Kim, Jong-Deog;Le, Quan;Lee, Mun-Seob;Yoo, Hark;Lee, Dong-Soo;Park, Chang-Soo
ETRI Journal
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v.31
no.5
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pp.622-624
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2009
This letter presents a compact 2.5 Gb/s burst-mode receiver using the first reported monolithic amplifier IC developed with 0.25 ${\mu}m$ SiGe BiCMOS technology. With optimum avalanche photodiode gain, the receiver module can obtain a fast response, high sensitivity and wide dynamic range, satisfying the overhead timing and various power specifications for a 2.5 Gb/s next-generation passive optical network (PON), as well as a legacy 1.25 Gb/s PON in the upstream.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07b
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pp.861-863
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2003
In this work, the preparations and characteristics of capacitors and inductors for RF IC as a integrated devices are investigated. These kinds of capacitors and inductors can be applicable to the passive components utilized in voltage controlled oscillator(VCO), low noise amplifier(LAN), mixer and synthesizer for mobile telecommunication of radio frequency band(900 MHz to 2.2GHz), and in a library of monolithic microwave integrated circuit(MMIC). The results show that these inductors and capacitors array for RF IC may be applicable to the RF IC passive components for mobile telecommunication.
Conventionally, ZVS FB DC/DC converter was controlled by monolithic IC UC3879, which includes the functions of oscillator, error amplifier and phase-shift circuit. Also, microprocessor and DSP have been widely used for the remote control and for the immediate waveform control in ZVS FB DC/DC converter. However the conventional microprocessor controller is complex and difficult to control because the controller consists of analog and digital parts. In the case of the control of FB DC/DC converter, the output is required of driving a direct signal to the switch drive circuits by the digital controller. So, this paper presents the method and realization of designing the digital-to-phase shift PWM circuit controlled by DSP (TMX320C32) in a 2,500A, 40㎾ WS FB DC/DC converter.
Park, Hyun-Woo;Ham, Sun-Jun;Lai, Ngoc-Duy-Hien;Kim, Nam-Yoon;Kim, Chang-Woo;Yoon, Sang-Woong
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.15
no.2
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pp.301-306
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2015
An ultra-compact and wideband low noise amplifier (LNA) in a quad flat non-leaded (QFN) package is presented. The LNA monolithic microwave integrated circuit (MMIC) is implemented in a $0.25{\mu}m$ GaN IC technology on a Silicon Carbide (SiC) substrate provided by Triquint. A source degeneration inductor and a gate inductor are used to obtain the noise and input matching simultaneously. The resistive feedback and inductor peaking techniques are employed to achieve a wideband characteristic. The LNA chip is mounted in the $3{\times}3-mm^2$ QFN package and measured. The supply voltages for the first and second stages are 14 V and 7 V, respectively, and the total current is 70 mA. The highest gain is 13.5 dB around the mid-band, and -3 dB frequencies are observed at 0.7 and 12 GHz. Input and output return losses ($S_{11}$ and $S_{22}$) of less than -10 dB measure from 1 to 12 GHz; there is an absolute bandwidth of 11 GHz and a fractional bandwidth of 169%. Across the bandwidth, the noise figures (NFs) are between 3 and 5 dB, while the output-referred third-order intercept points (OIP3s) are between 26 and 28 dBm. The overall chip size with all bonding pads is $1.1{\times}0.9mm^2$. To the best of our knowledge, this LNA shows the best figure-of-merit (FoM) compared with other published GaN LNAs with the same gate length.
Kim, Eun-Su;Kim, Tae-Jin;Byeon, Yeong-Bok;Park, Sun-Gu;Kim, Yun-Ho;Lee, Jae-Hak
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers B
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v.49
no.1
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pp.54-61
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2000
Conventionally, ZVS FB DC/DC converter was controlled by monolithic IC UC3879, which includes the functions of oscillator, error amplifier and phase-shift circuit. Also, microprocessor and DSP have been widely used for the remote control and for the immediate waveform control in ZVS FB DC/DC converter. However the conventional microprocessor controller is complex and difficult to control because the controller consists of analog and digital parts. In the case of the control of FB DC/DC converter, the output is required of driving a direct signal to the switch drive circuits by the digital controller. So, this paper presents the method and realization of designing the digital-to-phase shift PWM circuit controlled by DSP (TMX320C32) in a 2,500A, 40㎾ ZVS FB DC/DC converter.
We report on a low-cost V-band wireless transceiver with no use of any local oscillator in the receiver block using a self-heterodyne architecture. V-band Microwave monolithic IC (MMIC) modules were developed to demonstrate the wireless transceiver using coplanar waveguide (CPW) and GaAs PHEMT technologies. The MMIC modules such as the MMIC low noise amplifier (LNA), medium power amplifier (MPA) and the up/down-mixer were installed in the transceiver system. To interface the MMIC chips with the component modules for the transceiver system, CPW-to-waveguide fin-line transition modules of WR-15 type were designed and fabricated. The fabricated LNA modules showed a $S_{21}$ gain of 8.4 dB and a noise figure of 5.6 dB at 58 GHz. The MPA modules exhibited a gain of 6.9 dB and a $P_1$$_{dB}$ of 5.4 dBm at 58 GHz. The conversion losses of the up-mixer and the down-mixer module were 14.3 dB at a LO power of 15 dBm, and 19.7 dB at a LO power of 0 dBm, respectively. From the measurement of V-band wireless transceiver, a conversion gain of 0.2 dB and a P $_{1dB}$ of 5.2 dBm were obtained in the transmitter block. The receiver block showed a conversion gain of 2.1 dB and a P $_{1dB}$ of -18.6 dBm. The wireless transceiver system demonstrated a successful data transfer within a distance of 5 meters.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.5
no.3
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pp.210-219
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2005
We report on a low-cost V-band wireless transceiver with no use of any local oscillator in the receiver block using a self-heterodyne architecture. V-band millimeter-wave monolithic IC (MMIC) modules were developed to demonstrate the wireless transceiver using coplanar waveguide (CPW) and GaAs PHEMT technologies. The MMIC modules such as the MMIC low noise amplifier (LNA), medium power amplifier (MPA) and the up/down-mixer were installed in the transceiver system. To interface the MMIC chips with the component modules for the transceiver system, CPW-to-waveguide fin-line transition modules of WR-15 type were designed and fabricated. The fabricated LNA modules showed a $S_{21}$ gain of 8.4 dB and a noise figure of 5.6 dB at 58 GHz. The MPA modules exhibited a gain of 6.9 dB and a $P_{1dB}$ of 5.4 dBm at 58 GHz. The conversion losses of the up-mixer and the down-mixer module were 14.3 dB at a LO power of 15 dBm, and 19.7 dB at a LO power of 0 dBm, respectively. From the measurement of V-band wireless transceiver, a conversion gain of 0.2 dB and a $P_{1dB}$ of 5.2 dBm were obtained in the transmitter block. The receiver block showed a conversion gain of 2.1 dB and a $P_{1dB}$ of -18.6 dBm. The wireless transceiver system demonstrated a successful data transfer within a distance of 5 meters.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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