• 아시안잔디학회지
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• 제25권1호
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• pp.17-21
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• 2011

기존 보고된 바에 의하면 한국 자생 버뮤다그래스는 군집 내에서 형태학, 생육 특성, 세포학적 특성에 대해 유전적으로 매우 다양한 변이를 보여주었다. 버뮤다그래스의 염색체 수와 핵 DNA 량에 따르면 배수성 수준의 범위가, 3배 체(2n=3x), 4배체(2n=4x), 5배체(2n=5x), 6배체(2n=6x)로 나타났었다. 본 연구에서는 한국에서 휴면이 유도되는저온과 짧은 일장에 대한 항산화효소(superoxide dismutase, catalase, peroxidase, ascorbate peroxidase)의 다양한 반응과 각 버뮤다그래스 세포형의 세포막 안정성을 조사하였다. 모든 항산화효소는 휴면 기간동안 높게 나타났으나, 과산화수소를 물과 산소 분자로 변환시키는 헴기를 함유한 카탈라제는 6배체 버뮤다그래스를 제외한 세 개의 세포형에서 휴면이 개시되기 전에 활성화되었다. 상대적으로 세엽이며 생육속도가 빠른3배체와 4배체는 superoxide dismutase와 peroxidase 효소의 활성이 증가됨을 확인하였다. 수산기를 가진 라디칼에 의해 손상을 받은 세포막에서 지질과산화의 산물인 말론디알데히드(MDA)는 온도가 감소함에 따라 모든 세포형에서 증가되었고, 방어적인 항산화효소를 더 갖고 있는 3배체와 4배체는 MDA 생산이 현저하게 더 낮게 나타났다. 전해질 유출은 5배체와 6배체에서 더 높았던 것과 유사하게, 저온이 적용될 때 외견상으로 세포막에 더 손상을 받는 것 같았다. 실험 결과, 서로 다른 세포형(cytotype)의 항산화 반응은 유전적으로 특이적이며, 이는 버뮤다그래스에서 저온 저항성과의 연관성을 분자 수준에서 더 연구하는 것이 필요하다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권6호
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• pp.47-52
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• 2006

본 논문에서는 130nm 이하의 초미세 공정을 위한 저전력 32비트$\times$32비트 곱셈기를 제안한다. 공정이 미세화 되어감에 따라 누설 전류에 의한 정적 전력이 급격하게 증가하여 동적 전력에 비해 무시하지 못할 수준에까지 이르게 된다. 최근 들어 동적 전력과 정적 전력을 동시에 줄일 수 있는 방법으로 MTCMOS에 기반하는 전원 차단 방법이 널리 쓰이고 있지만, 대규모 블록의 전원이 복귀될 때 심각한 전원 잡음이 발생하는 단점이 있다. 따라서 제안하는 곱셈기는 파이프라인 스테이지를 따라 순차적으로 전원을 차단하고 복귀함으로 전원 잡음을 완화시킨다. $0.35{\mu}m$ 공정에서 칩 제작 후 측정하고 130nm 및 90m 공정에서 게이트-트랜지션 수준 모의실험을 실시한 결과 유휴 상태에서의 전력 소모는 $0.35{\mu}m$, 130nm 및 90nm 공정에서 각각 $66{\mu}W,\;13{\mu}W,\;6{\mu}W$이었으며 동작 시 전력 소모의 $0.04\sim0.08%$에 불과하였다. 기존의 클록 게이팅 기법은 공정이 미세화되어감에 따라 전력 감소 효율이 떨어지지만 제안하는 곱셈기에서는 이러한 문제점이 발생하지 않았다.

• 한국통신학회논문지
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• 제19권5호
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• pp.872-882
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• 1994

본 논문에서는 통신위성중계기의 송, 수신 신호의 크기에 따른 안테나부의 시스템 특성으로 고려하여 대역통과여파기 형태의 이득특성을 갖는 저잡음증폭기를 설계, 제작하였다. 한 예로써, 위성통신용 수신주파수인 14.0~14.5GHz.에서 2단 저잡음증폭기와 4단 증폭기를 설계, 제작하였다. 제작된 2단 저잡음증폭기는 대역내에서 20.3dB +- 0.1dB의 이득, 1.44dB+-0.04dB의 잡음지수, 송신주파수 대역(12.25~12.75GHz)에서 14dB의 Rejection을 보여주었다 이 저잡음증폭기는 이득, 잡음지수, 군지연 특성면에서도 모두 설계치와 잘 일치하였다. 또한 제작된 4단 증폭기는 42dB 이상의 이득에 +-0.25dB 이내의 평탄도를 보여 주었고, 송신주파수 대역에서의 Rejection은 28dB로 측정되었다. 본 논문에서 제작된 협대역 저잡음 증폭기는 위와 같은 송신대역 Rejection 특성으로 인하여 중계기의 수신부 입력여파기와 주파수변환부내의 여파기의 설계 사양을 완화시키고 설계 및 제작비용을 낮출 수 있다.

• 정보처리학회논문지A
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• 제17A권3호
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• pp.121-126
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• 2010

본 논문에서는 저 전압 스윙 기술을 적용하여 저 전력 회로를 구현하고, 슬립 트랜지스터 (sleep-transistor)를 이용하여 누설전류를 최소화하는 새로운 저 전력 MOS 전류모드 논리회로 (MOS current-mode logic circuit)를 제안하였다. 제안한 회로는 저 전압 스윙 기술을 적용하여 저 전력 특성을 갖도록 설계하였고 고 문턱전압 PMOS 트랜지스터 (high-threshold voltage PMOS transistor)를 슬립 트랜지스터로 사용하여 누설전류를 최소화하였다. 제안한 회로는 $16\;{\times}\;16$ 비트 병렬 곱셈기에 적용하여 타당성을 입증하였다. 이 회로는 슬립모드에서 기존 MOS 전류 모드 논리회로 구조에 비해 대기전력소모가 1/104로 감소하였으며, 정상 동작모드에서 11.7 %의 전력소모 감소효과가 있었으며 전력소모와 지연시간의 곱에서 15.1 %의 성능향상이 있었다. 이 회로는 삼성 $0.18\;{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 설계하였으며, HSPICE를 통하여 검증하였다.

• Journal of Information Display
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• 제10권3호
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• pp.111-116
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• 2009

In this paper, a plasma-assisted patterning method for the organic layers of organic light-emitting diodes (OLEDs) and its effect on the OLED performances are reported. Oxygen plasma was used to etch the organic layers, using the top electrode consisting of lithium fluoride and aluminum as an etching mask. Although the current flow at low voltages increased for the etched OLEDs, there was no significant degradation of the OLED efficiency and lifetime in comparison with the conventional OLEDs. Therefore, this method can be used to reduce the ohmic voltage drop along the common top electrodes by connecting the top electrode with highly conductive bus lines after the common organic layers on the bus lines are etched by plasma. To further analyze the current increase at low voltages, the plasma patterning effect on the OLED performance was investigated by changing the device sizes, especially in one direction, and by changing the etching depth in the vertical direction of the device. It was found that the current flow increase at low voltages was not proportional to the device sizes, indicating that the current flow increase does not come from the leakage current along the etched sides. In the etching depth experiment, the current flow at low voltages did not increase when the etching process was stopped in the middle of the hole transport layer. This means that the current flow increase at low voltages is closely related to the modification of the hole injection layer, and thus, to the modification of the interface between the hole injection layer and the bottom electrode.

• KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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• 제7권10호
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• pp.2544-2560
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• 2013

As a cornerstone of the next generation air traffic management (ATM), automatic dependent surveillance-broadcast (ADS-B) system can provide continual broadcast of aircraft position, identity, velocity and other messages over unencrypted data links to generate a common situational awareness picture for ATM. However, since ADS-B messages are unauthenticated, it is easy to insert fake aircrafts into the system via spoofing or insertion of false messages. Unfortunately, the authentication for ADS-B messages has not yet been well studied. In this paper, we propose an efficient broadcast authentication scheme with batch verification for ADS-B messages which employs an identity-based signature (IBS). Security analysis indicates that our scheme can achieve integrity and authenticity of ADS-B messages, batch verification, and resilience to key leakage. Performance evaluation demonstrates that our scheme is computationally efficient for the typical avionics devices with limited resources, and it has low communication overhead well suitable for low-bandwidth ADS-B data link.

• 전력전자학회논문지
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• 제21권5호
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• pp.453-456
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• 2016

The major causes of electrical fire in low-voltage distribution lines are classified into short-circuit fault, overload fault, electric leakage, and electric contact failure. The special principal factor of the fire is electric arc or spark accompanied with such electric faults. This paper studies the development of an electric fire prevention system with detection and alarm of that in case of parallel arc fault occurrence in low-voltage distribution lines. The proposed system is designed on algorithm sensing the instantaneous voltage drop of line voltage at arc fault occurrence. The proposed detector has characteristics of high-speed operation responsibility and superior system reliability from composition using a large number of semiconductor devices. A new sensing control method that shows the detection of parallel arc fault is sensed to ripple voltage drop through a diode bridge full-wave rectifier at electrical accident occurrence. Some experimental tests of the proposed system also confirm the practicality and validity of the analytical results.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.115-115
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• 2009

Current sensing in power semiconductors involves sensing of over-current in order to protect the device from harsh conditions. This technique is one of the most important functions in stabilizing power semiconductor device modules. The Power MOSFET is very efficient method with low power consumption, fast sensing speed and accuracy. In this paper, we have analyzed the characteristics of proposed sense FET and optimized its electrical characteristics to apply conventional 40 V power MOSFET by numerical and simulation analysis. The proposed sense FET has the n-drift doping concentration $1.5\times10^{14}\;cm^{-3}$, size of $600\;{\mu}m^2$ with $4.5\;{\Omega}$, and off-state leakage current below $50\;{\mu}A$. We offer the layout of the proposed Power MOSFET to process actually. The offerd design and optimization methods are meaningful, which the methods can be applied to the power devices having various breakdown voltages for protection.

• 전력전자학회논문지
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• 제4권5호
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• pp.423-432
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• 1999

This paper proposes a 12­pulse diode rectifier system with low kVA components suitable for powering switch mode power supplies or ac/dc converter applications. The proposed 12-pulse system employs a polyphase transformer, a zero sequence blocking transformer (ZSBT) in the dc link, and an interphase transformer. Results produce near equal leakage inductance in series with each diode rectifier bridge ensuring equal current sharing and performance improvements, The utility input currents and the voltage across the ZSBT are analyzed the kVA rating of each component in the proposed system is computed. The 5th , 7th , 17th and 19th harmonics are eliminated in the input line currents resulting in clean input power. The dc link voltage magnitude generated by the proposed rectifier system is nearly identical to a conventional to a conventional 6-pulse system. The proposed system is suitable to retrofit applications as well as in new PWM drive systems. Simulation and experimental results from a 208V , 10kVA system are shown.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제7권4호
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• pp.867-871
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• 2012

본 논문에서는 폴리머 테이퍼링 도파로 영역을 포함하는 $1{\times}4$ 형태의 플라스틱 광섬유 커플러를 제안하고 구현하였다. 플라스틱 광섬유와 폴리머 사각 도파로의 접속면에서 광 누설 손실을 줄이기 위해 단면이 원형에서 구형으로 천천히 바뀐 플라스틱 광섬유를 도입하였다. 실리콘 고무로 만들어진 주형을 이용하여 소자를 제작하였다. 제작된 소자는 1.33 dB의 삽입손실과 2.2 dB의 평탄도를 보였다.