• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• v.10
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• pp.179-183
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• 2000

For a ground plane in high-temperature superconducting ramp-edge junction devices, YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-{\delta}}$/SrTiO$_3$/YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-{\delta}}$ multilayer structures were fabricated using pulsed laser deposition and ECR ion milling. Various process parameters were adjusted to enhance the device characteristics. By etching the STO layer to form a tapered edge of about 15$^{\circ}$ and in-situ RF plasma treatment of bottom YBCO surface prior to deposition of top YBCO, the top-to-bottom YBCO showed T$_c$ of 75${\sim}$80 K and I$_c$ of about 40 mA through holes. It was found that the deposition of bottom YBCO at a reduced laser repetition rate of 1Hz increased the T$_c$ of top YBCO to 79.9 K. The resistivity of 570 layer was about 10$^6$ ${\Omega}$cm at 60 K, which ensures good electrical isolation between successive YBCO layers.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.30 no.1
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• pp.32-36
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• 2017

The Ag thin film of YBCO (yttrium barium copper oxide) CC (coated conductor) protect the YBCO layer and, at the same time, affects the electrical characteristics of the YBCO CC. Therefore, YBCO CC with the commercialization of the Ag thin film layers makes it easy to establish a process, it can lead to a variety of characteristic changes in YBCO CC. In this paper, plasma surface treatment was carried out to facilitate the deposition of the Ag thin film and the deposition process of YBCO CC. Surface roughness from the test results was increased as the time of the plasma surface treatment increased from 5 to 20 minutes. On the other hand, the surface roughness was decreased for the time of the plasma surface treatment over 20 minutes. Furthermore, after depositing, the increasing of deposit amount and reduced lifting phenomenon showed a similar tendency with the rise time of surface roughness.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.23 no.7
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• pp.8-13
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• 2009

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is commonly used for Carbon nanotubes (CNTs) fabrication, and the process can easily be applied to industrial production lines. In this works, we developed novel magnetized radio frequency PECVD system for one line process of CNTs fabrication for charge storable electrode application. The system incorporates aspects of physical and chemical vapor deposition using capacitive coupled RF plasma and magnetic confinement coils. Using this magnetized RF-PECVD system, we firstly deposited Fe layer (about 200[nm]) on Si substrate by sputter method at the temperature of 300[$^{\circ}$] and hence prepared CNTs on the Fe catalyst layer and investigated fundamental properties by scanning electron microscopy (SEM) and Raman spectroscopy (RS). High-density, aligned CNTs can be grown on Fe/Si substrates at the temperature of 600[$^{\circ}$] or less.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.179-179
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• 2010

다양한 분야에서 확산 방지막은 소자의 신뢰성 향상에 중요한 역할을 하고 있다. 최근 반도체에 적용되기 시작한 구리 배선 형성 공정에서도 실리콘이나 실리콘 산화막으로 구리가 확산하는 것을 방지하는 기술이 중요한 부분을 차지하고 있다. 기존 physical vapor deposition (PVD)법을 이용한 $TaN_x$ 확산 방지막 형성 기술이 성공적으로 적용되고 있으나 반도체의 최소선폭이 지속적으로 감소함에 따라 한계에 다다르고 있다. 20 nm 급과 그 이하의 구리 배선을 위해서는 5 nm 이하의 매우 얇고 높은 피복 단차율을 가진 확산 방지막 형성 기술이 요구된다. 또한, 요구 두께의 감소에 따라 더 우수한 확산 방지 특성이 요구된다. Atomic layer deposition (ALD)은 박막의 정교한 두께 조절이 가능하며 높은 종횡비를 가지는 구조에서도 균일한 박막 형성이 가능하다. 이번 연구에서는 다른 질소 함량을 가진 $TaN_x$ 박막을 Tertiarybutylimido tris (ethylamethlamino) tantalum (TBITEMAT) 전구체와 $H_2+N_2$ 반응성 플라즈마를 사용하여 plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) 법으로 형성하였다. 박막 내질소 함량에 따라 $TaN_x$의 상 (phase)과 미세구조 변화가 관찰되었고, 이러한 물성의 변화는 확산 방지 특성에 영향을 주었다. TEM (Transmission electron microscopy)과 SEM (scanning electron microscope), XPS (x-ray photoelectron spectroscopy)를 통해 $TaN_x$의 물성을 분석하였고, 300 도에서 700 도까지 열처리 후 XRD (x-ray deffraction)와 I-V test를 통해 확산 방지막의 열적 안정성이 평가되었다. PEALD를 통해 24 nm 크기의 trench 기판 위에 약 4 nm의 $TaN_x$ 확산 방지막이 매우 균일하게 형성할 수 있었으며 향후 구리 배선에 효과적으로 적용될 것으로 예상된다.

• Transactions of Materials Processing
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• v.25 no.3
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• pp.195-202
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• 2016

Direct laser melting(DLM) is an additive manufacturing process that can produce parts by solidification of molten metallic powder layer by layer. The properties of the fabricated parts strongly depend on characteristics of the metallic powder. Atomized powders having spherical morphology have commonly been used for DLM. Mechanical ball-milling is a powder processing technique that can provide non-spherical solid powders without melting. The aim of the current study was to investigate the effect of powder morphologies on the deposition quality in DLM. To characterize the morphological effect, the performances of spherical and non-spherical powders were compared using both single- and multi-track DLM experiments. DLM experiments were performed with various laser process parameters such as laser power and scan rate, and the deposition quality was evaluated. The surface roughness, cross-section bead shape and process defects such as balling or non-filled area were compared and discussed in this study.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2006.05a
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• pp.99-100
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• 2006

Cold gas dynamic spray or cold-spray is a deposition process, which causes deformation of a thin substrate. The deformation is usually convex to the deposited side. In this research, the main cause of the deformation was investigated using 6061-T6 aluminum alloy. The effects or anisotropic coefficient or thermal expansion (CTE) or the deposited layer by cold-spray and residual stress were studied by experiments and finite element analysis. The Hole Drilling method was applied to measure residual stress in the cold-spray layer and substrate. The data obtained by the experiments were used for the analysis of substrate deformation. From the result of the analysis, it was concluded that compressive residual stress was the main reason of substrate deformation while CTE had little effect.

• Proceedings of the Korean Society for Technology of Plasticity Conference
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• 2005.10a
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• pp.83-86
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• 2005

In this study, SAM (self-assembled monolayer) was applied as an anti-adhesion layer in the nano molding process, to reduce the surface energy between the nano-stamper and the moldeded polymeric nano patterns. Before depositing SAM on the stamper, the nickel stamper was pretreated to remove oxide on the nickel stamper surface. Then, using the solution deposition method, alkanethiol SAM as an anti-adhesion layer was deposited on nickel surface. To examine the effectiveness of the SAM deposition on the metallic nano stamper, the contact angle and the lateral friction force were measured at the actual processing temperature and pressure for the case of nano compression molding and at the actual UV dose for the case of nano UV molding. The surface energy due to SAM deposition on the nickel nano stamper markedly decreased and the high hydrophobic quality of SAM on the nickel stamper maintained under the actual molding environments.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.13 no.3
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• pp.195-198
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• 2004

For a diffusion barrier against copper, tantalum nitride films have been deposited on $SiO_{2}$ by atomic layer deposition (ALD), using PEMAT(Pentakis(ethylmethylamino)tantalum) and $NH_{3}$ as precursors, Ar as purging gas. The deposition rate of TaN at substrate temperature $250^{\circ}C$ was about $0.67{\AA}$ per one cycle. The stability of TaN films as a Cu diffsion barrier was tested by thermal annealing for 30 minutes in $N_{2}$ ambient and characterized through XRD, sheet resistance, and C-V measurement(Cu($1000{\AA}$)/TaN($50{\AA}$)/$SiO_{2}$($2000{\AA}$)/Si capacitor fabricated), which prove the TaN film maintains the barrier properties Cu below $400^{\circ}C$.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.98-98
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• 2013

완전화 박막이란 사용자가 원하는 용도에 맞게 최적의 성능을 구현하도록 제조된 박막을 의미하며 금속이나 화합물 박막을 제조하되 각종 구조 제어 Tool이나 증착 공정을 변화시켜 나노화와 다층화 또는 치밀화를 통해 구현될 수 있다. 최근 고성능의 증착 및 제어 Tool이 개발되고 빗각증착(Oblique Angle Deposition)이나 스침각 증착(Glancing Angle Deposition) 방법 등의 기술이 개발되면서 사용자 목적에 최적인 박막 소재를 제공하여 User-friendly한 응용을 위한 연구개발이 활발히 진행되고 있다. 완전화 박막 제조에 대한 시도는 1990년대에 일본에서 시작되었다. 일본에서는 산학연이 공동으로 참여하는 NEDO 프로그램을 통해 경질코팅을 이용한 Protective Layer를 제조하여 차단 방식에 의한 내식성 구현 연구를 수행하였다. 유럽에서는 제 7차 European Framework Program (7th FT)을 통해 2007년부터 CORRAL (Corrosion Protection with Perfect Atomic Layer) 프로젝트를 만들어 완전화 박막 연구를 진행하고 있다. 상기 프로젝트는 얇은 자연 산화막이 Bulk의 부식을 방지해주는 것에 착안하여 HIPIMS나 Filtered Arc 또는 ALD 공정을 이용하여 자연 산화막과 유사한 Defect-free 산화막을 제조하여 Barrier형 내식성 박막을 구현하는 것을 목표로 하고 있다. 본 연구에서는 완전화 박막 구현을 위한 연구동향을 파악하고 완전화 박막 제조를 위한 기술적 과제와 몇 가지의 시도에 대한 기초 연구 자료를 소개한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.175-175
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• 2008

투명전극으로 사용되고 있는 Indium tin oxide (ITO) 박막은 전기적 전도도와 기판과의 접확성, 화학적 안정성, 광투과율 등의 특성과 함께 우수한 전기 광학적 거동을 보이고 있다. 그러나 ITO는 고가의 재료이기 때문에 대체 투명전극으로 Al을 도핑한 ZnO 박막의 연구가 활발히 진행되고 있다. ZnO:Al 박막은 chemical vapor deposition, reactive magnetron sputtering, electron-beam evaporation, pulsed laser deposition 등의 당양한 방법을 이용하여 증착하였다. 그러나 최근 낮은 온도에서 대면적의 균일성과 우수한 특성 때문에 atomic layer depositon (ALD) 방법을 이용하여 많은 연구가 진행되고 있으며, 이런 투명전극은 태양전지를 위해 연구되어지고 있다. 따라서 본 연구에서는 ALD 방법으로 Al의 도핑 양을 조절하여, ZnO:Al 박막을 제조하여 그 특성을 평가하고, 또한 ZnO TFT를 제작하여 발표하고자 한다. ZnO와 ZnO:Al 박막은 실리콘과 유리 기판 위에 ALD (Lucida-D200, NCD Technology) 장치로 증착하였다. DEZn, TMA, $H_2O$는 ZnO와 ZnO:Al 박막을 증착하기 위한 전구체와 반응가스로 사용하였다. 증착된 박막은 XRD와 HRTEM을 이용하여 결정구조와 미세구조를 분석하였다. AFM과 4-point probe를 이용하여 증착된 박막의 표면 거칠기와 면저항을 관찰하였다. semiconductor parameter 분석기를 이용하여 제작된 ZnO TFT를 평가하였다.