In this paper, in order to analyze lightning impulse response characteristics in combined installations of SPDs and RCDs, surge protection coordination between SPDs and RCDs are experimentally investigated by using the combination wave generator. Six different types of single-phase residual current operated circuit-breakers with integral overcurrent protection for household and similar uses(RCBOs) being present on the domestic market are tested according to KS C IEC 61009-1 standard. As a result, when a class I SPD is located on the source side of an RCBO, all kinds of specimens are able to provide the proper coordination between the SPD and RCBOs without nuisance tripping, unintended operation or damage due to test impulse currents. However, in the case that the class II SPD is located on the load side of RCBOs, a lot of L-N mode injected currents is split into the RCBO, and a few RCBOs are damaged. Coordination between SPDs and RCDs is not valid and a role of SPDs is of no use. When combining SPDs with RCDs, it is necessary to select SPDs and RCDs in consideration of the protection voltage level of metal oxide varistor embedded in RCDs.
Objectives: This study evaluated the effects of different surface conditioning methods on the bond strength of orthodontic brackets to glazed full-zirconia surfaces. Materials and Methods: Glazed zirconia (except for the control, Zirkonzahn Prettau) disc surfaces were pre-treated: PO (control), polishing; BR, bur roughening; PP, cleaning with a prophy cup and pumice; HF, hydrofluoric acid etching; AA, air abrasion with aluminum oxide; CJ, CoJet-Sand. The surfaces were examined using profilometry, scanning electron microscopy, and electron dispersive spectroscopy. A zirconia primer (Z-Prime Plus, Z) or a silane primer (Monobond-S, S) was then applied to the surfaces, yielding 7 groups (PO-Z, BR-Z, PP-S, HF-S, AA-S, AA-Z, and CJ-S). Metal bracket-bonded specimens were stored in water for 24 hr at $37^{\circ}C$, and thermocycled for 1,000 cycles. Their bond strengths were measured using the wire loop method (n = 10). Results: Except for BR, the surface pre-treatments failed to expose the zirconia substructure. A significant difference in bond strengths was found between AA-Z ($4.60{\pm}1.08MPa$) and all other groups ($13.38{\pm}2.57-15.78{\pm}2.39MPa$, p < 0.05). For AA-Z, most of the adhesive remained on the bracket. Conclusions: For bracket bonding to glazed zirconia, a simple application of silane to the cleaned surface is recommended. A zirconia primer should be used only when the zirconia substructure is definitely exposed.
타이타늄은 지각 구성원소 중 아홉 번째로 풍부한 원소이며, 철과 밀접한 관계를 가지고 있다. 타이타늄 광석으로부터 안료급의 $TiO_2$나 금속 타이타늄 제조를 위한 순수한 $TiCl_4$를 제조하기 위해서는 일메나이트 중에 함유되어 있는 철 성분을 제거하여야 한다. 본 연구에서는 합성 루타일과 $TiO_2$를 제조하는 여러 가지 프로세스를 비교하여 고찰하였다. 대부분의 프로세스는 건식야금과 습식야금을 조합한 것이며, 이러한 프로세스에서는 상당한 량의 철염, 철 산화물 및 폐산이 발생하고 있다. 따라서 일메나이트를 처리하기 위한 새로운 프로세스를 개발하기 위해서는 폐산의 재이용과 철 부산물의 유가 자원화가 중요하다.
rf 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하여 유리기판 위에 $In_2O_3$ : ZnO=90 : 10 $wt.\%$의 조성비를 갖는 indium-zinc-oxide(IZO) 박막을 산소분압 $O_2$/(Ar +$O_2$) : $0\~10 \%$의 Ar가스 분위기에서 제작하였다. IZO 박막의 면저항은 증착 시 유입되는 산소량이 증가함에 따라 현저하게 증가하는데, 순수한 Ar 가스 분위기에서 증착될 때 $3.7\times10^{-4}\Omega\cdot$ cm 정도의 가장 낮은 비저항과 가시광 영역에서 평균 $85\%$ 이상의 투과율을 보이는 박막이 얻어진다. $600^{\circ}C$의 다양한 환경에서 옅처리될 경우, 순수한 Ar 분위기에서 성막된 IZO 박막의 전기적 저항 변화는 박막 내에 포함된 In 또는 InO와 같은 금속 성분들의 결정화와 산화에 의해 설명되어 진다. 또한 IZO 박막을 공기 중에서 열처리하는 동안 $600^{\circ}C$ 이상에서 현저하게 일어나는 산소 흡착과 구조 변화에 의한 전기적 특성들이 조사된다.
The device scale of flash memory was confronted with quantum mechanical limitation. The next generation memory device will be required a break-through for the device scaling problem. Especially, graphene is one of important materials to overcome scaling and operation problem for the memory device, because ofthe high carrier mobility, the mechanicalflexibility, the one atomic layer thick and versatile chemistry. We demonstrate the hybrid memory consisted with the metal-oxide quantum dots and the mono-layered graphene which was transferred to $SiO_2$ (5 nm)/Si substrate. The 5-nm thick secondary $SiO_2$ layer was deposited on the mono-layered graphene by using ultra-high vacuum sputtering system which base pressure is about $1{\times}10^{-10}$ Torr. The $In_2O_3$ quantum dots were distributed on the secondary $SiO_2$2 layer after chemical reaction between deposited In layer and polyamic acid layer through soft baking at $125^{\circ}C$ for 30 min and curing process at $400^{\circ}C$ for 1 hr by using the furnace in $N_2$ ambient. The memory devices with the $In_2O_3$ quantum dots on graphene monolayer between $SiO_2$ thin films have demonstrated and evaluated for the application of next generation nonvolatile memory device. We will discuss the electrical properties to understating memory effect related with quantum mechanical transport between the $In_2O_3$ quantum dots and the Fermi level of graphene layer.
배수성에 따른 심비디움 꽃 향기의 변화를 알아보기 위해 전자코를 이용하여 C. Golden Elf 'Sundust'의 2배체와 4배체 꽃을 PCA(주성분분석)와 DFA(판별함수분석)로 분석한 결과, 꽃 한 송이의 향기는 2배체에 비해 4배체에서 강하게 나타났고, 화기 조직별 향기는 예주가 가장 강하게 나타났으며 꽃잎과 설판은 근접한 패턴을 보였다. 배수성에 따른 심비디움의 분화수명의 차이를 알아보기 위해 C. Golden Elf 'Sundust'와 C. Elma 'Orient Toyo' 분화의 화경을 조사한 결과 개화기간뿐 만 아니라 화경당 화수, 화경장에서 모두 차이가 나타나지 않았다. 본 연구는 심비디움을 비롯한 다른 종류의 난과식물 배수체 육종에 있어 기초자료로 유용하게 활용 될 것이다.
본 연구는 야자유를 190, $220^{\circ}C$에서 24시간 가열한 후 6개의 MOS로 구성된 전자코로 산패정도를 판별하였다. 주성분분석 결과 제1주성분 값이 열처리 시간에 따라 +0.952에서 0.325로 감소하였다. 가열 온도를 높임에 따라 야자유의 산패정도도 증가하였다. 또 다른 방법에 하나로 GC를 바탕으로 한 SAW센서가 부착된 전자코를 사용한 결과 후각이미지가 뚜렷하게 차이가 나는 것을 보여주었다. 160, $220^{\circ}C$에서 가열한 야자유로부터 휘발 성분에 대한 GC peak의 수와 넓이가 가열온도와 가열 처리 시간에 따라 증가함을 보여주었다. 이러한 방법은 신속하면서도 곧바로 알기 쉽게 데이터를 이미지화함으로써 가열 처리된 야자유의 휘발성분을 전자코로 신속하고 간편하게 분석하여 가열 처리 정도가 예측 가능하였다.
만장광산 폐광석 내의 황동석 풍화과정과 용해된 금속이온의 거동을 밝히고자 광물학적 연구를 수행하였다. 광물학적 연구는 반사현미경 관찰, XRD 분석, SEM/EDS 분석을 실시하였다. 현미경 관찰 결과 황동석의 풍화는 주로 입자내의 균열부와 입자 가장자리를 따라 진행되고 있으며, 풍화정도에 따라 4단계로 구분할 수 있었다. 2차 광물에 대한 광물학적 연구결과 침철석, 코벨라이트, 구리탄산염광물(남동석, 공작석), 브로칸타이트 등이 인지되었다. 철수산화광물은 구리와 비소를 흡착하고 있으며, 흡착된 비소의 함량은 결정도가 낮은 경우 상대적으로 높았다. 산화환경에서 황동석의 풍화작용은 입자 내부의 균열부에서 우세하였으나, 코벨라이트와 브로칸타이트로의 치환반응은 입자내부에서 우세하였다. 황화광물의 풍화로 용해된 금속이온(구리, 철, 비소)은 철수산화광물에 흡착, 혹은 구리탄산염광물로 침전 등을 통해 자연적으로 고정화되어지고 있음이 확인된다.
Copper powder dispersed with 4 vol.% of $Cr_2O_3$ was successfully produced by a simple milling at 210 K with a mixture of $Cu_2O$, Cu and Cr elemental powders, followed by Hot Pressing (HP) at 1123 K and 50 MPa for 2h to consolidate the milled powder. The microstructure of the HPed material was characterized by standard metallographic techniques such as XRD (X-ray Diffraction), TEM and STEM-EDS. The results of STEMEDS analysis showed that the HPed materials comprised a mixture of nanocrystalline Cu matrix and $Cr_2O_3$ dispersoid with a homogeneous bimodal size distribution. The mechanical properties of the HPed materials were characterized by micro Vickers hardness test at room temperature. The thermodynamic considerations on the heat of formation, the incubation time to ignite MSR (Mechanically induced Self-sustaining Reaction), and the adiabatic temperature for the heat of displacement reaction between the oxide-metal are made for the delayed formation of $Cr_2O_3$ dispersoid in terms of MSR suppression. The results of TEM observation and hardness test indicated that the relatively large dispersoids in the HPed materials are attributed to the significant coarsening for the high temperature consolidation; this leads to the low Vickers hardness value. Based on the thermodynamic calculation for the operating processes with a limited number of parameters, the formation kinetics and coarsening of the $Cr_2O_3$ dispersoid are discussed.
본 논문에서는 디지털 의료 영상 및 진단 분야 그리고 산업용으로도 활용 가능한 싱글 포톤 계수형 영상센서를 $0.18{\mu}m$ triple-well CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 공정을 사용하여 설계하였다. 설계된 Readout 칩용 싱글 픽셀은 디지털 X-ray 이미지 센서모듈을 간단화 하기 위해 단일 전원전압을 사용하였으며, Preamplifier의 출력 전압인 signal voltage(${\Delta}Vs$)를 크게 하기 위해 Folded Cascode CMOS OP amp를 이용한 Preamplifier를 설계하였으며, 기존의 Readout 칩 외부에서 인가하던 threshold voltage를 Readout 칩 내부에서 생성해 줄 수 있도록 Externally Tunable Threshold Voltage Generator 회로를 새롭게 제안하였다. 그리고, Photo Diode에서 발생하는 Dark Current Noise를 제거하기 위한 Dark Current Compensation 회로를 제안하였으며, 고속 counting이 가능하고, layout 면적이 작은 15bit LFSR(Linear Feedback Shift Resister) Counter를 설계하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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