Rechargeable lithium-ion batteries (LIBs) have been rapidly expanding from IT based applications to uses in electric vehicles (EVs), smart grids, and energy storage systems (ESSs), all of which require low cost, high energy density and high power density. The increasing demand for LIBs has resulted in increasing price of the lithium source, which is a major obstacle to wider application. To date, the possible depletion of lithium resources has become relevant, giving rise to the interest in Na-ion batteries (NIBs) as promising alternatives to LIBs. A lot of transition metal compounds based on conversion-alloying reaction have been extensively investigated to meet the requirement for the anodes with high energy density and long life-time. In-depth understanding the electrochemical reaction mechanisms for the transition metal compounds makes it promising negative anode for NIBs and provides feasible strategy for low cost and large-scale energy storage system in the near future.
In the electrode fabrication of unit cell, we found that optimal the electrochemical characteristics were obtained with at 90 wt.% of activated carbon(BP-20), 5 wt.% of conducting agent(Ppy, Super P) and 5 wt.% of P(VdF-co-HFP)/PVP mixed binder. The electrochemical characteristics of unit cell with Ppy improver were as follows : 37.6 F/g of specific capacitance, 0.98 $\Omega$ of AC-ESR, 2.92 Wh/kg and 6.05 Wh/L of energy density, and 754 W/kg and 1,562 W/L of power density. It was confirmed that internal resistance were reduced due to the increase of electrical conductivity and filling density by the introduction of conductivity agent, and content of conducting agent was suitable in the range of 4~6 wt.%. According to the impedance measurement of the electrode with conductivity agent, we found that it was possible to charge rapidly by the fast steady-state current convergence due to low equivalent series resistance(AC-ESR), fast charge transfer rate at interface between electrode and electrolyte, and low RC time constant.
Takeda, K.;Fukunaga, Y.;Tsutsumi, T.;Ishikawa, K.;Kondo, H.;Sekine, M.;Hori, M.
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.93-93
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2016
Large scale integrated circuits (LSIs) has been improved by the shrinkage of the circuit dimensions. The smaller chip sizes and increase in circuit density require the miniaturization of the line-width and space between metal interconnections. Therefore, an extreme precise control of the critical dimension and pattern profile is necessary to fabricate next generation nano-electronics devices. The pattern profile control of plasma etching with an accuracy of sub-nanometer must be achieved. To realize the etching process which achieves the problem, understanding of the etching mechanism and precise control of the process based on the real-time monitoring of internal plasma parameters such as etching species density, surface temperature of substrate, etc. are very important. For instance, it is known that the etched profiles of organic low dielectric (low-k) films are sensitive to the substrate temperature and density ratio of H and N atoms in the H2/N2 plasma [1]. In this study, we introduced a feedback control of actual substrate temperature and radical density ratio monitored in real time. And then the dependence of etch rates and profiles of organic films have been evaluated based on the substrate temperatures. In this study, organic low-k films were etched by a dual frequency capacitively coupled plasma employing the mixture of H2/N2 gases. A 100-MHz power was supplied to an upper electrode for plasma generation. The Si substrate was electrostatically chucked to a lower electrode biased by supplying a 2-MHz power. To investigate the effects of H and N radical on the etching profile of organic low-k films, absolute H and N atom densities were measured by vacuum ultraviolet absorption spectroscopy [2]. Moreover, using the optical fiber-type low-coherence interferometer [3], substrate temperature has been measured in real time during etching process. From the measurement results, the temperature raised rapidly just after plasma ignition and was gradually saturated. The temporal change of substrate temperature is a crucial issue to control of surface reactions of reactive species. Therefore, by the intervals of on-off of the plasma discharge, the substrate temperature was maintained within ${\pm}1.5^{\circ}C$ from the set value. As a result, the temperatures were kept within $3^{\circ}C$ during the etching process. Then, we etched organic films with line-and-space pattern using this system. The cross-sections of the organic films etched for 50 s with the substrate temperatures at $20^{\circ}C$ and $100^{\circ}C$ were observed by SEM. From the results, they were different in the sidewall profile. It suggests that the reactions on the sidewalls changed according to the substrate temperature. The precise substrate temperature control method with real-time temperature monitoring and intermittent plasma generation was suggested to contribute on realization of fine pattern etching.
The capacitive coupled plasma (CCP) has been extensively used in the semiconductor industry because it has not only good uniformity, but also low electron temperature. But CCP source has some problems, such as difficulty in varying the ion bombardment energy separately, low plasma density, and high processing pressure, etc. In this reason, dual frequency CCP has been investigated with a separate substrate biasing to control the plasma parameters and to obtain high etch rate with high etch selectivity. Especially, in this study, we studied on the etching of $SiO_2$ by using the pulse-time modulation in the dual-frequency CCP source composed of 60 MHz/ 2 MHz rf power. By using the combination of high /low rf powers, the differences in the gas dissociation, plasma density, and etch characteristics were investigated. Also, as the size of the semiconductor device is decreased to nano-scale, the etching of contact hole which has nano-scale higher aspect ratio is required. For the nano-scale contact hole etching by using continuous plasma, several etch problems such as bowing, sidewall taper, twist, mask faceting, erosion, distortions etc. occurs. To resolve these problems, etching in low process pressure, more sidewall passivation by using fluorocarbon-based plasma with high carbon ratio, low temperature processing, charge effect breaking, power modulation are needed. Therefore, in this study, to resolve these problems, we used the pulse-time modulated dual-frequency CCP system. Pulse plasma is generated by periodical turning the RF power On and Off state. We measured the etch rate, etch selectivity and etch profile by using a step profilometer and SEM. Also the X-ray photoelectron spectroscopic analysis on the surfaces etched by different duty ratio conditions correlate with the results above.
The thermal degradation of low density polyethylene (LDPE) will accelerate the production of carbonyl groups (C=O), which can act as the induced dipoles under high voltage. In this paper, we researched the dielectric properties and space charge behavior of LDPE after thermal aging, which can help us to understand the correlation between carbonyl groups (C=O) and electrical properties of LDPE. The spectra results show that LDPE exhibit obvious thermooxidative reactions when the aging time is 35 days and the productions mainly contain carboxylic acid, carboxylic eater and carboxylic anhydride, whose amount increase with the increasing of aging time. The dielectric properties show that the real permittivity of LDPE is inversely proportional to temperature before aging and subsequently become proportional to temperature after thermal aging. Furthermore, both the real and imaginary permittivity increase sharply with the increasing of aging time. The fitting results of imaginary permittivity show that DC conductivity become more sensitive about temperature after thermal aging. On this basis, the active energies of materials calculated from DC conductivity increase first and then decrease with the increasing of aging time. In addition, the space charge results show that the heterocharges accumulated near electrodes in LDPE change to the homocharges after thermal aging and the mean volume charge density increase with the increasing of aging time. It is considered that the overlaps caused by electrical potential area is the main reason for the increase of DC conductivity.
A high frequency and soft-switched AC-to-DC rectifier employing a series-type resonant circuit is proposed to overcome the disadvantages of the conventional peak-rectifying circuit. Using the proposed rectifier, the high power factor and low harmonic currents are obtained in the AC line. Furthermore, several advantages such as the high power density and wide output voltage range can be available. Through the simulation and experimental results, the usefulness of the proposed rectifier is verified.
KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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제11권4호
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pp.1987-2001
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2017
Low-density parity-check (LDPC) codes have attracted a great attention because of their excellent error correction capability with reasonably low decoding complexity. Among decoding algorithms for LDPC codes, the min-sum (MS) algorithm and its modified versions have been widely adopted due to their high efficiency in hardware implementation. In this paper, a self-adaptive MS algorithm using the difference of the first two minima is proposed for faster decoding speed and lower power consumption. Finding the first two minima is an important operation when MS-based LDPC decoders are implemented in hardware, and the found minima are often compressed using the difference of the two values to reduce interconnection complexity and memory usage. It is found that, when these difference values are bounded, decoding is not successfully terminated. Thus, the proposed method dynamically decides whether the termination-checking step will be carried out based on the difference in the two found minima. The simulation results show that the decoding speed is improved by 7%, and the power consumption is reduced by 16.34% by skipping unnecessary steps in the unsuccessful iteration without any loss in error correction performance. In addition, the synthesis results show that the hardware overhead for the proposed method is negligible.
Thermal batteries are used for military power sources that require robustness and long storage life such as missiles and torpedoes. $FeS_2$ powder is currently used for cathode materials because of its high specific energy density, environmental non-toxicity and low cost. However, large particle size of conventional $FeS_2$ has been deterred its possible application for higher power thermal batteries. In order to improve the power density, high energy ball milling of $FeS_2$ has been introduced to crush the micron-sized $FeS_2$. Discharge characteristics of the single cells fabricated with nano-materials and conventional $FeS_2$ powder were evaluated.
A high plasma density of $10^{12}cm^{-3}$ can be produced at the pressure of few mTorr with R. F input power of 300-400W. A radially uniform plasma to a radius of 7cm at the substrate was produced at the pressure of 1 mTorr. The electron density and temperature were confirmed with double Langmuir probe, $\mu$-wave interferometer. It has bee found that the dispersion relation N/B=constant not be applied at the low R.F input power(<600W) but can be applied at high R.F input power(>600W).
잡음 발생기는 주어진 특성을 갖는 잡음 신호를 생성하는데 사용되어진다. 최근의 연구에서 잡음 모델이 복잡한 PSD(Power Spectral Density)를 갖는 경우, DCT 기반 잡음 발생기가 기존의 잡음 발생기보다 우수한 성능을 보였다. 본 논문에서는 DCT를 사용한 저면적 잡음 발생기를 제안한다. 제안된 시스템은 DCT를 제외한 회로의 면적을 약 61∼64% 정도 줄이며, 이와 더불어 41∼56% 정도의 전력소모를 감소시킨다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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