• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2002년도 동계연구발표회 논문개요집
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• pp.80-81
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• 2002

MR(magnetoresistance)은 물질의 저항이 자기장에 의해 변하는 물리적인 변화(physical MR)와 기하학적인 요소, 즉 sample의 모양과 contact의 크기 등에 의한 변화(geometric MR)의 합으로 나타낸다.[1] Physical MR은 자기장에 따른 비저항 또는 이동도(mobility)의 변화로 나타낼 수 있고, geometric MR은 로렌츠 힘에 의해 전류의 흐르는 방향이 변하면서 일어난다. 본 연구에서는 physical MR이 거의 없는 반도체(InAs)와 비교적 큰 physical MR을 가지는 반도체(HgCdTe)의 geometric factor를 고려한 MR의 향상에 대하여 연구하였다. (중략)

• 한국자기학회지
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• 제5권3호
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• pp.210-215
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• 1995

Glass\Cr/sub 40 .angs. /\[Cr/sub 10 .angs. /\NiFe/sub 50 .angs. /]/sub N/ 다층박막을 층수 N = 1, 2, 3, 4, 5, 6, 10에 따라 dc magnetron sputtering 방법에 의해 제작하였다. 이때 자기 이방성의 형성을 위해 제작 중에 자장을 200 Gauss 가했다. 전류 방향과 외부 자장이 수평, 수직에 따라 자기저항 곡선 MR(xx), MR(xy)를 조사하였다. MR(xx) 곡선의 경우 N = 1, 5, 10 경우 자기저항비가 거의 나타나지 않았으며, 나머지 층수의 경우는 외부 자장에 따라 저항이 증가하는 positive magnetoresistance 현상을 보였다. 또한 곡선의 모양도 H = 0 Oe 근처에서 특이하게 반전되는 자기정항 곡선을 보였다. 이런 현상의 물리적 해석을 NiFe 단층박막의 자기저항 곡선과 비교하여 설명 하였다.

• 한국자기학회지
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• 제18권1호
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• pp.28-31
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• 2008

일축 이방성을 가진 퍼멀로이 박막을 제작하여 이방성 자기저항(anisotropic magnetoresistance)에 대하여 연구하였다. 시편의 길이 방향에 대하여 자화 용이축의 각을 $18^{\circ}$씩 기울어지게 변화를 준 5종류의 시편에 대하여 자기저항의 변화를 조사하였다. 박막면에 평행한 인가 자기장에 대하여 시편의 길이 방향과 자화 용이축 사이의 각이 증가함에 따라 세로자기저항(longitudinal magnetoresistance)의 변화 폭은 증가하는 반면, 가로자기저항(transverse magnetoresistance)의 변화 폭은 감소를 나타내었다. 이러한 자화 용이축 변화에 따른 자기저항의 변화를 이방성 자기저항과 일축 이방성을 가진 단일자구 모델로 설명하였다. Magneto-optic Kerr effect를 이용하여 측정한 자구 사진으로부터 자화 스위칭이 일어나는 구간에서 반대 방향의 지구가 생성되고 전파되는 과정을 관측하였으며 이에 대응하는 자기저항의 변화를 관측하였다.

• Journal of Magnetics
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• 제3권1호
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• pp.36-38
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• 1998

We measure the magnetoresistance (MR) of sputtered Permalloy ($Ni_{83}Fe_{17}$) films with external strains produced by piezoelectric tranducer actuators. We observe that the MR raito was increased by 2.3 times by a compressive strain of $3.5{\times}10^{-4}$ compared to that of the as-deposited film. Tensile strains and compressive strains reduced the MR ratio. These observations suggest that it is possible to tune the MR properties through the use of the external strains. We expect to apply the results for the multi-head magnetic recorders with selectively activated recording heads.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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• pp.355-358
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• 2000

Magnetoresistance changes of NiFe thin films were investigated as a function of deposition temperature. DC magnetron sputtering was employed to fabricate Ta/NiFe(t)/Ta thin films on Si(001) substrates with in-situ field or with no-field. The thickness(t) of NiFe films was a range of 4 to 15nm. Substrate temperature was a range of 30 to 400$^{\circ}C$. MR measurement was carried out as a function of angle $\theta$, between external field and current direction. MR ratio increased with increasing substrate temperature, also, max. MR ratio was observed in samples deposited at 300$^{\circ}C$. With increasing upto 400$^{\circ}C$, MR ratio was rapidly decreased in the case of thinner NiFe films. In non-field deposited NiFe films, both angle $\theta$=0, 90。, there was no significant change in MR curves. However, MR curves of in-situ field deposited NiFe films were different in both angles $\theta$=0 and 90。

• Journal of Magnetics
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• 제6권3호
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• pp.83-85
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• 2001

The magnetoresistance properties of NiO/NiFe/Cu/NiFe spin valve film deposited on MgO(100) substrate with YBa$_2$$Cu_3O_7$(YBCO) film were investigated at room temperature and at 77 K. The magnetoresistance (MR) curves of the hybrid superconductor-magnetoresistor film structure showed an exchange coupling field of 300 Oe and an inverse magnetoresistance ratio of -6.5%. The magnetization configurations of the two magnetic layers in the NiO spin valve were antiparallel due to an increment in the conduction electron flow to superconductor YBCO film. This sample showed an inverse MR ratio.

• Journal of Magnetics
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• 제5권4호
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• pp.135-138
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• 2000

In order to study the effect of the magnetic anisotropy on the giant magnetoresistance in a Co/Cu multilayered system, the angle dependent magnetoresistance (MR) was measured. The experimental results showed that the maximum MR ratio depends on the angle between the direction of the applied field and the easy axis. The angular modulation of the MR ratio can be explained by the alignments of the two 'effective' magnetization vectors that are bound to their own easy axes. Two maxima observed in MR loops at the second antiferromagnetic maximum are discussed in relation to the magnetic anisotropy, The simulated results under the assumption of the existence of two in-plane easy axes in the sample are compared with the experiments.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.1050-1053
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• 2001

There is great interest in developing magnetoresistance(MR) sensor, using ferromagnetic, electrically non-magnetic conducting and antiferromagnetic films, especially for the use in weak magnetic fields. Here, we report single and Wheatstone-bridge type of MR sensors made in Si(001)/HiO(300$\AA$)/NiFe bilayers. Angular dependence of MR profiles was measured in Si(001)/NiO(300$\AA$)/NiFe(450$\AA$) films as a function of an angle between current and applied field direction, also, linearity was determined. AMR characteristics of single MR sensors was well explained with single domain model. Good linearity in 45$^{\circ}$Wheatstone-bridge type of MR sensors consisting of 4 single MR sensors made in Si(001)/NiO(300$\AA$)/NiFe(450$\AA$) was shown in the range of about $\pm$50 Oe.

• 한국자기학회지
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• 제8권4호
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• pp.231-240
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• 1998

고밀도 자성박막헤드 및 센서용 3층 자기저항소자의 제작 및 재생신호특성에 대해 연구하였다. 컴퓨터계산모형에 의해 설계된 3층 자기저항소자의 자기저항곡선은 외부자장 -15~+22 Oe 이상에서 포화되었으며, 이 곡선은 약 4 Oe 정도 선형화영역으로 이동되었다. 실제 제작된 소자에서 자기저항곡선은 외부자장 $\pm$15 Oe 이상에서 포화되었으며, tyjs형화 영역으로 4 Oe 만큼 이동되었다. 실제소자와 계산모형에서의 MR 반응곡선은 서로 잘 일치함을 보였다. 또한 실제소자에서 재생출력신호의 실험결과는 외부자장 $\pm$4 Oe 범위 내에서 정현파를 유지하였다. 이 자장 범위 내에서 3층 자기저항소자로 제작된 헤드는 양호한 재생출력특성을 나타낼 것으로 판단된다. 이는 박막물성을 제어하는 진공증착기술과 소자제작의 효율적인 제조공정으로 사용하는데 유익할 것이다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.260-263
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• 2002

There is great interest in developing magnetoresistance(MR) sensor, using ferromagnetic, electrically non-magnetic conducting and antiferromagnetic films, especially for the use in weak magnetic fields. Here, we report single and Wheatstone-bridge type of MR sensors made in Si(001)/NiO($300{\AA}$)/NiFe bilayers. Angular dependence of MR profiles was measured in Si(001)/NiO($300{\AA}$)/NiFe($450{\AA})$ films as a function of an angle between current and applied field direction, also, linearity was determined. AMR characteristics of single MR sensors was well explained with single domain model. Good linearity in $45^{\circ}$ Wheatstone-bridge type of MR sensors consisting of 4 single MR sensors made in Si(001)/NiO($300{\AA}$)/NiFe($450{\AA})$ was shown in the range of about ${\leq}{\pm}5$ Oe.