엔지니어 터널베리어($SiO_2/Si_3N_4/SiO_2$ )와 고유전율($HfO_2$ ) 트랩층 구조를 가지는 비휘발성 메모리의 멀터레벨에 관한 연구
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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- pp.56-56
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- 2009