3G부터 4G LTE까지의 전체 대역에 적용이 가능한 저전력, 광대역 저잡음증폭기를 설계하였다. 설계한 광대역 다중입력 저잡음증폭기는 기존의 3G인 CDMA의 대역인 1.2GHz대역과 LTE대역인 2.5GHz대역까지 넓은 주파수 대역을 안정적으로 증폭이 가능하고, 다중입력방식을 통해 입력신호의 크기에 관계없이 안정적인 증폭이 가능하도록 설계하였다. 설계된 저잡음증폭기는 1.2V의 공급전압에서 약 0.6mA의 전류를 소모하고, 이는 Cadence사의 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 검증하였다. 낮은 입력신호에 대응한 증폭은 최대 20dB이고, 신호에 따라 최저 -10dB의 이득값을 얻을 수 있었다. 잡음특성(NF : Noise Figure)은 High Gain모드에서 15dB이하, Low Gain 모드에서 3dB이하를 가진다.
본 논문에서는 5.25 GHz에서 넓은 이득 제어범위를 갖는 저전력 가변 이득 프론트-엔드를 설계하였다. 넓은 이득 제어범위를 갖기 위해, 제안된 저잡음 증폭에서는 가변이득 증폭기의 소스에 p-타입 트랜지스터를 연결하였다. 이 방법을 통해 증폭기의 바이어스 전류와 소스 임피던스를 동시에 조절할 수 있었다. 따라서 제안된 저잡음 증폭기는 넓은 이득 제어범위를 갖는다. 믹서에서는 입력 트랜스컨덕턴스단으로 p-타입 트랜지스터를 사용한 폴디드 구조가 제안되었다. 이 구조에서 믹서는 작은 공급 전압에서 각 단에 필요한 만큼의 전류만 흘려주기 때문에 저전력에서도 작동을 할 수 있다. 제안된 프론트-엔드는 최대 33.2 dB의 이득과 17 dB의 넓은 이득 제어범위를 갖는다. 이 때, 잡음지수와 IIP3는 각각 4.8 dB, -8.5 dBm을 갖는다. 이러한 동작을 하는 동안, 제안된 회로는 최대 이득상태에서 7.1 mW, 최소 이득상태에서 2.6 mW의 적은 전력을 소비한다. 시뮬레이션 결과는 TSMC $0.18\;{\mu}m$ CMOS 공정에서 Cadence를 이용하여 얻어졌다.
In high data-rate communication systems, encryption/decryption must be processed in high speed. In this paper, we implement CCM security mode which is the basis of security. Specifically, we combine CCM with AES block encryption algorithm in hardware. With the combination, we can carry out encryption/decryption as well as data transmission/reception simultaneously without reducing data-rate, and we keep low-power consumption with high speed by optimizing CCM block.
This paper presents a systematic design procedure of $H_{\infty}$ controller of TCSC for damping low frequency inter-area oscillations in large power systems. Sensitivities of the inter-area mode for changes in line susceptance are computed using the eigen-sensitivity theory of augmented system matrix and TCSC locations are selected using the line sensitivities. The reduced model required for designing a manageable-size $H_{\infty}$ controller is obtained using the reduced frequency domain system identification method and the various weighting functions are tuned systematically to provide a robust performance. The proposed $H_{\infty}$ controller proved to be very effective for damping the inter-area mode of the large KEPCO power system.
In this study, a low temperature sintering multilayer piezoelectric transformer for a DC-DC converter was manufactured using $(Pb,Ca,Sr,)(Ti,Mn,Sb)O_3$ ceramics. Its electrical properties were investigated according to the variation in frequency and load resistance. The voltage step-up ratio of the multilayer piezoelectric transformer showed a maximum value at a resonant frequency of input part and increased with an increase of load resistance. The efficiency of the multilayer piezoelectric transformer showed the highest value at a load resistance of 17 $\Omega$. The output power was increased with increasing input voltage. Temperature increase of the multilayer piezoelectric transformer was increased with the increase of output power. At the load resistance of 17 $\Omega$, the multilayer piezoelectric transformer showed the temperature rises of about $20^{\circ}C$ at the output power of 18 W, and stable driving characteristics.
신경자극반응 측정 플랫폼을 구현하는데 있어서 손가락 움직임을 감지하는 것이 중요한 요소로 작용하고 있다. 이것은 손가락의 움직임에 따라 신경자극과 근육반응이 달라지기 때문이다. 즉, 손가락의 움직임을 감지해서 신경 자극 Actuator 및 근육 반응 감지를 위한 H/W 개발이 필요한 것이다. 또한 임베디드 기반으로 가기위한 저전력 CPU를 사용하였다. H/W 구성은 isolation power부분, 정전류조절, High impedance INA, 증폭기부분이 있으며 Micro-controller에서는 stimulus mode 및 Current 의 상태를 통제하고, AD converter를 통해 얻어진 Low Data를 처리 시스템을 구현한다.
A large number of soft switching topologies included a resonant circuit have been proposed. But these circuits increase number of switch in circuit and complicate sequence of switching operation. In this paper, the authors propose power conversion system, DC-AC inverter of high efficiency and high power factor with soft switching mode by partial resonant method. The switching devices in a proposed circuits are operated with soft switching by the partial resonant method, that is, PRS2MPC (Partial Resonant Soft Switching Mode Power Converter). The result is that the switching loss is very low and the efficiency of system is high. And the snubber condenser used in partial resonant circuit makes charging energy regenerated at input power source for resonant operation.
A helical inductively coupled plasma asher, which produces low energy and high density plasma, has been built and investigated for photoresist stripping process. Oxygen ion density in the order of $10^{11}/cm^3$ is measured by Langmuir probe, and higher oxygen radical density is observed by Optical Emission Spectrometer. As RF source power is increased, the plasma density and thus photoresist stripping rate are increased. Independent RF bias power to the wafer stage provides a dc bias to the wafer and an ability to add the ion assisted reaction. At 1 KW of the source power, the coupling mechanism of the RF power to the plasma is changed from the inductive mode to the capacitive one at about 1 Torr. This change causes the plasma density and ashing rate decreases abruptly. The critical pressure of the mode change becomes larger with larger RF power.
This paper presents a novel low power driving circuit for passive matrix organic lighting emitting diodes (OLED) displays. The proposed driving method for a low power OLED driving circuit which reduce large parasitic capacitance in OLED panel only use current driving method, instead of mixed mode driving method which uses voltage pre-charge technique. The driving circuit is implemented to one chip using 0.35${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS process with 18V high voltage devices and it is applicable to 96(R.G.B)X64, 65K color OLED displays for mobile phone application. The maximum switching power dissipation of driving power dissipation is 5.7mW and it is 4% of that of the conventional driving circuit.
본 논문에서는 4bit SAR-ADC(Successive Approximation ADC) 기반의 LDO(Low Drop-Out Regulator)와 파워 트랜지스터의 사이즈 선택을 통하여 DC-DC 벅 컨버터의 효율을 개선하는 방법을 제안한다. 제안하는 회로는 부하 전류에 따라서 파워 트랜지스터 사이즈를 선택하여 DC-DC 벅 컨버터의 효율을 개선한다. 이를 위해, 우리는 스위칭 손실과 전도 손실이 교차하는 지점을 파워 트랜지스터의 적절한 사이즈로 선택하였다. 또한, standby mode 또는 sleep mode로 동작 시에는 효율을 개선하기 위해 LDO로 동작하도록 하였다. 제안하는 회로는 4bit로 파워 트랜지스터 사이즈(X1, X2, X4, X8)를 선택하였고, 저부하에서 단일 사이즈를 이용한 기존의 방식보다 최대 25%의 효율 개선을 얻을 수 있었다. 입력 전압은 5V, 출력 전압은 3.3V, 최대 부하 전류는 500mA이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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