KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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제5C권3호
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pp.97-101
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2005
ZnO thin films were grown at different plume-substrate (P-S) angles of 90$^{\circ}$ (on-axis PLD), 45$^{\circ}$ and 0$^{\circ}$ (off-axis PLD) using pulsed laser deposition. The x-ray diffraction pattern exhibiting a dominant (002) and a minor (101) peak of ZnO indicates all films were strongly c-axis oriented. By observing of (002) peak, the FWHMs of ZnO (002) peaks decreased and c-axis lattice constant approached the value of bulk ZnO as P-S angle decreased. Whereas the carrier concentration of ZnO thin film deposited at P-S angle of 90$^{\circ}$ was ~ 10$^{19}$ /cm$^{3}$, the Hall measurement of ZnO thin films deposited at P-S angles of 0$^{\circ}$ and 45$^{\circ}$ was impossible due to the decrease of the carrier concentration by the improvement of stoichiometry and crystalline quality. By decreasing P-S angle, the grain size of the films and the UV intensity investigated by photoluminescence (PL) increased and UV peak position showed red shift. The improvement of properties in ZnO thin films deposited by off-axis technique was due to the decrease of repulsive force between a substrate and the particle in plume and the relaxation of supersaturation.
The Ag photodoping effect in amorphous $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ chalcogenide thin films for holographic recording has been investigated using a He-Ne laser (${\lambda}$=632.8 nm). The chalcogenide films thickness prepared in the present work were thinner in comparison with the penetration depth of recording light ($d_p=1.66{\mu}m$). It exhibits a tendency of the variation of the diffraction efficiency (${\eta}$) in amorphous chalcogende films, independently of the Ag photodoping. That is, ${\eta}$ increases rapidly at the beginning of the recording process and reaches the maximum (${\eta}_{max}$) and slowly decreases slowly with the exposed time. In addition, the value of ${\eta}_{max}$ depends strongly on chalcogenide film thickness(d) and its maximum peak among the films with d = 40, 80, 150, 300, and 633 nm is observed 0.083% at d = 150 nm (approximately 1/2 ${\Delta}n$), where ${\Delta}$n is the refractive index of chalcogenide thin film (${\Delta}n=2.0$). The ${\eta}$ is largely enhanced by Ag photodoping into the chakogenides. In particular, the value of ${\eta}_{max}$ in a bilayer of 10-nm-thick Ag/150-nm-thick $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ film is about 1.6%, which corresponds to ${\sim}20$ times larger than that of the single-layer $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ thin film (without Ag). And we obtained the diffraction pattern according to the formation of (P:P) polarization holographic grating using Mask pattern and SLM.
In order to understand the removal mechanism and seek the optimal conditions. KrF excimer laser ablation of Cr films on glass substrates is investigated. The surface morphology of the laser-irradiated spot is examined by SEM. The measured single-shot ablation rate is found to be about two times the result of numerical analysis based on a surface vaporization model and heat conduction theory. Surface morphology examination indicates that the Cr film is removed by the sequence of melting-surface vaporization-,melt expulsion by plasma recoil and that the outmost ripple of the diffraction pattern gives a strong effect on the morphology of molten Cr during the melting and vaporization processes. To seek the optimal process parameters for micro patterning morphological investigation is carried out experimentally on samples having different chromium film thicknesses. Optimal processing conditions are determined to enhance the accuracy and quality of thin film removal for micro patterning.
The pixelated phase grating has been studied as a kind of diffraction gratings splitting and input beam into multiple spots. It consists of regular size cells which produce phase delays, and each cell provokes the phase delay up to sixteen levels. We have compared and analyzed the characteristics of multi-level phase gratings, laying streess on efficiency and resulted pattern. Experimental resutls obtained form fabricated grating have been presented, and the real-time method using a liquid-crystal spatial light modulator has been demonstrated through experiments. Gratings making meams with specific intensities have been designed and optical images have been generated by them. In order to specific intensities have been designed and optical images have been genrated by them. In order to decide the phase delay of each cell, optimization conditon consists of diffraction efficiency and target values. One period of phase gratings fabricated with surface relief was less than 256${\mu}m{\times}256{\mu}m$ and size of each cell was 1${\mu}m{\times}1{\mu}m$ surface relief grating has been made by coating photoresist on the glass plate, writing information pattern by Ar laser and developing it. in the experiment for real-tiem processing liquid-crystal display of epson video projector has been used.
The demand fer small and high-capacity optical data storage devices has rapidly increased. The areal density of optical disk is increased by using higher numerical aperture objective lens and shorter wavelength source. A wafer-scale stacked micro objective lens with a numerical aperture of 0.85 and a focal length of 0.467mm for the 405nm blue- violet laser was designed and fabricated. A diffractive optical element (DOE) was used to compensate the spherical aberration of the objective lens. Among the various fabrication methods for micro DOE, the UV-replication process is more suitable fur mass-production. In this study, an 8-stepped DOE pattern as a master was fabricated by photolithography and reactive ion etching process. A flexible mold was fabricated for improving the releasing properties and shape accuracy in UV-replication process. In the replication process, the effects of exposing time and applied pressure on the replication quality were analyzed. Finally, the surface profiles of master, mold and molded pattern were measured by optical scanning profiler. The geometrical deviation between the master and the molded DOE was less than $0.1{\mu}m$. The diffraction efficiency of the molded DOE was measured by DOE efficiency measurement system which consists of laser source, sample holder, aperture and optical power meter, and the measured value was $84.5\%$.
The $Cu_2ZnSnSe_4$ (CZTSe) thin films solar cell is one of the next generation candidates for photovoltaic materials as the absorber of thin film solar cells because it has optimal bandgap (Eg=1.0eV) and high absorption coefficient of $10^4cm^{-1}$ in the visible length region. More importantly, CZTSe consists of abundant and non-toxic elements, so researches on CZTSe thin film solar cells have been increasing significantly in recent years. CZTSe thin film has very similar structure and properties with the CIGS thin film by substituting In with Zn and Ga with Sn. In this study, As-deposited CZTSe thin films have been deposited onto soda lime glass (SLG) substrates at different deposition condition using Pulsed Laser Deposition (PLD) technique without post-annealing process. The effects of deposition conditions (deposition time, deposition temperature) onto the structural, compositional and optical properties of CZTSe thin films have been investigated, without experiencing selenization process. The XRD pattern shows that quaternary CZTSe films with a stannite single phase. The existence of (112), (204), (312), (008), (316) peaks indicates all films grew and crystallized as a stannite-type structure, which is in a good agreement with the diffraction pattern of CZTSe single crystal. All the films were observed to be polycrystalline in nature with a high (112) predominant orientation at $2{\theta}{\sim}26.8^{\circ}$. The carrier concentration, mobility, resistivity and optical band gap of CZTSe thin films depending on the deposition conditions. Average energy band gap of the CZTSe thin films is about 1.3 eV.
Laser-carburized TiZrN 코팅의 침탄 공정에서 탄소 페이스트 두께에 따른 탄소의 침투 깊이 및 압축잔류응력 변화를 탄소 포텐셜 측면으로 비교·고찰하였다. 스크린 프린팅과 스핀 코팅 방법을 이용하여 각각 1.1 mm와 0.4 mm의 두께로 탄소 페이스트를 도포하고, 동일한 레이저 조사 조건에서 레이저 침탄을 실시하였다. 탄소 페이스트가 두꺼워질수록 침탄된 TiZrN 시료의 회절 패턴이 더 저각으로 이동하였으며, 고용체 강화 및 격자 왜곡의 심화를 나타내었다. TEM을 이용한 미세구조 분석에서도 두꺼운 페이스트로부터 침탄된 TiZrN 내 결정질 결함이 증가하고 높은 탄소 농도를 보였으며, 이는 페이스트 두께가 두꺼워질수록 탄소 포텐셜도 높아짐을 의미하였다. XPS depth profile 분석에서도 두꺼운 페이스트를 통해 침탄된 TiZrN 시료에서 높은 탄소 농도 및 탄화물 형성을 보이면서, 탄소 페이스트 두께 조절에 의해 침탄에서 표면 탄소농도와 탄소 포텐셜 증가가 일어남을 나타내었다. 아울러, 탄소 농도의 증가는 표면의 압축잔류응력 증가(3.67 GPa에서 4.58 GPa로)에 기여하였음을 확인하였다.
Seong-keun, Yoo;Ye-Hyeon, Jo;In-Sung Luke, Yeo;Hyung-In, Yoon;Jae-Hyun, Lee;Jin-Soo, Ahn;Jung-Suk, Han
The Journal of Advanced Prosthodontics
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제14권6호
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pp.335-345
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2022
PURPOSE. This in vitro study aimed to evaluate the surface characteristics of a full veneer crown fabricated chairside (CS) from a (Y, Nb)-TZP zirconia block in response to conventional zirconia grinding and polishing. MATERIALS AND METHODS. Zirconia crowns (n = 40) were first prepared and divided into two groups of materials: Labside (LS) and CS, after which each specimen went through a five-step grinding and polishing procedure. Following each surface treatment, surface characteristics were analyzed using confocal laser microscopy (CLSM), average surface roughness (Ra) values were processed from the profile data through Gaussian filtering, and X-ray diffraction pattern analysis was performed to evaluate the monoclinic (M) phase content. Then, a representative specimen was selected for field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), followed by a final analysis of the roughness and X-ray diffraction of the specimens using the independent t-test and repeated measures analysis of variance (RM-ANOVA). RESULTS. In every group, polishing significantly reduced the Ra values (P < .001). There was no significant difference in Ra between the polished state CS and LS. Furthermore, CLSM and FE-SEM investigations revealed that even though grain exposure was visible in CS specimens throughout the as-delivered and ground states, the exposure was reduced after polishing. Moreover, while no phase transformation was visible in the LS, phase transformation was visible in CS after every surface treatment, with the M phase content of the CS group showing a significant reduction after polishing (P < .001). CONCLUSION. Within the limits of this study, clinically acceptable level of surface finishing of (Y, Nb)-TZP can be achieved after conventional zirconia polishing sequence.
Coarse clumping of solid materials within diseased biological cells can have a marked influence on the light scattering pattern. Perturbations in refractive index lead to distinct variations in the cytometric signature, especially apparent over wide scattering angles. The large dynamic range of scattering intensities restricts collection of data to narrow angular intervals believed to have the highest potential for medical diagnosis. We propose the use of an interference filter to reduce the dynamic range. Selective attenuation of scattering intensity levels is expected to allow simultaneous data collection over a wide angular interval. The calculated angular transmittance of a commercial shortwave-pass filter of cut-off wavelength 580 nm indicates significant attenuation of scattering peaks below ${\~}\;10^{circ}$, and reasonable peak equalization at higher angles. For the three-dimensional calculation of laser light scattered by cells we use a spectral method code that models cells as spatially varying dielectrics, stationary in time. However, we perform preliminary experimental testing with the interference filter on polystyrene microspheres instead of biological cells. A microfluidic toolkit is used for the manipulation of the microspheres. The paper intends to illustrate the principle of a light scattering detection system incorporating an interference filter for selective attenuation of scattering peaks.
The new process in order to fabricate of Ni catalyst with high activity by the mechanochemical(MC) method which was combined the mechanical alloying(MA) and the chemical treatment process. The microstructure and characterization of mechanically alloyed Ni-5-wt% Al powder and Ni catalyst gained by alkali leaching were investigated byt he various analysis such as XRD, SEM-EDS, HRTEM and laser particle analyzer. The steady state powder with 1~2$\mu\textrm{m}$ mean particle size was obtained after 30hr milling with the PCA of 2 wt% stearic acid under the condition of grinding stainless steel ball to powder ratio of 60:1 and rotating speed fo 300rpm. According to result of HRTEM diffraction pattern, MA powder of the steady state was nanocrystalline $Al_3$$Ni_2$ intermetallic compound. Ni catalyst was obtained after KOH leaching of the steady state powder was about 20nm nanocrystalline which contained about 8 wt % Al.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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