• 한국진공학회지
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• 제12권2호
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• pp.136-143
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• 2003

본 논문은 비질량분리형 이온빔증착법에 이용하기 위한 고순도의 고주파 스퍼터타입 이온소스에 대한 특성을 평가했다. 고주파 구리 코일과 고순도 (99.9999 %)의 구리 타겟으로 이루어진 이온소스에 대한 기본적인 특성과 ULSI금속배선용 구리 박막으로의 응용가능성에 대해서 고찰하였다. 구리 타겟에 걸어주는 전압에 따른 구리 타겟에 흐르는 전류 특성을 고주파 전원 또는 아르곤 가스 압력을 변화시키면서 특성을 평가한 후 구리박막제작을 위한 조건에 대해서 고찰하였다. 박막 증착을 위한 기본적인 조건으로써, 타겟의 전압 -300 V와 고주파 전원 240 W, 그리고 아르곤 압력 9 Pa이 정해졌으며, 이 같은 조건에서 기판 바이어스 -50 V에서 증착된 구리 박막의 비저항값은 1.8 $\pm$ 0.1 $mu\Omega$cm로 이는 구리 벌크의 저항값(1.67 $\pm$ 0.1 $\mu\Omega$cm)에 근접한 값임을 알 수 있었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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• pp.1372-1375
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• 2007

MgO thin films were deposited by $O^+$ IBAD method and results showed assisting oxygen ion beam energy plays a significant role in characteristics of MgO thin films. The lowest firing inception voltage, the highest brightness and the highest luminous efficiency were obtained when oxygen ion beam energy was 300 eV.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• 제3권2호
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• pp.139-144
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• 1999

Hydrogen concentration depth profiles in homoepitaxial Si(001) films grown from hyper-thermal Si beams generated by ultrahigh vacuum (UHV) ion-beam sputtering have been measured by nuclear reaction analyses as a function of film growth temperature and deposition rate. Bulk H concentrations CH in the crystalline Si layers were found tio be below detection limits, 1${\times}$1019cm-3, with no indication of significant H surface segregation at the crystalline/amorphous interface region. This is quite different than the case for growth by molecular-beam epitaxy (MBE) where strong surface segregation was observed for similar deposition conditions with average CH values of 1${\times}$1020cm-3 in the amorphous overlayer. The markedly decreased H concentrations in the present experiments are due primarily to hydrogen desorption by incident hyperthermal Si atoms. Reduced H surface coverages during growth combined with collisionally-induced filling of interisland trenches and enhanced interlayer mass transport provide an increase in critical epitaxial thicknesses by up to an order of magnitude over previous MBE results.

• 한국진공학회지
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• 제8권1호
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• pp.43-50
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• 1999

이온빔보조증착법으로 h-BN을 증착하여 이온에너지 및 기판온도에 따른 hexagonal ring의 배열 및 결정성의 변화를 연구하였다. 보론은 전자빔으로 1.5 $\AA$/sec 의 속도로 증발시켰으며, 질소는 둥-hall 형 이온건으로 60, 80, 100eV의 에너지로 공급하였다. 기판의 온도는 상온(no heating), 200, 400, 500, $800^{\circ}C$로 변화시켰다. 질소이온에너지가 증가할수록 hexagonal ring의 c축은 기판에 평행하게 배열하여 100 eV의 질소이온에너지에서 가장 좋은 배열을 나타내었다. 이는 이온에너지가 높을수록 합성 막에 큰 압축응력이 발생하기 때문으로 생각된다. 기판온도에 따라서는 온도가 증가함에 따라 배열이 증가하다가 약 $400^{\circ}C$에서 최대가 되고 그 보다 높은 온도에서는 배열이 감소하였다. 그리고 결정도는 온도가 증가할수록 향상되었다. 이러한 경향들은 온도가 증가함에 따라 원자 이동도는 증가하고 응력발생은 어려워지는 경향으로부터 잘 설명된다. 또한 nano-indentor로 측정한 h-BN막의 경도는 c-축의 배열정도와 같은 경향을 보였다. 이온빔보조증착법은 hexagonal ring의 배열을 통해 h-BN막 성질의 최적화에 효과적인 방법으로 판단된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.222-225
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• 2000

BSCCO thin films have been fabricated by co-deposition at an ultralow growth rate using ion beam sputtering(IBS) method. Bi 2212 phase appeared in the temperature range of 750 and $795^{\circ}C$ and single phase of Bi 2201 existed in the lower region than $785^{\circ}C$. Whereas, $Po_3$ dependance on structural formation was scarcely observed regardless of the pressure variation. And high quality of c-axis oriented Bi 2212 thin film with $T_c$ (onset) of about 90 K and $T_c$(zero) of about 45 K is obtained. Only a smd amount of CuO in some films was observed as impurity, and no impurity phase such as $CaCuO_2$ was observed in d of the obtained films.

• 한국자기학회지
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• 제12권4호
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• pp.132-136
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• 2002

유리기관 위에 이온 빔 증착(ion beam deposition ; IBD)법으로 제작한 버퍼층(buffer layer) Si의 두께에 따른 ［NiFe/FeMn/NiFe］3층박막의 결정성과 교환결합세기(exchange bias field ; H$_{ex}$)를 조사하였다. 버퍼층 Si는 NiFe층을 fcc(111)로 매우 우세하게 초기에 결정성장 시켰다. Si/NiFe 위의 증착된 FeMn층은 ${\gamma}$-fcc(111)구조로 성장함에 따라 안정되고 큰 H$_{ex}$를 가졌고, 버퍼 110 Oe로 거의 일정하였으며, 상부 FeMn/NiFe 이중구조의 H$_{ex}$는 300 Oe까지 증가하였다. 버퍼층이 Ta일 경우와 비교해서 Si일 때 H$_{ex}$와 결정성이 향상되었다.이 향상되었다.

• 한국진공학회지
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• 제13권1호
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• pp.22-28
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• 2004

본 논문은 탄탈 박막의 증착시 음의 기판 바이어스에 의한 탄탈 박막내의 불순물 농도변화에 대해서 고찰하였다. 탄탈 박막은 실리콘 기판 위에 이온빔 증착장비를 이용하여 기판 바이어스를 걸지 않은 경우와 -125 V의 기판 바이어스를 건 상태에서 증착하였다. 탄탈 박막내의 불순물 농도를 관찰하기 위해서 이차이온 질량분석기(secondary ion mass spectrometry)를 이용하였다. 세슘 클러스터 이온에 의한 깊이분석에서, -125 V의 기판 바이어스를 걸어줌으로써 산소, 탄소, 그리고 실리콘 불순물의 농도가 기판 바이어스를 걸지 않은 경우에 비해 상당히 감소한 것을 알 수 있었다. 또한, 세슘 이온빔과 산소 이온빔을 이용한 전체 불순물의 농도분포에서도, 음의 기판 바이어스가 박막 증착시 각각의 불순물 농도에 영향을 준다는 결과를 얻었고 이에 대한 고찰을 하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권12호
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• pp.1165-1169
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• 2003

이중 이온빔 스퍼터링(Dual ion-beam sputtering)을 사용하여 보조이온건의 Ar/O$_2$가스유량 변화에 따라 Si-(III) 기판과 glass에 Ta$_2$O$_{5}$ 박막을 증착시켰다. 보조 이온총의 산소 가스량의 비가 감소함에 따라서 증착되는 Ta$_2$O$_{5}$ 박막의 성장속도는 감소하였으며, 굴절률은 $O_2$ 가스의 양이 0∼12sccm인 범위에서 2.09(at 1550nm)로 일정한 값을 나타내었다. Ar:O$_2$가 3: 12인 조건에서 화학양론 조성인 Ta$_2$O$_{5}$를 형성하였으며, 표면 거칠기도 가장 작은 값을 나타내었다.나타내었다.

• 한국진공학회지
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• 제6권S1호
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• pp.110-114
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• 1997

Development of metal ion source growth of high quality Cu metal film formation of non-stoichiometric $SnO_2$ films of Si(100), and modification fo polymer surface by low enregy ion beam have been carried out at KIST Ion Beam Lab. A new metal ion source with high ion beam flux has been developed by a hybrid ion beam (HIB) deposition and non-stoichiometric $SnO_2$ films are controlled by supplying energy. The ion assisted reaction (IAR) in which keV ion beam is irradiated in reactive gas environment has been deveolped for modifying the polymers and enhancing adhesion to other materials and advantages of the IAR have been reviewed.

• 한국항해항만학회:학술대회논문집
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• 한국항해항만학회 2000년도 추계학술대회논문집
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• pp.97-100
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• 2000

Si$_2$Sr$_2$CuO$\sub$x/(Bi(2201)) thin films are fabricated by atomic layer by layer deposition using ion beam sputtering(IBS) method. During the deposition, 10 %-ozone/oxygen mixture gas of typical 5.0 ${\times}$ 10$\^$-5/ Torr is applied with ultraviolet light irradiation for oxidation. XRD and RHEED investigations reveal out that a buffer layer with some different compositions is formed at the early deposition stage of less than 10 units cell and then c-axis oriented Bi(2201) is grown.