For the past a few years, we have intensively researched the printable inorganic conductors and ZnO-based amorphous oxide semiconductors (AOSs) for thin-film transistors. For printable conductor materials, we have focused on the aqueous Ag and Cu ink which possess a variety of advantages, comparing with the conventional metal inks based on organic solvent system. The aqueous Ag ink was designed to achieve the long-term dispersion stability using a specific polymer which can act as a dispersant and capping agent, and the aqueous Cu ink was carefully formulated to endow the oxidation stability in air and even aqueous solvent system. The both inks were successfully printed onto either polymer or glass substrate, exhibiting the superior conductivity comparable to that of bulk one. For printable ZnO-based AOSs, we have researched the noble way to resolve the critical problem, a high processing-temperature above $400^{\circ}C$, and recently discovered that Ga doping in ZnO-based AOSs promotes the formation of oxide lattice structures with oxygen vacancies at low annealing-temperatures, which is essential for acceptable thin-film transistor performance. The mobility dependence on annealing temperature and AOS composition was analyzed, and the chemical role of Ga are clarified, as are requirements for solution-processed, low-temperature annealed AOSs.
PC/PA6 블랜드를 세 가지 서로 다른 방법으로 블랜드한 후 이들의 상용성에 관하여 조사하였다. DSC에 의한 열적 성질 측정결과, Tg는 전 조성에 있어 각각의 온도부근에서 나타나며, 융점과 결정화온도는 큰 변화가 없었다. SEM관찰 역시 PC, PA6 블랜드는 각각 5%의 아주 낮은 조성에서부터 상분리가 확인되었다. 또한 실험적으로 측정된 Tg값을 Flory- Huggins식에 도입하여 polymer-polymer interaction parameter(${\chi}_{12}$)값을 계산한 결과, solution casting, solution precipitation, 압출블랜드의 경우 0.0381, 0.0411, 0.0418로 각각 계산되었으며, ${\chi}_{12}$의 임계값 $({\chi}_{12})_c$가 0.0271로 계산됨에 따라 결국 PC/PA6 블랜드는 전 조성에 걸쳐 상용성이 부족하였다.
The renewable energy source is considered as a good measure to cope with the global warming problem and the fossil energy exhaustion. The construction of electric power plant such as an offshore wind farm is rapidly increasing and this trend is expected to be continued during this century. The bulky and long distance power transmission media is essential to support and promote the sustainable expansion of renewable energy source. DC power cable is generally considered as the best solution and the demand for DC electric power has been rapidly increasing. Especially, the high temperature superconducting (HTS) DC cable system begins to make a mark because of its advantages of huge power transmission capacity, low transmission loss and other environmental friendly aspects. Technical contents of DC HTS cable system are very similar to those of AC HTS cable system. However the DC HTS cable can be operated near its critical current if the heat generation is insignificant, while the operating current of AC HTS cable is generally selected at about 50~70% of the critical current because of AC loss. We chose the specifications of the cable core of 'Tres Amigas' project as an example for our study and investigated the heat generation when the DC HTS cable operated near the critical current by some electric and thermal analyses. In this paper, we listed some technical issues on the design of the DC HTS cable core and described the process of the cable core design. And the results of examination on the current capacity, heat generation, harmonic loss and current distribution properties of the DC HTS cable are introduced.
The crystal structure and magnetic properties of a new solid solution type ferrite $(Fe_2O_3)_5-(Al_2O_3)_{3.4}-(Ga_2O_3)_{0.6}-SiO$ were investigated using X-ray diffraction and M$\"{o}$ssbauer spectroscopy. The results of the X-ray diffraction pattern indicated that the crystal structure of the sample appears to be a cubic spinel type structure. The lattice constant (a = 8.317 ${\AA}$) decreases slightly with the substitution of $Ga_2O_3$ even though the ionic radii of the Ga ions are larger than that of the Al ions. The results can be attributed to a higher degree of covalency in the Ga-O bonds than in the Al-O and Fe-O bonds, which can also be explained using the observed M$\"{o}$ssbauer parameters, which are the magnetic hyperfine field, isomer shift, and quadrupole splitting. The drastic change in the magnetic structure according to the Ga ion substitution in the $ (Fe_2O_3)_5(Al_2O_3)_{4-x}(Ga_2O_3)_xSiO$ system and the low temperature variation have been studied through a M$\"{o}$ssbauer spectroscopy. The M$\"{o}$ssbauer spectrum at room temperature shows the superpositions of two Zeeman patterns and a strong doublet. It shows significant departures from the prototypical ferrite and is comparable with the diluted ferrite. The doublet of spectrum at room temperature appears to originate from superparamagnetic clusters and also the asymmetry of the doublet appears to be caused by the preferred orientation of the crystallites. The M$\"{o}$ssbauer spectra below room temperature show various complicated patterns, which can be explained by the freezing of the superparamagnetic clusters. On cooling, the magnetic states of the sample were various and multi critical.
수열법에 의해 고온 고압용 autoclave내에서 calcite 단결정을 성장하였으며, 자외-가시영역에서의 투과율 등을 측정하였다. Calcite 단결정 성자에 관해 보고된 광화제로는 6M의 M2CO3(M=K, Rb)와 chloride등이 있는데 강알카리의 경우 성장속도는 크나 autoclave를 백금으로 내장해야 하며 chloride의 경우 자발 핵생성에 의한 성장(spontaneous nucleation and growth)의 경향이 강하여 종자결정위에서 성장하는 것에 비해 autoclave 벽면 위에서 자발 핵생성에 의한 성장이 더 우세한 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 autoclave의 내장재료로 고가의 백금대신 테프론을 사용하고자 성장온도가 테프론의 내온(280℃)에서 NH4Cl을 광화제로 사용하여 calcite 단결정을 성장하였다. 연구결과 NH4Cl 수열용액으로 calcite 단결정을 성장할 때 자발 핵생성을 억제하려면 NaCl 또는 CH3COOH가 소량 첨가된 수열용액에서 온도구배를 6-7℃ 이하로 유지하여 성장하여야 함을 확인하였다. 성장된 calcite의 자외 및 청색 가시영역에서 투과율은 80% 정도로 천연보다 약 10% 높았다.
Energy dissipations in a general PHE flow are the compounded effects of the piled corrugate geometries and its wall pressure and temperature distributions. In addition, although the exchangers are substantial pieces of engineering equipment, they are composed of a very large number of nominally identical and small geometrical elements. In the present numerical study, the three-dimensionally complicated energy dissipation fields and those wall-shape-induced flow destabilization are investigated in the cross-corrugated passages, which result in high energy transports with comparatively low pressure drop. We revealed the critical conditions as $Re=157.3 for the wall-shape-induced flow destabilization in a general PHE element by initial value method, or shooting method, and compare its value to that of analytical solution of plane Poiseille flow, two-dimensional grooved flow and so on. We also observed the detailed variation of flow field and energy transportation with changes in time and flow variables such as Reynolds number. Lastly, we considered the flow natural frequency, or Strouhal number, with variation of hydrodynamic conditions for the best use of active control, such as forced mass flow rate pulsative flow, to enhance energy transportation.
The Surfactants composed of acylated aterocollagen which is produced by the acylation of the side chain amino radicals of aterocollagen with an aliphatic acid having 12 to 18 carbon atoms will be discussed in this study. This condensation is done at moderate reaction temperature (<$25^{\circ}C$) in aqueous alkaline solution. The products of this reaction were identified by UV/VIS spectroscopy and infrared spectroscopy. For these compounds, surface active properties and physical properties including isoelectric point, Krafft point, surface tension, critical micelle concentration(cmc), foaming power, viscosity behaviour, water holding capacity, skin irritation and emulsifying power were measured respectively. The experimental results received that the products have a good emulsifying power, excellent water holding capacity while having low skin irritation. Thus, these derivatives will be expected to be used as an emulsifying agent for O/W type cosmetic emulsion.
가스터빈엔진의 가장 핵심 부품인 디스크와 블레이드는 고온, 고압축비, 고속 회전이라는 가혹한 환경에서 지속적으로 운용된다. 이러한 가혹한 환경과 디스크와 블레이드가 가지는 큰 회전 에너지로 인해 디스크 및 블레이드에 의해 유발되는 파손은 항공기 손상 혹은 탑승자의 피해로 이어지는 재해적 고장 혹은 한계 고장으로 이어진다. 그러므로 디스크와 블레이드의 구조적 건전성의 마진을 충분히 확보하기 위해서 본 연구에서는 디스크의 취약 부위인 도브테일의 형상을 최적화하고, 그 해의 강건성을 확인하기 위해 치수 공차와 피로 수명의 산포와 같은 불확실성에 대하여 신뢰도 해석을 수행하고자 한다. 이 결과를 통해 결정론적 방법인 최적설계의 필요성과 함께 한계를 확인하고, 향후 신뢰도 기반 최적설계의 필요성을 인지하고자 한다. 이를 위해 비선형 열-구조 연성해석과 접촉 해석을 포함한 유한요소해석을 수행하였다.
습식화학법의 단점을 극복하는 이상적인 분말을 제조하기 위해서는 용질분자가 용액내에서 활발하게 움직여서 분자단위의 혼합이 가능하고 용매는 낮은 점도를 가져 용질분자의 움직임에 도움을 주어야 하며, 얻어진 분말도 결정질이어야 한다. 본 논문에서는 이러한 조건을 동시에 만족시키는 분말제조방법으로 물질의 임계온도, 임계압력을 넘어 응축된 가스상태로 존재하는 초임계 유체를 이용하여 분말을 제조하였다. 용매인 에탄올이 초임계 유체상태에서 분해될 때 생성된 물로 titanium(IV) ethoxide를 가수분해시켜 이용도가 높은 광촉매용 $TiO_2$ 분말을 제조하였다.
Silicon Carbide (SiC) is a material with a wide bandgap (3.26eV), a high critical electric field (~2.3MV/cm), a and a high bulk electron mobility (${\sim}900cm^2/Vs$). These electronic properties allow high breakdown voltage, high frequency, and high temperature operation compared to Silicon devices. Although various SiC DMOSFET structures have been reported so far for optimizing performances. the effect of channel dimension on the switching performance of SiC DMOSFETs has not been extensively examined. In this paper, we report the effect of the interface states ($Q_s$) on the transient characteristics of SiC DMOSFETs. The key design parameters for SiC DMOSFETs have been optimized and a physics-based two-dimensional (2-D) mixed device and circuit simulator by Silvaco Inc. has been used to understand the relationship with the switching characteristics. To investigate transient characteristic of the device, mixed-mode simulation has been performed, where the solution of the basic transport equations for the 2-D device structures is directly embedded into the solution procedure for the circuit equations. The result is a low-loss transient characteristic at low $Q_s$. Based on the simulation results, the DMOSFETs exhibit the turn-on time of 10ns at short channel and 9ns at without the interface charges. By reducing $SiO_2/SiC$ interface charge, power losses and switching time also decreases, primarily due to the lowered channel mobilities. As high density interface states can result in increased carrier trapping, or recombination centers or scattering sites. Therefore, the quality of $SiO_2/SiC$ interfaces is important for both static and transient properties of SiC MOSFET devices.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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