InGaZnO (IGZO) thin-film transistors (TFTs) are very promising due to their potential use in high performance display backplane [1]. However, the stability of IGZO TFTs under the various stresses has been issued for the practical IGZO applications [2]. Up to now, many researchers have studied to understand the sub-gap density of states (DOS) as the root cause of instability [3]. Nomura et al. reported that these deep defects are located in the surface layer of the IGZO channel [4]. Also, Kim et al. reported that the interfacial traps can be affected by different RF-power during RF magnetron sputtering process [5]. It is well known that these trap states can influence on the performances and stabilities of IGZO TFTs. Nevertheless, it has not been reported how these defect states are created during conventional RF magnetron sputtering. In general, during conventional RF magnetron sputtering process, negative oxygen ions (NOI) can be generated by electron attachment in oxygen atom near target surface and accelerated up to few hundreds eV by self-bias of RF magnetron sputter; the high energy bombardment of NOIs generates bulk defects in oxide thin films [6-10] and can change the defect states of IGZO thin film. In this study, we have confirmed that the NOIs accelerated by the self-bias were one of the dominant causes of instability in IGZO TFTs when the channel layer was deposited by conventional RF magnetron sputtering system. Finally, we will introduce our novel technology named as Magnetic Field Shielded Sputtering (MFSS) process [9-10] to eliminate the NOI bombardment effects and present how much to be improved the instability of IGZO TFTs by this new deposition method.
K. J. Song;Park, S. J.;Kim, S. W.;Park, C.;J. H. Joo;Kim, H. J.;J. K. Chung;R. K. Ko;H. S. Ha
한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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제5권3호
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pp.6-10
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2003
Silver nano-powder was added to Ma $B_2$ to make (Ag)$_{(x)wt.%}$(Mg $B_2$)$_{(l00-x)wt.%}$ (A $g_{x}$-Mg $B_2$) (10 $\leq$ x $\leq$ 50) composite superconductors to investigate the effect of the Ag nano-powder on the vortex pinning. Pellets made out of the mixed powder were put inside stainless steel tubes, which were sintered at 85$0^{\circ}C$ in Ar atmosphere. No impurity phase was identified for as-rolled samples. However, both the Mg $B_2$ and the A $g_{x}$-Mg $B_2$ composite pellets, when sintered, contain small amount of Mg $B_4$ and MgAg impurity phases. From the magnetization study, it was found that the flux pinning was improved in the high magnetic field region (> 3 T) only when 10w/o Ag was added to Mg $B_2$. The "two step" structures in ZFC M(T) curve gradually increased as the amount of Ag added increased. Pinning centers can be created by adding a suitable amount of Ag nano-powder which is not too large to increase the decoupling between the Mg $B_2$ grains.crease the decoupling between the Mg $B_2$ grains.
Hybrid fault current limiters (FCL) have been researched at Yonsei University. The hybrid FCL has advantages such as having a rapid response to a sudden fault situation and a fast recovery time from a quench. It consists of an asymmetric HTS coil, a switching module, and a bypass reactor. The asymmetric HTS coil is wound with two different types of HTS wires in an opposite direction so that it has nearly zero inductance at the superconducting state. When the quench occurs at the fault state, a strong magnetic field is generated from the asymmetric coil because of different quench characteristics of two HTS wires, and then a repulsive force is induced in the switching module. The force opens the switch and the fault current is pushed into the bypass reactor. In this research, we analyzed the cause of the repulsive force and confirmed, experimentally and computationally, that the magnitude of a repulsive force is varied by changing the gap distance between the asymmetric coil and the switching module. By using the FEM simulation, we calculated the repulsive force with respect to the gap distance and verified that the effect of the gap distance. Then, short circuit test was carried out to confirm the correct operation of the fast switch.
Bacterial strain BAS23 was isolated from rice field soil and identified as Bacillus amyloliquefaciens. Based on dual culture method results, the bacterium BAS23 exhibited potent in vitro inhibitory activity on mycelial growth against a broad range of dirty panicle fungal pathogens of rice (Curvularia lunata, Fusarium semitectum and Helminthosporium oryzae). Cell-free culture of BAS23 displayed a significant effect on germ tube elongation and mycelial growth. The highest dry weight reduction (%) values of C. lunata, H. oryzae and F. semitectum were 92.7%, 75.7%, and 68.9%, respectively. Analysis of electrospray ionization-mass spectrometry (ESI-MS) and $^1H$ nuclear magnetic resonance (NMR) spectroscopy revealed that the lipopeptides were iturin A with a C14 side chain (C14 iturinic acid), and a C15 side chain (C15 iturinic acid), which were produced by BAS23 when it was cultured in nutrient broth (NB) for 72 h at $30^{\circ}C$. BAS23, the efficient antagonistic bacterium, also possessed in vitro multiple traits for plant growth promotion and improved rice seedling growth. The results indicated that BAS23 represents a useful option either for biocontrol or as a plant growth-promoting agent.
An electromagnetic flowmeter(EMF) essentially averages the velocity distribution over the pipe cross- sectional area, and the measured value is dependent on the velocity profiles. In this study, installation effects of 90$^{\circ}$long elbow(KS B 1522, ISO 3419) on the EMF characteristics was investigated. A commercial EMF was adopted and the distribution of magnetic field in the electrodes cross section was measured. In the experiment, the national flow standard system, of which measurement uncertainty was evaluated in accordance with ISO 17025 recommendation, was used fur characterization of EMF. The leading line has 150D long straight pipe to established a fully developed flow before entering into the elbow and the elbow was installed downstream of it. then the flowmeter was tested within 50 D from the elbow. The installation effects of the flowmeter were investigated by varying the mean velocity(Reynolds No.)in pipe section, the locations and the direction of electrodes plane.($\phi$) From the experimental results, we find the optimal conditions to get most accurate measurements. Generally, the deviations from the calibration value were less than 0.5 % in farther than 10D distance from the elbow and the direction of electrode plane. $\phi$ = 90$^{\circ}$yielded the smallest measurement deviation. These characteristics were shown consistently in turbulent region regardless of the mean Reynolds number.
We investigated the flux pinning properties of both 10 mol% Zr-and Sn-doped $YBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$ (YBCO) films with the same thickness of ~350 nm for a comparative purpose. The films were prepared on the $SrTiO_3$ (STO) single crystal substrate by the metal-organic deposition (MOD) process. Compared with Sn-doped YBCO film, Zr-doped one exhibited a significant enhancement in the critical current density ($J_c$) and pinning force density ($F_p$). The anisotropic $J_{c,min}/J_{c,max}$ ratio in the field-angle dependence of $J_c$ at 77 K for 1 T was also improved from 0.23 for Sn-doped YBCO to 0.39 for Zr-doped YBCO. Thus, the highest magnetic $J_c$ values of 9.0 and $2.9MA/cm^2$ with the maximum $F_p$ ($F_{p,max}$) values of 19 and $5GN/m^3$ at 65 and 77 K for H // c, respectively, could be achieved from Zr-doped YBCO film. The stronger pinning effect in Zr-doped YBCO film is attributable to smaller $BaZrO_3$ (BZO) nanoparticles (the average size ${\approx}28.4$ nm) than $YBa_2SnO_{5.5}$ (YBSO) nanoparticles (the average size ${\approx}45.0$ nm) incorporated in Sn-doped YBCO film since smaller nanoparticles can generate more defects acting as effective flux pinning sites due to larger incoherent interfacial area for the same doping concentration.
Kim, Jin-Tae;Kang, W.N.;Chung, S.H.;Ha, D.H.;Yoo, K.H.;Kim, M.S.;Lee, Sung-Ik;Park, Y.K.;Park, J.C.
Progress in Superconductivity
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제1권1호
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pp.1-8
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1999
The magnetization and/or resistivity of high $T_c$ superconductors ($YBa_2Cu_3O_{7-\delta}$(YBCO) single crystal, $Bi_2Sr_2CaCu_2O_8$ (Bi-2212) single crystal, $Tl_2Ba_2CaCu_2O_8$ (Tl-2212) film, $HgBa_2Ca_2Cu_3O_8$ (Hg-1223) film) have been measured as a function of magnetic field H and temperature T. The extracted fluctuation part of the magnetization and conductivity exhibits a critical behavior consistent with the three-dimensional XY model. The dynamic critical exponent z does not sensitively vary with a type of the superconductors. The value of z ranges from 1.5 to $1.8{\pm}0.1$. However, the static critical exponent ${\nu}$ is the most largely increased in Tl-2212 that has a weaker interlayer coupling strength than YBCO; the value of ${\nu}$ is 0.669, 0.909, 1.19, and 1.338 for YBCO, Bi-2212, Hg-1223, and Tl-2212 respectively. The results indicate that the weak interlayer coupling along the c-axis of high $T_c$ superconductors near $T_c$ does not influence the dynamic critical exponent z (the same value of superfluid $^4He$), but significantly increases the static critical exponent ${\nu}$.
Amorphous InGaZnO (${\alpha}$-IGZO) thin-film transistors (TFTs) are are very promising due to their potential use in thin film electronics and display drivers [1]. However, the stability of AOS-TFTs under the various stresses has been issued for the practical AOSs applications [2]. Up to now, many researchers have studied to understand the sub-gap density of states (DOS) as the root cause of instability [3]. Nomura et al. reported that these deep defects are located in the surface layer of the ${\alpha}$-IGZO channel [4]. Also, Kim et al. reported that the interfacial traps can be affected by different RF-power during RF magnetron sputtering process [5]. It is well known that these trap states can influence on the performances and stabilities of ${\alpha}$-IGZO TFTs. Nevertheless, it has not been reported how these defect states are created during conventional RF magnetron sputtering. In general, during conventional RF magnetron sputtering process, negative oxygen ions (NOI) can be generated by electron attachment in oxygen atom near target surface and accelerated up to few hundreds eV by self-bias of RF magnetron sputter; the high energy bombardment of NOIs generates bulk defects in oxide thin films [6-10] and can change the defect states of ${\alpha}$-IGZO thin film. In this paper, we have confirmed that the NOIs accelerated by the self-bias were one of the dominant causes of instability in ${\alpha}$-IGZO TFTs when the channel layer was deposited by conventional RF magnetron sputtering system. Finally, we will introduce our novel technology named as Magnetic Field Shielded Sputtering (MFSS) process [9-10] to eliminate the NOI bombardment effects and present how much to be improved the instability of ${\alpha}$-IGZO TFTs by this new deposition method.
가압경수형 원자력발전소 일차계통에서 발생되는 방사성 부식생성물(크러드)은 원자력발전소 작업종사자 피폭의 주요원인이다. 또한, 최근 원자력발전소의 장주기운전 추세에 따라 장기간 노심에 침적된 방사성 부식생성물은 hideout 현상으로 노심의 출력에 영향을 주는 축방향이상출력(AOA) 현상의 원인이 되고 있다. 크러드의 주요 성분은 마그네타이트, 니켈페라이트, 코발트페라이트가 주를 이루며, 이러한 산화물 형태는 강자성의 자기적 성질을 가지고 있다. 따라서, 전자석과 영구자석의 적절한 배치를 통하여 자기장을 발생시켜 크러드를 제거하는 필터 개발을 위해 개념 설계를 하였다. 기존의 필터와 달리 유체의 흐름을 방해하지 않아 압력저하 현상이 발생하지 않고, 연속적으로 사용할 수 있는 장점이 있다. 크러드 제거 기술의 하나로써 활용될 수 있을 것으로 기대된다.
선형유도전동기와 같은 속도기전력을 포함하는 운동자계 문제를 Galerkin 법을 이용하는 FEM으로 해석할 경우, Peclet Number의 값에 따라 해가 오실레이션 할 수 있으므로 해의 안정성이 떨어지게 되며, 더불어서 2차측 Back-Iron에서 자속이 외부와 쇄교하지 못하고 내부에서 맴도는 자속 맴돌이 현상이 발생하게 된다. 이 경우, 일반적으로 Up-Wind 기법을 이용하여 자속의 맴돌이 현상을 해결하게 되는데, 범용 S/W Tool(Maxwell 2D)의 경우 Up-Wind 기법을 적용하기가 힘들다. 따라서 본 논문에서는 Peclet Number 값에 따른 선형유도전동기의 2차측 Back-Iron에서 발생하는 자속의 맴돌이 현상을 살펴보고, 자속의 맴돌이 현상이 선형유도전동기의 동특성에 어떠한 영향을 끼치는지를 분석하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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