• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.206-209
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• 2002

With the progress of semiconductor processing technology, avalanohe photodiodes (APDs) based on InP/InGaAs are used for high-speed optical receiver modules. Planar-type APDs give higher reliability than mesa-type APDs. However, Planar-type APDs are struggled with a problem of intensed electric field at the junction curvature, which causes edge breakdown phenomena at the junction periphery. In this paper, we focused on studying the effects of junction curvature for APDs performances by different etching processes followed by single diffusion to from p-n junction. The performance of each process is characterized by observing electric field profiles and carrier generation rates. From the results, it can be understood to predict the optimum structure, which can minimize edge breakdown and improve the manufacturability.

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권1호
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• pp.129-137
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• 1995

AlGaAs/GaAs HBTs have been fabricated using SABM (Self-Aligned Base Metal) process technique. The mesa type HBTs were fabricated through following steps: isolation implant, wet etching, metal lift-off, and airbridge interconnection process. The fabricated HBTs with 2umx10um size emitter showed a common emitter current gain of 10 at a collector current density of Jk=100kA/cm$^{2}$, a breakdown volgate BVCEO of 8V, and the ideality factors of base and collector junctions of 1.6 and 1.1, respectively. On-wafer S-Parameter measurement at 0.5~18GHz has been made for the characterization of the common emitter HBTx with a 2umx10um size emitter. The extrapolated current gain cut-off frequency of ft=30GHz and maximum oscillation frequency of fmax=23 GHz were obtained at a collector current density of Jc=70kA/cm$^{2}$. Small signal HBT equivalent circuit was extracted from the S-Parameter data.

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권6호
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• pp.164-171
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• 1996

We report the experimental resutls on AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) with carbon-doped base structure. To characterize the output power, load-pull mehtod was employed. By characterizing the devices with HP8510C, we extracted the small-signal equivalent circuit. The HBTs were fabricated employing wet mesa etching and lift-off process of ohmic metals. the implementation of polyimide into the fabriction process was accomplished to obtain the lower dielectric constant resultig in significant reduction of interconnect routing capacitance. The fabricated HBTs with an emitter area of 6${\times}14{\mu}m^{2}$ exhibited current gain of 45, BV$_{CEO}$ of 10V, cut-off frequency of 30GHz and power gain of 1 3dBm. To extract the small signal equivalent circuit, the de-embedded method was applied for parasitic parameters and the calculation of circuit equations for intrinsic parameters.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권9호
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• pp.139-145
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• 1994

InGaAsP/InP PBH-DFB-LD emitting at 1.55${\mu}$m wavelength has been fabricated for 2.5Gbps optical fiber communcations. For fabrication of PBH-DFB-LD, Interference expose for grating formation 3-step LPE epitaxial growth were used. Fabricated PBH-DFB-LD operates in single longitudinal mode with larger than 35dB SMSR and wider than 3dB bandwidth of 3GHz. A 8${\mu}$m mesa structure was introduced by channel etching to reuce parasitic capacitance. To reduce pad capacitance, we designed a small electrode. 0.27mW/mA in the case of spectrum shows single logitudinal mode operation with larger thatn 30dB SMSR measured at 5mW.

• 센서학회지
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• 제8권1호
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• pp.32-37
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• 1999

본 연구에서는 다공질 실리콘층을 감습재료로 사용한 메사 구조를 갖는 정전용량형 습도센서를 제작하고 그 특성을 평가하였다. 센서의 구조적 특징은 기존의 웨이퍼 상하에 전극을 배치한 구조와 달리, 두 전극의 위치를 시료의 상부에 두도록 함으로서 집적화를 용이하게 할 뿐만 아니라, 하부 기판과 다른 접합영역으로부터 발생하는 정전용량의 영향을 차단하여 출력신호의 신뢰성을 개선하였다. 이를 위해 산화 다공질 실리콘의 형성과 빠른 에칭특성을 이용하여 메사 구조를 만들고, 다공질 실리콘층의 선택적 형성과 감광막을 마스크막으로 이용하여 다공질 실리콘층을 국부적으로 형성하였다. 그리고 완성된 시료에 대해 상온에서 55 - 90% 이상의 상대 습도 범위에서 감습특성을 측정하였다. 그 결과, 습도가 증가했을 때 측정된 정전용량은 전체적으로 단조 증가하였으며, 120 Hz의 저주파수에서 측정했을 때 정전용량이 300%이상 증가하는 높은 변화를 보였다

• 한국진공학회지
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• 제7권2호
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• pp.161-168
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• 1998

Taguchi가 제안한 강건설계 및 연구자의 주관에 의존하는 통상적인 실험방법을 병 행하여 CH4/H2 유도결합 고밀도 플라즈마를 이용한 InP 소재의 반응성이온에칭에 있어 공 정변수들이 식각특성에 미치는 영향을 분석하고 적정조건을 도출하였다. 연구 결과 ICP전력 은 표면거칠기와 측벽수직도, bias 전력은 식각속도와 수직도에, CH4분율은 수직도와 식각 속도, 석영창과 시료 사이의 거리는 표면 거칠기에 영향을 주는 변수로 작용하였고, 식각속 도에 가장 크게 영향을 주는 변수는 공정압력임을 알 수 있었다. 결과적으로 ICP Power 700W, bias Power 150W, 시편/coil 거리 14cm, 압력 7.5mTorr, 15% $CH_4$의 적정조건에서 시간당 약 3.1$\mu\textrm{m}$의 식각속도와 미려한 표면을 얻어, 기존의 반응성 이온 식각(RIE)과 비교하 여 1.5배 이상의 식각속도를 얻을 수 있었다.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권9호
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• pp.104-113
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• 1994

We have fabricated n-p-n HBTs using 3-inchAlgaAs/GaAs hetero structure epi-wafers grown by MBE. DC and AC characteristics of HBT devices were measured and analyzed. For HBT epi-structure, Al composition of emitter was graded in the region between emitter cap and emitter. And base layer was designed with concentration of 1${\times}10^{19}/cm^{3}$ and thickness of 50nm, and Be was used as the p-type dopant. Principal processes for device fabrication consist of photolithography using i-line stepper, wet mesa etching, and lift-off of each ohmic metal. The PECVD SiN film was used as the inslator for the metal interconnection. HBT device with emitter size of 3${\times}10{\mu}m^{2}$ resulted in cut-off frequency of 35GHz, maximum oscillation frequency of 21GHz, and current gain of 60. The distribution of the ideality factor of collector and base current was very uniform, and the average values of off-set voltage and current was very uniform, and the average values of off-set voltage and current gain were 0.32V and 32 within a 3-inch wafer.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1216-1219
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• 1994

A reflection type SEED from LP-MOCVD grown InGaAs/GaAs ESQW structures, with 5% In fraction, has been fabricated and its basic characteristics were investigated. Its intrinsic region consists of 50 pairs of alternating $100{\AA}$ $In_{0.05}Ga_{0.95}As$ barrier and $100{\AA}$ GaAs layers. And a multilayer reflector stack of $Al_{0.12}Ga_{0.88}As(641{\AA})-/AlAs(774{\AA})$ was vertically integrated below the p-i-n structures. The device processing includes the mesa etching, insulator deposition, indium metallization, and thermal alloy for Ohmic contact. Photocurrent spectrum measurement showed the exciton absorption peak at 905nm and availability as a optical switching device. This device showed a contrast ratio of 2:1 by the reflectance spectrum measurement.

• 대한기계학회논문집B
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• 제38권6호
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• pp.539-545
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• 2014

실리콘 태양전지의 실버 전극과 이미터층 사이의 접촉 비저항은 원형 접촉 비저항 측정법과 선형 비저항 측정법을 이용하여 계측되어 왔다. 원형 접촉 비저항 측정법은 누설 전류를 차단하기 위한 메사 에칭 등의 부가적인 공정이 요구되지 않는 장점이 있으며, 선형 접촉 비저항 측정법은 완성된 태양전지로부터 직접 샘플을 취득하여 측정을 수행할 수 있다는 장점이 있다. 본 연구에서는 이 두 가지 측정법들을 이용하여 실리콘 태양전지 전면 전극의 접촉 비저항을 계산하기 위한 저항값들을 측정할 때 수반되는 문제점들에 대한 비교연구를 수행하였으며, 선형 접촉 비저항 측정법이 실버 전극의 선폭과 두께에 따른 접촉 비저항 변화를 좀더 정확하게 묘사할 수 있는 요인에 대해 설명하였다.

• 한국광학회지
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• 제8권4호
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• pp.327-332
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• 1997

2단계 메사 식각 공정과 유기 금속 화학 증착방법으로 높은 비저항을 갖는 Fe-도핑된 반절연 InP층의 전류 차단층을 갖는 10 Gb/s 광통신용 초고속 1.55.mu.m 궤환형 반도체 레이저 다이오드를 제작하였다. 제작된 DFB-LD의 특성은 발진 임계전류~15 mA, slope efficiency ~0.13 mW/mA, 동 저항 ~6.0.OMEGA.이었고, 발진 파장은 1.546 .mu.m이며, 6 Ith까지의 전류에도 인접 모우드 억압비, SMSR>40dB 이상 (CW상태)으로써 안정된 단일 모우드 동작을 보였다. DFB-LD의 소신호 주파수 특성으로 27 mA의 작은 구동전류에서 이미 -3dB 대역폭이 10 GHz에 도달하였음을 보여주었고, 또한 최대 -3dB 대역폭으로 구동전류 90 mA에서 ~18 GHz까지 얻는 우수한 소신호 주파수 특성을 보여주었다. 10 Gb/s DFB-LD 모듈 전송시험에 있어서, 1.55.mu.m 파장의 레이저 다이오드 모듈로 일반 단일모우드 광섬유와 분산천이 광섬유에 대해서 전송시험한 결과 에러평탄면(error floor)없이 각각 10 km, 80 km를 전송할 수 있었다.