In the case of contacts between semiconductor and metal in semiconductor devices, they tend to be unstable because of thermal budget. To prevent these problems we deposited W-C-N diffusion barrier for preventing the interdiffusion between metal and semiconductor. The thickness of the barrier is $1,000{\AA}$ and the pressure is 3 mTorr during the deposition. In this work we coated LSMO (CMR material) on W-C-N diffusion barrier and then we studied the interface effects between LSMO layer and W-C-N diffusion barrier. We got results that the magnetic characteristics of LSMO thin film are still maintained after annealing at $800^{\circ}C$ for 3 hr because W-C-N thin diffusion barrier was prevented the diffusion of oxygen between LSMO and Si substrate.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2013.05a
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pp.109-110
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2013
Medium carbon steel was aluminized by hot dipping into molten Al or Al-1%Si baths. After hot-dipping in these baths, a thin Al-rich topcoat and a thick alloy layer rich in $Al_5Fe_2$ formed on the surface. A small a mount of FeAl and $Al_3Fe$ was incorporated in the alloy layer. Silicon from the Al-1%Si bath was uniformly distributed throughout the entire coating. The hot dipping increased the microhardness of the steel by about 8 times. Heating at $700-1000^{\circ}C$ however decreased the microhardness through interdiffusion between the coating and the substrate. The oxidation at $700-1000^{\circ}C$ in air formed a thin protective ${\alpha}-Al_2O_3$ layer, which provided good oxidation resistance. Silicon was oxidized to amorphous silica, exhibiting a glassy oxide surface.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1998.06a
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pp.55-58
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1998
Recently, neural networks with self-adaptability like human brain have attracted much attention. It is desirable for the neuron-function to be implemented by exclusive hardware system on account of huge quantity in calculation. We have proposed a novel neuro-device composed of a MFSFET(ferroelectric gate FET) and oscillation circuit with CUJT(complimentary unijuction transistor) and PUT(programmable unijuction transistor). However, it is difficult to preserve ferroelectricity on Si due to existence of interfacial traps and/or interdiffusion of the constitutent elements, although there are a few reports on good MFS devices. In this paper, we have simulated CUJT and PUT devices instead of fabricating them and composed oscillation circuit. Finally, we have resented, as an approach to the MFSFET neuron circuit, adaptive learning function and characterized the elementary operation properties of the pulse oscillation circuit.
Kim, S.W.;Kim, J. K.;Lee, K.A.;Kim, B.Y.;Kim, J.H.;Lee, J.Y.;Lee, S.S.;Hwang, D.G.
Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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2002.12a
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pp.160-161
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2002
One problem in giant magnetoresistance(GMR) spin valves and magnetic tunneling junctions(MTJ) exchange biased by Mn-based antiferromagnets is the Mn diffusion into the ferromagnetic layer and other layers upon annealing.$^{1-3}$ It seems that Mn diffusion that may occur during annealing has a key role in the exchange biasing. We have fabricated multilayers inserting the nanolayer(NL) between antiferromagnet and ferromagent using ion-beam deposition system to study the diffusion effect for the exchange bias. (omitted)
An artificially modulated magnetic Co/Pd multilayer is one of the promising candidates for high density magneto-optic (MO) recording media, due to large Kerr rotation angle in the wavelength of a blue laser beam. however, since multilayer structure, as well as amorphous structure, is a non-equilibrium state in terms of free energy and MO recording is a kind of thermal recording which is conducted aound Curie temperature (Tc) of the recording media, when the multilayer is used for the MO recording media, changes in the multilayer structure are occurred as the amorphous structure do. Therefore, the assessment of the structural stability in the Co/Pd multilayer is crucially important both for basic research and applications. As the parameter of the structural stability in this research, modulation amplitude and particle size of the Co/Pd multilayer are measured in terms of Ar sputtering pressure and heat treatment temperature. From the results of the research, we find out that the magnetic exchange energy in the structural changes of a magnetic multilayer structure and suggest the operating temperature range for MO recording in the Co/Pd multilayer for the basic research and applications, respectively.
The outward diffusion of $Na^+$ ions in iron-bearing soda lime silicate glass via oxidation heat treatment before the ion exchange process is artificially induced in order to increase the amount of ions exchanged during the ion exchange process. The effect of the addition process is analyzed through measuring the bending strength, the weight change, and the inter-diffusion coefficient after the ion exchange process. The glass strength is increased when the outward diffusion of $Na^+$ ions via oxidation heat treatment before the ion exchange process is added. For the glass subjected to the additional process, the weight change and diffusion depth increase compared with the glass not subjected to the process. The interdiffusion coefficient is also slightly increased as a result of the additional process.
SrCaCuO와 BiPbCuO 화합물로 이루어진 이중층시료가 만들어 졌으며, 소결과정에서 나타나는 확산과 입자간의 상호작용으로 108K의 임계온도를 나타내었다. 이 시료는 820.deg. C에서 0-210 시간동안 소결되었다. 초전도체의 생성, 성장메카니즘과 임계온도의 관계가 연구되었으며, 최적조건은 820.deg. C에서 210시간 소결하고 SrCaCuO와 BiPbCuO의 도포비가 1:0.6인 시편에서 나타났다. 또한 이중층시료에서 가장 좋은 조성비는 S $r_{2}$C $a_{2}$C $u_{2}$$O_{x}$와 B $i_{1.9}$P $b_{0.5}$C $u_{3}$$O_{y}$ 이었다.다.
In this study, as an effort to improve the brittlement of coating layer, aluminum bronze coatings formed on steel substrates by arc jet spray process were subjected to post heat treatment. After each treatment, mechanical properties such as hardness, and UTS, and microstructural characterization of the specimens were investigated. The results showed that the hardness in the coatings slightly decreased with increasing heat treatment tine and temperature. The UTS of as-sprayed coatings was 4.31kgf/$\textrm{mm}^2$ and slightly increased to 5.51kgf/$\textrm{mm}^2$ after heat treatment at $900^{\circ}C$ for 120min. On the other hand, the interdiffusion of copper and aluminum particles after heat treatment lead to decrease of the porosity density and increase the bond strength.
Various compositions of CeO2-Ce3Si2 (0, 10, 30, 50, and 100 wt%Ce3Si2) composites were fabricated using conventional sintering and spark plasma sintering. Lower relative density, enhanced interdiffusion of oxygen and silicon, and silicide agglomerations from the congruent melting of Ce3Si2 at 1390 ℃ were only observed from conventionally-sintered pellets. Thermal conductivity of spark plasma sintered CeO2-Ce3Si2 composites was calculated from the measured thermal diffusivity, specific heat, and density, which exhibited dense (>90 %TD) and homogeneous microstructure. The composite with 50 wt%Ce3Si2 exhibited 55% higher thermal conductivity than CeO2 at 500 ℃, and 81% higher at 1000 ℃.
Two new barium vanadium borophosphate compounds, $(NH_4)_2(C_2H_{10}N_2)_6[Ba(H_2O)_5]_2[V_2P_2BO_{12}]_6{\cdot}8H_2O$, Ba-
VBPO1 and $(NH_4)_8(C_3H_{12}N_2)_4[Ba(H_2O)_7][V_2P_2BO_{12}]_6{\cdot}17H_2O$, Ba-VBPO2 have been synthesized by
interdiffusion methods in the presence of diprotonated ethylenediamine and 1,3-diaminopropane. Compound
Ba-VBPO1 has an infinite chain anion (${[BaH_2O)_5]_2[V_2P_2BO_{12}]_6}$$^{14-}$, whereas Ba-VBPO2 has a discrete
cluster anion {[$Ba(H_2O)_7][V_2P_2BO_{12}]_6$}$^{16-}$. Crystal Data: $(NH_4)_2(C_2H_{10}N_2)_6[Ba(H_2O)_5]_2[V_2P_2BO_{12}]_6{\cdot}8H_2O$,
triclinic, space group P$\overline{1}$ (no. 2), a = 13.7252(7) $\AA$, b = 15.7548(8) $\AA$, c = 15.8609(8) $\AA$, α = 63.278(1)$^{\circ}$, $\beta$ =
75.707(1)$^{\circ}$, $\gamma$ = 65.881(1)$^{\circ}$, Z = 1; $(NH_4)_8(C_3H_{12}N_2)_4[Ba(H_2O)_7][V_2P_2BO_{12}]_6{\cdot}17H_2O$, monoclinic, space group
C2/c (no. 15), a = 31.347(2) $\AA$, b = 17.1221(9) $\AA$, c = 22.3058(1) $\AA$, $\beta$ = 99.303(1)$^{\circ}$, Z = 4.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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