• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.35 no.12
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• pp.1323-1328
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• 1998

The electrical conductivities of the yttria (8mol%) stabilizedzirconia-ceria solid solutions were measured as a function of oxygen partial between 80$0^{\circ}C$ and 100$0^{\circ}C$ using 4-probe d.c. method Under pure oxygen atmosphere the oxygen ionic conductivity of CeO2-ZrO2 decreased with the concentration of CeO2 Under reducing condition electronic conduction due to the redox equilibrium of Ce ion was observed. Total ionic and electronic conductivities fitted by a defect model enabled to determine the electronic transference number(tei) which increased with the concentration of CeO2 and with the degree of reduction.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2006.05a
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• pp.221-224
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• 2006

이온주입으로 비정질화된 실리콘의 재결정화 및 활성화에 대한 실험을 전기로를 이용하여 수행하였다. 비정질 실리콘이 결정화 및 활성화가 이루어지면 전계효과 이동도가 좋아진다. 이동도가 향상되면 저항이 작아지고, 이로 인하여 소자의 크기가 작아질 수 있어 소형화가 가능해진다. 결정화 정도를 확인하는 방법으로 Four point probe를 이용한 면저항 측정과 라만 peak 측정을 이용하였다. 이온주입 후 비정질화된 실리콘의 재결정화를 통해서는 $600\;^{\circ}C$에서 1시간 열처리한 값이 가장 많이 결정화가 되었다는 것을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.196-196
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• 2013

가시광 영역에서의 높은 투과도와 낮은 전기 비저항을 갖는 ITO (Indium Tin Oxide) 박막은 현재 Display, Solar Cell, LED, Smart Phone 등 최첨단 IT산업에서 가장 많이 사용되고 있는 투명전극소재이다. IBD (Ion Beam Deposition)방법은 박막의 증착 방법 중 Plasma에서 독립적으로 이온만을 빔의 형태로 조사하여 박막을 증착하는 방법으로 기존 RF 또는 DC 스퍼터방법에 비해서 상대적으로 높은 진공도(low 10E-04 torr)와 비교적 높은 스퍼터 된 입자의 에너지를 가지는 등의 장점으로 증착 된 박막의 밀도, 거칠기가 향상되고 상대적으로 적은 결함을 가지는 박막의 제작에 사용되고 있는 기술이다. (주)인포비온에서는 IBD 기술과 더불어 표면만을 선택적으로 가열할 수 있는 EBA Technology를 사용하여 박막에 Energy를 전달하고, 이를 바탕으로 ITO 박막의 전기적, 광학적, 구조적인 특성의 변화를 관찰 연구했다 [1]. 본 연구에서는 기존의 Sputter 방법과 IBD 방법으로 증착 된 ITO 박막의 전기적, 광학적, 구조적인 특성 변화를 비교 관찰하였고, EBA 후처리로 ITO 박막을 상온에서 처리하여, 박막의 투과도, 면 저항, 미세구조의 변화를 관찰하였다. 각 특성의 변화는 UV-VIS, 4Point-Probe, TEM을 사용하여 분석하였고, 처리 전, 후의 박막의 결합에너지는 XPS로, 박막의 조성변화는 SIMS를 이용하여 각각 분석하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.07c
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• pp.1704-1706
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• 2003

Low-Pressure inductively coupled RF discharge sources have important industrial applications mainly because they can provide a high-density electrodeless plasma source with low ion energy and low power loss. In an inductive discharge, the RF power is coupled to the plasma by an electromagnetic interaction with the current flowing in a coil. In this paper, the experiments have been focussed on the electric characteristic and carried out using a single Langmuir probe. The internal electric characteristics of inductively coupled Ar RF discharge at 13.56 [MHz] have been measured over a wide range of power at gas pressure ranging from $1{\sim}70$ [mTorr].

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2008.11a
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• pp.9-10
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• 2008

Triple layers structure of $SiO_2$/ZnS:Mn/ZnS was synthesized by using ion substitution and chemical precipitation method. Each layer thickness was controlled by adjusting the concentration of manganese (II) acetate ($Mn(CH_3COO)_2$) and tetraethyl orthosilicate (TEOS). The structure and morphology of prepared phosphors were investigated by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and electron probe microscopic analyzer (EPMA). Photoluminescence (PL) properties of ZnS with different layer thickness and amount of Mn activator were analyzed by PL spectrometer. PL emission intensity and PL stability were analyzed for evaluating effects of Mn activator.

• Proceedings of the Korean Magnetic Resonance Society Conference
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• 2002.08a
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• pp.72-72
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• 2002

In most traditional sorption study in environmental conditions, experimental sorption data have been measured and interpreted by empirical ways such as partition coefficient and sorption isotherms. A mechanistic understanding of heavy metal interactions with various minerals (metal oxides, clay minerals) in aqueous medium is required to describe the behavior of radioactive metal ions in the environment. Various spectroscopic methods provide direct or indirect information on sorption mechanisms involved. We applied EPR (Electron Paramagnetic Resonance) spectroscopy to investigate the nature of metal ion sorption at water/mineral interfaces using Cu(II) as a spin probe. The major sorbed species and their motional state was identified by their EPR spectra. They showed distinct signals due to their strength of binding, local structure and motional state. The EPR results together with macroscopic sorption data show that sorption involved at least three different mechanisms depending on chemical environments (1).

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.83-84
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• 2007

$BCl_3$/Ar ICP 플라즈마를 이용한 $ZrO_2$ 박막의 식각 메카니즘이 실험 결과와 모델링을 통해 연구되었다. Ar 가스의 증가에 따라, $ZrO_2$의 식각 속도는 선형 변화의 경향을 보이지 않았고, Ar의 약 30% - 35%에서 41.4nm/min의 최대의 속도를 나타내었다. Langmuir probe 측정과 plasma 모델링 결과로부터, $BCl_3$/Ar 가스 혼합비가 플라즈마 파라미터와 active species의 형성에 큰 영향을 미침을 확인하였다. 한편 surface kinetics 모델링 결과로부터, $ZrO_2$의 식각 속도는 ion-assisted chemical reaction mechanism 에 의해 결정됨을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.471-471
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• 2010

대면적 디스플레이나 태양전지를 만들기 위해 식각 공정에 주로 이용되는 capacitively coupled plasma 장비의 크기에 대한 관심이 높아지고 있다. 특히, RF power를 사용함에 따라 높은 주파수로 올라갈수록 전극에 발생하는 standing wave effect로 인해 챔버 안의 전자기장의 세기가 균일하지 않고 그로 인해 plasma의 밀도 역시 균일하지 않다.[1] 이러한 plasma의 non-uniformity를 전극에 들어가는 power의 feeding 방법을 바꿔 가면서 해결해 보려고 하였다. ($0.48\;m\;{\times}\;0.48\;m$)크기의 사각전극과 50 MHz의 RF power를 사용하였다. plasma의 분포는 ion probe를 통해 살펴 보았다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.05a
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• pp.347-348
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• 2012

수소가 포함 되지 않은 저밀도 구조의 카본 박막을 마그네트론 스퍼터링으로 합성하였다. 본 실험을 통하여 플라즈마 변수에 따른 저밀도 구조의 카본 박막의 미세 구조와 물리적 특성과의 상관관계를 FESEM, AFM, 4-point probe의 분석 기구를 통하여 분석 하였고, 비정질 저밀도 구조의 탄소 박막에 Pt을 ion sputtering을 통하여 도핑 한 결과 1000에서 $0.0013{\Omega}cm$ 까지 전기 비저항을 낮추는 결과를 얻었다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2005.09a
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• pp.97-101
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• 2005

The ZnO:Al thin films were prepared on glass by Facing Target Sputtering (FTS) system. We investigated electrical, optical, and structural properties of AZO thin film with sputter ins current 0.1[A]-0.6[A]. We obtained the lowest resistivity $2.3{\times}\;10^{-4}[{\Omega}-cm]$ at sputtering current 0.6[A] from the 4-point probe and the strong (002) peak at sputtering current 0.3[A] from the X-ray Diffractometer (XRD). The optical transmittance of AZO thin films show a very high transmittance of $80\~95\%$ in the visible range and exhibit the absorpt ion edge of about 350 nm.