• 제목/요약/키워드: low-field magnetoresistance

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GIANT MAGNETORESISTANCE AND LOW MAGNETOSTRICTION IN DISCONTINUOUS NiFe/Ag MULTILAYER THIN FILMS

  • Kim, Young-Keun
    • 한국자기학회지
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    • 제6권3호
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    • pp.189-193
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    • 1996
  • Magnetoresistance field sensitivity and magnetostriction were measured as a function of annealing temperature for NiFe/Ag multilayer systems displaying giant magnetoresistance. Key multilayer configurations such as number of NiFe/Ag bilayers and Ag spacer thickness were varied. A high giant magnetoresistance ratio up to 5% with zero magnetostriction and high magnetoresistance field sensitivity was possible to achieve simultaneously with optimal sample geometry and annealing condition.

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MAGNETORESISTANCE OF NiFeCo/Cu/NiFeCo/FeMn MULTILAYERED THIN FILMS WITH LOW SATURATION FIELD

  • Bae, S.T.;Min, K.I.;Shin, K.H.;Kim, J.Y.
    • 한국자기학회지
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    • 제5권5호
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    • pp.570-574
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    • 1995
  • Magnetoresistance of NiFeCo/Cu/NiFeCo/FeMn uncoupled exchange biased sandwiches has been studied. The magnetoresistance change ratio, ${\Delta}R/R_{s}$ showed 4.1 % at a saturation field as low as 11 Oe in $Si/Ti(50\;{\AA})/NiFeCo(70\;{\AA})/Cu(23\;{\AA})/NiFeCo(70\;{\AA})/FeMn(150\;{\AA})/Cu(50\;{\AA})$ spin valve structure. In this system, the magnetoresistance was affected by interlayer material and thickness. When Ti and Cu were used as the interlayer material in this structure, maximum magnetoresistance change ratio were 0.32 % and 4.1 %, respectively. 6.1 % MR ratio was obtained in $Si/Ti(50\;{\AA})/NiFeCo(70\;{\AA})/Cu(15\;{\AA})/NiFeCo(70\;{\AA})/FeMn(150\;{\AA})/Cu(50\;{\AA})$ spin valve structure. The magnetoresistance change ratio decreased monotonically as the interlayer thickness increased. It was found that the exchange bias field exerted by FeMn layer to the adjacent NiFeCo layer was ~25 Oe, far smaller than that reported in NiFe/Cu/NiFe/FeMn spin valve structure(Dieny et. al., ~400 Oe). The relationship between the film texture and exchange anisotropy ha been examined for spin valve structures with Ti, Cu, or non-buffer layer.

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Electrical Transport Properties and Magnetoresistance of (1-x)La0.7Sr0.3MnO3/xZnFe2O4 Composites

  • Seo, Yong-Jun;Kim, Geun-Woo;Sung, Chang-Hoon;Lee, Chan-Gyu;Koo, Bon-Heun
    • 한국재료학회지
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    • 제20권3호
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    • pp.137-141
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    • 2010
  • The $(1-x)La_{0.7}Sr_{0.3}MnO_3(LSMO)/xZnFe_2O_4$(ZFO) (x = 0, 0.01, 0.03, 0.06 and 0.09) composites were prepared by a conventional solid-state reaction method. We investigated the structural properties, magnetic properties and electrical transport properties of (1-x)LSMO/xZFO composites using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), field-cooled dc magnetization and magnetoresistance (MR) measurements. The XRD and SEM results indicate that LSMO and ZFO coexist in the composites and the ZFO mostly segregates at the grain boundaries of LSMO, which agreed well with the results of the magnetic measurements. The resistivity of the samples increased by the increase of the ZFO doping level. A clear metal-to-insulator (M-I) transition was observed at 360K in pure LSMO. The introduction of ZFO further downshifted the transition temperature (350K-160K) while the transition disappeared in the sample (x = 0.09) and it presented insulating/semiconducting behavior in the measured temperature range (100K to 400K). The MR was measured in the presence of the 10kOe field. Compared with pure LSMO, the enhancement of low-field magnetoresistance (LFMR) was observed in the composites. It was clearly observed that the magnetoresistance effect of x = 0.03 was enhanced at room temperature range. These phenomena can be explained using the double-exchange (DE) mechanism, the grain boundary effect and the intrinsic transport properties together.

$La_{2/3}Sr_{1/3}MnO_3SiO_2/Si(100)$ 박막의 저-자장 터널형 자기저항변화의 두께 의존성 (Thickness Dependence of Low-Field Tunnel-Type Magnetoresistance in$La_{2/3}Sr_{1/3}MnO_3SiO_2/Si(100)$ Thin Films)

  • 심인보;안성용;김철성
    • 한국자기학회지
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    • 제11권3호
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    • pp.97-103
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    • 2001
  • Water-based 졸겔 증착법을 이용하여 디결정체 La$_{2}$3/Sr$_{1}$3/MnO$_3$(LSMO) 박막을 2000$\AA$ 두께의 열 산화층을 갖는 Si(100) 기판상에 제조하여 상온에서 LSMO박막의 두께변화 따른 저 자장영역(120 Oe)에서의 터널형 자기저항 변화를 연구하였다. XRD 회절분석 결과 단일상의 페롭스카이트 결정구조임을 알 수 있었으며 RBS 스펙트럼 분석결과 박막의 조성비 La:Sr:Mn:O는 0.67:0.33:1.0:3.0임을 알 수 있었다. LSMO 박막의 자성특성 측정결과 두께 증가에 따라 포화자화는 750$\AA$까지 급격한 증가현상을 보이다 150$\AA$을 기점으로 점차 감소하는 경향을 나타내고 있으며, 보자력은 800 $\AA$ 까지 급격한 증가를 보이다 일정해지는 경향을 볼 수 있었다. 저 자장영역에서의 터널형 자기저항 변화비는 약 1500 $\AA$의 두께 영역에서 최대값을 나타냄을 알 수 있었다. 이러한 저 자장 영역에서 LSMO 박막의 터널형 자기저항 변화비의 두께 의존성은 LSMO 박막과 Si 기판의 계면에 존재하는 상호확산 현상에 의한 dead layer의 존재 및 LSMO 박막의 열처리시 발생되는 열 격자 변형 효과로 설명하였다.

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저차원 나노구조체의 거대자기저항 현상에 대한 연구: CIP-와 CPP-구조에 대한 자기저항 현상의 주요 연구 및 응용 (Giant Magnetoresistance in Low Dimensional Structures: Highlights and Applications of CIP- and CPP-GMR)

  • 장은영;김태희
    • 한국자기학회지
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    • 제17권5호
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    • pp.210-214
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    • 2007
  • 저차원 구조체에서 스핀의존산란에 의한 거대자기저항의 주요 연구들을 정리하였다. 본 논문에서는 다층박막, 나노선, 그리고 나노필러 등의 저차원 구조체에서 효율적인 자기저항의 제어에 대한 연구결과들을 양자역학적 차원에서 되 집어 보고 앞으로 스핀트로닉스 분야의 연구가 나갈 방향에 대해 논의하고자 한다.

Analysis of Spin Valve Tunneling Magnetoresistance Sensor for Eddy Current Nondestructive Testing

  • Kim, Dong-Young;Yoon, Seok-Soo;Lee, Sang-Hun
    • 비파괴검사학회지
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    • 제28권6호
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    • pp.524-530
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    • 2008
  • The spin valve tunneling magnetoresistance (SV-TMR) sensor performance is analyzed using Stoner-Wohlfarth model for the detection of eddy current signals in nondestructive testing applications. The SV-TMR response in terms of the applied AC magnetic field dominantly generates the second harmonic amplitude in hard axis direction. The second harmonic eddy current signal detection using SV-TMR sensor shows higher performance than that of the coil sensor at lower frequencies. The SV-TMR sensor with high sensitivity gives a good solution to improve the low frequency performance in comparison with the inductive coil sensors. Therefore, the low frequency eddy current techniques based on SV-TMR sensors are specially useful in the detection of hidden defects, and it can be applied to detect the deeply embedded flaws or discontinuities in the conductive materials.

${[Ni/Fe/Cu]}_{20}$ 다층 박막의 자기저항 특성에 관한 연구 (A study on the magnetoresistive characteristics of ${[Ni/Fe/Cu]}_{20}$ multilayers)

  • 이후산;민경익;주승기
    • 한국자기학회지
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    • 제3권4호
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    • pp.289-292
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    • 1993
  • 3-Gun 고주파 마그네트론 스퍼터링법에 의해 [Ni/Fe/Cu] 다층박막과 [Fe/Ni/Fe/Cu] 다층 박막을 제조하고 Ni/Fe 두께비에 따른 자기저항특성을 조사하였다. 열처리에 의한 효과를 고나찰하기 위하여 진공열처리를 행하였다. 두 종류의 다층박막에서 사잇층 Cu 두께에 따른 자기저항의 진동 현 상을 관찰할 수 있었다. Ni과 Cu의 계면에 삼입된 Fe 두께가 약 $3\;\AA$일때 자기저항이 극대값을 보 였으며, Fe 두께가 $1~2\;\AA$일때 자기저항은 이에 비해 크게 감소하지 않았으나, 포화자장은 현저 히 감소하는 것으로 나타났다. ${[Fe(1\;\AA)/Ni(18\;\AA)/Fe(1\;\AA)/Cu(23\;\AA)]}_{20}Fe(80\;\AA)/Si$ 시편의 경우, 100 Oe의 포화자장에서 6%의 자기저항을 얻을 수 있었다. 열처리에 의해서는 자기저항이나 큰 변화를 관찰할 수 없었으며, 합금상 형성 여부는 확인할 수 없었다.

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