocity and the degradation of the temperature dependence mobility. Also it is shown that the kink effect occurs when impact ionization near the drain produces a buildup of holes in this isolated device island, and the hysteresis is caused by the creation of holes in the channel and their flow to the source.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.305-305
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• 2013

태양전지는 무기태양전지와 유기태양전지 등이 연구 되고 있는데 [1] 그 중 유기물질의 장점(높은 수율, solution phase processing, 저비용으로 전력 생산)과 무기재료의 장점(높은 전자 이동도, 넓은 흡수 범위, 우수한 환경 및 열 안정성)을 융합함으로써 장기적 구조안정성의 확보와 광전변환의 고 효율화를 동시에 달성하기 위한 유기무기 하이브리드 태양전지가 최근 큰 관심을 끌고 있다[2]. 본 연구에서는 hybrid photovoltaics에 유기물 MDMO-PPV와 전도성 고분자 PEDOT:PSS를 무기물 GaN 위에 spin coating 하여 두께에 다른 효율을 측정하였다. 유기물 MDMO-PPV는 p-형으로 클로로벤젠, 톨루엔과 같은 유기 용매에 잘 녹으며 HOMO 5.33eV, LUMO 2.97eV, energy band gap 2.4eV이며 99.5%의 순도 물질을 사용하였다. 또한 정공 수송층(hole transport layer, HTL)으로 PEDOT:PSS를 사용하였으며, HOMO 5.0eV, LUMO 3.6eV, energy band gap 1.4eV를 가지며 증류수나 에탄올과 같은 수용성 용매에 잘 녹는 특성을 가지고 있다. 무기물은 III-V 족 물질 n-GaN(002)을 사용하였고 valence band energy 1.9eV, conduction band energy 6.3eV, energy band gap 3.4eV, 높은 전자 이동도와 높은 포화 속도, 광전자 소자에 유리한 광 전기적 특성을 가지고 있다. 기판으로는 GaN와 격자 부정합도와 열팽창계수 부정합도가 큰 Sapphire (Al2O3) 이종 기판을 사용하였다. 전극으로 Au를 사용하였으며 E-beam증착하였다. Reflector로서 Al를 thermal evaporator로 증착하였다 [3]. 실험 과정은 두께에 따른 효율을 알아보기 위해 MDMO-PPV를 900~1,500 rpm으로 spin coating 하였고, 열처리에 따른 효율을 알아보기 위해 열처리 온도 조건을 $110{\sim}170^{\circ}C$의 변화를 주었다. FE-SEM으로 표면과 단면을 관찰하였으며 J-V 특성을 알아보기 위해 각 샘플마다 solar simulator를 사용하여 측정하였고 그 결과를 논의하였다.

• 한국해안해양공학회지
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• 제7권4호
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• pp.368-378
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• 1995

2차원 수심적분된 조석 수치모형을 이용하여 남해도 해역의 독립적인 주요 8개 분조(M$_2$, S$_2$, $K_2$, $N_2$, $K_1$, $O_1$, P$_1$, Q$_1$)에 대한 조석도와 조류 타원도를 제시하고, 기존의 관측치와 비교하였다. 이 8개 분조의 개방경계조석에 의해 모형해역의 1개월 실시간 조석(조위, 조류)을 산정하여 매 격자점에서의 조위와 조위를 조화분석하여 구해진 조화상수를 예보상수로 하여 Data Table을 구축하였다. 구축된 Data Table에 의해서 조위와 조류예보 알고리즘에 의해 대상해역내 조석의 시공간적 추정을 신속하게 수행할 수 있는 체계를 구성하였다.

• 대한화학회지
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• 제47권6호
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• pp.553-558
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• 2003

$[n-Bu_4N]_2[Mo_6O_{19}]$(TBAM)의 결정구조는 X-ray 분석기로 결정되었다. 그 결정은 monoclinic 계이며 ${\alpha}$=16.314(5), b=17.288(5), c=17.776(4) ${\AA}$, ${\beta}$=101.47(3) 그리고 z=4의 결정파라미터를 갖는 sapce group 이 C2/c인 결정이다 $[Mo_6O{19}]^{2-}$ 음이온에서, Mo 원자는 팔면체의 여섯 개 모서리를 차지하며 각 Mo 원자는 여석개의 산소원자에 배위되어 찌그러진 팔면체 배위 기하학을 지닌다. Mo-Ot(말단기), Mo-Ob(연결된), 그리고Mo-Oc(중앙)의 평균거리는 각각 1.680 ${\AA}$, 1.931 ${\AA}$ 및 2.325 ${\AA}$ 이다. $[n-Bu_4N]^+$ 양이온에서 N원자는 약간 찌그러진 사면체 모형을 갖는다. 격자안에서 폭 넓은 C-H ${\cdots}$ O 수소결합이 있으며, 그것에 의하여 분자들을 연결하고 결정구조를 안정화 한다. 열분석에 의하여 제목의 열적분핸ㄴ 두개의 전이가 일어나며 356.0와 803.5 $^{\circ}$에서 각각 무게를 잃는다. 그리고 분해된 생성물은 $Mo_2O_2$로 추정된다. 따라서, 제목의 화합물은 높은 열적 안정성을 갖는다.

• 한국해안해양공학회지
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• 제6권1호
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• pp.94-108
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• 1994

연근해에서의 위성고도계 자료의 정확도가 향상됨에 따라 기존에 잘 알려져 있는 Schwiderski의 전구적 모형보다 더 정확한 조석모형으로 위성고도계 자료에서의 조석성분에 대한 보정을 향상시킬 필요가 있다. 초기단계로 오오츠크해, 남중국해와 북서태평양역을 포함하는 동아시아 전 해역에 대해 기존의 조석모형보다 해상도가 높은 1/6도 격자체계의 조석모형을 수립하여 반일주조(M$_2$, S$_2$, $N_2$, $K_2$)와 일주조(K$_1$, $O_1$, P$_1$, Q$_1$)의 조석체계에 대한 수치모형실험을 수행하였다. 계산된 결과들과 이 해역에서의 관측치와 기존의 경험적 조사도 및 Schwiderski의 조석도와 비교분석이 이루어졌다.

• 한국해안해양공학회지
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• 제6권3호
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• pp.290-297
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• 1994

연근해에서의 위성고도계자료의 정확도가 향상됨에 따라 기존에 알려진 Schwiderski의 모형보다 더 정확한 조석모형으로 위성고도계자료에서의 조석성분에 대한 보정을 향상시킬 필요가 있다. 벵갈만은 방글라데시 연안북측에서 발생하는 폭풍해온과 조석의 영향을 현저히 받는 해양특성으로 인해 해양학적 측면에서 관심이 고조되고 있어 초기단계로 벵갈만 전체에 대해 1/4$^{\circ}$ 격자체계의 조석모형을 수립하여 반일주조 (M$_2$, S$_2$, $N_2$, $K_2$)와 일주조 (K$_1$, $O_1$, P$_1$)에 대한 수치모형실험이 이루어졌다. 계산결과들은 기존의 Schwiderski의 조석도 및 관측자료들과의 비교ㆍ검토가 이루어졌다.