Equiatomic FePt and CoPt alloy thin films have received considerable attention as possible magnetic and magneto-optic recording because of their high magnetic anisotropy energy and high coercivity. The high coercivity in these thin films is due to the presence of finely dispersed ordered FePt phase mixed with disordered FePt phase. However, a high temperature treatment, either substrate heating during deposition or post annealing, is needed to obtain the ordered L1$\_$0/ phase with high value of magneto crystalline anisotropy. Recent microstructural studies on these films suggest that the average grain size ranges from 10-50 nm and the grains are magnetically coupled between each other. On the other hand, the ultrahigh-density magnetic recording media with low media noise imposes the need of a material, which consists of magnetically isolated grains with size below 10 nm. The magnetic grain isolation can be controlled by the amount of additional non-magnetic element in the system which determines the interparticle separation and therefore the interparticle interactions. Recently, much research work has been done on various non-magnetic matrices. Preliminary studies showed that the samples prepared in B$_2$O$_3$ and Carbon matrices have shown strong perpendicular anisotropy and fine grain size down to 4nm, which suggest these nanocomposite films are very promising and may lead to the realization of a magnetic medium capable of recording densities beyond 1 Tb/in$^2$. So, in this work, the effect of Carbon doping on the magnetic properties of FePt nanoparticles were investigated.
경자성박막을 이용한 자기임피던스센서의 바이어스 자계 인가의 유용성을 알아보기 위해서, SmCo 경자성박막의 조성에 따른 자기적 특성과 이 박막이 아몰퍼스 CoZrNb 연자성박막에 미치는 바이어스 효과에 대하여 조사하였다. 아몰퍼스상을 가지는 SmCo 경자성박막의 포화자화는 Sm 조성이 증가함에 따라 감소하였으며, 보자력은 Sm 조성의 증가에 따라 증가하다가 28 at% 부근에서 약 500 Oe를 나타낸 후 다시 감소하였다. SmCo 박막에 의해서 발생된 바이어스 자계가 CoZrNb 박막에 미치는 효과는 자화곡선과 투자율의 측정, 그리고 자구관찰을 통하여 조사되었다. MI센서로 사용이 가능한 3${\times}$0.5 $\textrm{mm}^2$ 크기의 박막시료에 있어서, 약 60 Oe의 바이어스 자계가 얻어졌으며, 센서의 감도를 최적화하기에 충분한 바이어스 자계를 경자성박막을 이용하여 발생시킬 수 있음을 입증하였다.
본 논문에서는 출발원료 배합비 및 육성 파라미터가 LPE(Liquid Phase Epitaxy)법으로 육성된 자성 가넷 막의 특성에 미치는 영향을 조사하며, 광 CT의 페러데이 회전자용으로서 적합한 막의 육성 조건을 제시한다. 막을 평가하기 위하여 조사한 특성은 막후, 표면 모폴로지, X선 회절, 격자상수, 막과 기판(단결정 비자성 가넷 웨이퍼)사이의 격자상수의 부정합, 페러데이 회전각 등이었다. 또한, 육성된 자성 가넷 막을 이용하여 광 CT를 제작하고, 성능을 평가했다.
The Co-Cr films are one of the most suitable candidates for perpendicular magnetic recording media. The facing targets sputtering(FTS) system has a advantage of preparing films over a wide range of working gas pressure on plasma-free substrate. In this study, we investigated the possibility of employing FTS system for depositing Co-Cr films. The Co-Cr thin films were deposited with various sputter gas pressure($P_Ar$, 0.1~10mTorr) by using FTS apparatus at temperature of $40^{\circ}C and 220^{\circ}C$, respectively. Crystallographic and magnetic characteristics were evaluated by x-ray diffractometry (XRD) and vibrating sample magnetometer(VSM), respectively. Under argon gas pressure at 0.1mTorr, films with morphologically dense microstructure, good c-axis orientation and higher coercivity were obtained. It has been confirmed that the FTS system is very useful for preparing Co-Cr thin film recording media.
In this study, growth and burning behavior of 6061 aluminum alloy was studied under constant anodic voltages at various temperatures and magnetic stirring rates in 20% sulfuric acid solution by analysing I-t curves, measuring thickness and hardness of aluminum anodic oxide (AAO) films, observations of surface and cross-sectional images of AAO films. AAO films were grown continuously at lower voltages than 18.5V but burning occurred when a voltage more than 19V was applied in 20% H2SO4 solution at 20±0.5℃ and 200 rpm of magnetic stirring. The burning was always related with an extremely large increase of anodic current density with anodizing time, suggesting that high heat generation during anodizing causes deteriorations of AAO films by chemical reaction with acidic solutions. The burning resulted in decreases of film thickness and hardness, surface color brightened and formation of porous defects in the AAO films. The burning voltage was found to decrease with increasing solution temperature and decreasing magnetic stirring rate. The decreased burning voltages seem to be closely related with increased chemical reactions between AAO films and hydrogen ions.
Co-ferrite ($CoO-Fe_{2}O_{3}$) thin films have been prepared by two ways of low temperature solid reaction including oxidation process, being based on $Co-layer/{\alpha}-Fe_{2}O_{3}$ films and $Co-layer/Fe_{3}O_{4}$ films. Magnetic properties of both Co-ferrite films have been measured and compared. The samples from $Co-layer/Fe_{3}O_{4}$ films have a large coercive force in the direction perpendicular and have a great poler kerr rotation angle at wavelength 700 nm than ones from $Co-layer/{\alpha}-Fe_{2}O_{3}$ films. The typical magnetic properties are as follows; saturation magnetization $4{\pi}Ms$, 2.9 kG; remnant magnetization $4{\pi}Mr$, 2.0 kG; coercive force Hc, 4.0 kOe; kerr rotation angle ${\PHI}k$, 0.39 deg($\lambda\;=\;700\;nm$); and initial magnetization energy E, $3.3\;{\times}\;10^6\;erg/\textrm{m}^3$, respectively.
Kim, Wookje;Kim, Wondong;Kim, Hyunjo;Kim, Jae-Young;Hoon Kho;Park, J.H.;Oh, S.J.
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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pp.169-169
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1999
We studied magnetic properties of co thin films deposited on Pd (111) surface, which attracted much attention recently due to the perpendicular magnetic anisotropy, using magnetic circular dichroism(MCD). Special attention was paid on the effect of Pd capping and interface roughness on the direction of magnetic easy axis, and for that purpose MCD signals for all Co thicknesses were measured with two different ways : in-plane and out-of-plane geometry. In case of bare Co films deposited on smooth Pd(111) surface, no MCD signal was observed under 4$\AA$ co thickness. At 4$\AA$ Co thickness, MCD signal at the out-of-plane geometry was observed, and for thicker Co films, only in-plane MCD signal was measured. This type of magnetic easy axis transition has been reported for other cases like Co/Pt system. The effect of 5$\AA$ Pd capping on these bare Co films made an remarkable change on the transition of magnetic easy axis. Out-of-plane MCD signals exists up to 20$\AA$ Co thickness, and disappears at 24$\AA$ Co thickness. In-plane MCD signals first appears at 10$\AA$ Co thickness and gradually increases up to 24$\AA$ Co thickness. Between 10$\AA$ and 20$\AA$ Co thickness, in-plane and out-of-plane MCD signal coexist. The formation of multi-domain structure or the existence of tilted magnetic easy axis is an possible scenario for such an interesting coexistence. The effect of interface roughness was also tested by measuring MCD signal on Co films deposited on un-annealed Pd(111) surface. Out-of-plane MCD signal was observed up to 8$\AA$ Co thickness and the anisotropy of MCD signal at 4$\AA$ Co thickness was very large with respect to that of Co film deposited on the smooth substrate. Above 8$\AA$ thickness, there exists only in-plane MCD signal. From above results, it was concluded that both Pd capping and interface roughness induce and reenforce the perpendicular magnetic anisotropy. The large perpendicular magnetic anisotropy of Co/Pd multilayer system made by sputtering method can be well understood from our results.
The low energy excitations of spin waves (SWR) in thin films can be used for determination of the surface anisotropy constant and the nonhomogeneities of magnetization in the close-to-surface layer. The dispersion relation in SWR is sensitive on the geometry of experiment. We report on temperature dependence of surface magnetic anisotropy energy constant in magnetic semiconductor thin films of$ CdCr_{2-2x}In_{2x}Se_4$ at spin glass state. Samples were deposited by rf sputtering technique on Corning glass substrate in controlled temperature conditions. Coexistence of the infinite ferromagnetic network (IFN) and finite spin slusters (FSC) in spin glass state (SG) is know phenomena. Some behavior typical for long range magnetic ordering is expected in samples at SG state. The spin wave resonance experiment (microwave spectrometer at X-band) with excited surface modes was applied to describe the energy state of surface spins. We determined the surface magnetic anisotropy energy constant versus temperature using the surface inhomogeneities model of magnetic thin films. It was found that two components contribute to the surface magnetic anisotropy energy. One originates from the exchange interaction term due to the lack of translation symmetry for surface spin as well as from the originates from the exchange interaction term due to the lack of translation symmetry for surface spin as well as from the stray field of the surface roughness. The second one comes from the demagnetizing field of close-to surface layer with grad M. Both term linearly decrease when temperature is increased from 5 to 123 K, but dominant contribution is from the first component.
In this work, the $Ta_2O_5$ thin films were deposited on Pt/n-Si substrate by reactive magnetron sputtering and the RTA treatment at temperatures range from 650 to $750^{\circ}C$ in $O_2$ and vacuum. X-ray diffraction analysis, FE SEM, dielectric properties and leakage current density have been used to study the structural and electrical properties of the $Ta_2O_5$ thin films. XRD result showed that as- deposited films were amorphous and the annealed films crystallized (<$700^{\circ}C$) into ${\beta}-Ta_2O_5$. The crystallinity increased with temperature in terms of an increase in the intensity of the diffracted peaks(${\beta}-Ta_2O_5$) and annealing in oxygen reduced defect dang1ing Ta-O bonds. As deposited $Ta_2O_5$ films show the leakage current density $10^{-7}$ to $10^{-8}$ (A/$cm^2)$ at low electric fields (<200 kV/cm) However, it was found leakage current density of $Ta_2O_5$ thin films decreased with $O_2$ ambient annealing. The dielectric constant of the as deposited $Ta_2O_5$ thin films was ${\varepsilon}_r$$9{\sim}11$ but the dielectric constant was increased after RTA treatment in $O_2$ ambient more then in vacuum.
Nanocrystalline Fe-Sm-O thin films were prepared by RF magnetron reactive sputtering method in $Ar+O_2$mixed atmosphere with the $O_2$content of 5%. The compositions of the thin films were changed by changing the number of $Sm_2O_3$ chips. The best soft magnetic properties of the thin film with the composition of $Fe_{83.4}Sm_{3.4}O_{13.2}$ were saturation flux density of 18 kG, coercivity of 0.82 Oe and effective permeability about 2,600 at 0.5~100 MHz, respectively. The electrical resistivity of Fe-Sm-O thin films was increased with increasing the amount of Sm and O elements which combined each other, the electrical resistivity of$Fe_{83.4}Sm_{3.4}O_{13.2}$ thin film was $130{\mu}{\Omega}cm$. In case of the small amount of Sm and O elements, the microstructures of Fe-Sm-O thin films showed a precipitated phase of $Sm_2O_3$ on the ${\alpha}-Fe$ phase. With the increase of the amount of Sm and O elements, the microstructures of the Fe- Sm-O thin films were changed into a mixed structure of ${\alpha}-Fe$ crystal-phase and Sm-oxide amorphous phase. The Fe-Sm-O thin films with Fe content in the range of 72~94 at% exhibited the quality factor (Q = $\mu$′/$\mu$") of 7~75 up to 50 MHz.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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