Magnetic nanoparticles (MNP) have attracted considerable interest in many fields of research and applied science due to their impressive properties. In the past, especially biomedical problems have promoted the development of MNPs. For technical applications e.g. wastewater treatment and absorption of electromagnetic waves, the existing synthesis approaches are too expensive and/or the producible quantities are too low. In this work we present a method for simple preparation of size-controlled magnetic iron oxide nanoparticles by electroerosion dispersion (EED) of carbon steel in water. We describe the synthesis method, the laboratory installation and discuss the structural, chemical and electromagnetic properties of the synthetized EED powders as well as their applicability for microwave absorption compared to other available ferrite powders.
Transparent organic-inorganic hybrid hard coating films were prepared by the addition of $SiO_2$ or $ZrO_2$, as an inorganic filler to improve the hardness property, filler was highly dispersed in the acrylic resin. To improve the compatibility in the acrylic resin, $SiO_2$ or $ZrO_2$ is surface-modified using various silanes with variation of the modification time and silane content. Depending on the content and kind of the modified inorganic oxide, transparent modified inorganic sols were formulated in acryl resin. Then, the sols were bar coated and cured on PET films to investigate the optical and mechanical properties. The optimized film, which has a modified $ZrO_2$ content of 4 wt% markedly improved in terms of the hardness, haze, and transparency as compared to neat acrylate resin and acrylate resin containing modified $SiO_2$ content of 8 wt%. Meanwhile, the low transparency and high haze of these films slowly appeared at $SiO_2$ content above 10 wt% and $ZrO_2$ content of 5 wt%, but the hardness values were maintained at 2H and 3H, respectively, in comparison with the HB of neat acrylate resin.
Using various compositions of thermally conductive inorganic fillers with boron nitride (BN) and aluminum oxide ($Al_2O_3$), solventless UV-curable thermally conductive acrylic pressure sensitive adhesives (PSAs) were prepared. The base of the PSAs consists of 2-ethylhexyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, and isobornyl acrylate.The compositions of the thermally conductive inorganic fillers were 10, 15, 20, and 25 phr in case of BN, and 20:0, 15:5, 10:10, 5:15, and 0:20 phr in case of $BN/Al_2O_3$. The adhesion properties like peel strength, shear strength, and probe tack, and the thermal conductivity of the prepared PSAs were investigated with different thermally conductive inorganic filler contents. There were no significant changes in photo-polymerization behavior with increasing BN or $BN/Al_2O_3$ content. Meanwhile, the conversion rate and transmittance of the PSAs decreased and their thermal stabilities increased with increasing BN content. Their adhesion properties were also independent of the BN or $BN/Al_2O_3$ content. The dispersibility of BN in the acrylic PSAs was better than that of $Al_2O_3$ and it ranked the thermal conductivity in the following order: BN > $BN/Al_2O_3$ > $Al_2O_3$.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2010.05a
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pp.18.2-18.2
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2010
For the past a few years, we have intensively researched the printable inorganic conductors and ZnO-based amorphous oxide semiconductors (AOSs) for thin-film transistors. For printable conductor materials, we have focused on the aqueous Ag and Cu ink which possess a variety of advantages, comparing with the conventional metal inks based on organic solvent system. The aqueous Ag ink was designed to achieve the long-term dispersion stability using a specific polymer which can act as a dispersant and capping agent, and the aqueous Cu ink was carefully formulated to endow the oxidation stability in air and even aqueous solvent system. The both inks were successfully printed onto either polymer or glass substrate, exhibiting the superior conductivity comparable to that of bulk one. For printable ZnO-based AOSs, we have researched the noble way to resolve the critical problem, a high processing-temperature above $400^{\circ}C$, and recently discovered that Ga doping in ZnO-based AOSs promotes the formation of oxide lattice structures with oxygen vacancies at low annealing-temperatures, which is essential for acceptable thin-film transistor performance. The mobility dependence on annealing temperature and AOS composition was analyzed, and the chemical role of Ga are clarified, as are requirements for solution-processed, low-temperature annealed AOSs.
Lee, Gemma;Kim, Sa Duk;Park, Sungchul;Kim, Derk Moon
Journal of Conservation Science
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v.34
no.5
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pp.421-431
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2018
Analyses of the three-storied stone pagoda at the Bulguksa temple in Gyeongju were carried out in order to identify the cause for material characteristics of inorganic contaminants and conservation treatment materials. Results indicated that foreign soil or weathering soil caused yellow discoloration of the pagoda, reddish-brown contaminants were formed by goethite (FeOOH), an iron oxide mineral, and black pollutants were formed by manganese (Mn) oxide, leading to discoloration of the rock. Among the restoration materials used in the past, cement mortar could cause whitening by reacting with the external environment. The results were used as basic standards to evaluate the material characteristics of the surface contaminants and identify a set of effective conservation treatments. Nevertheless, continuous monitoring is required, as there is a high possibility of regeneration of pollutants in the future because of the continuous exposure of the pagoda to the external environment.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.16
no.1
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pp.888-894
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2015
Inorganic composite particles have excellent physical and chemical characteristics and have been applied in various industries. Recently, many studies have examined the optical properties, such as light scattering, refraction, transmission characteristics, by coating organic-inorganic materials on a substrate, such as mica. Mica is widely applied as a pigment, plastics, painted products, and ceramics because of its high chemical stability, durability and non-toxicity. Magnesium oxide has a range of properties, such as high light transmittance, corrosion resistance and non-toxicity, and it is used as an optical material and polymer additives. To use the optical properties of mica and magnesium oxide, mica was coated with magnesium hydroxide by a dissolution and recrystallization process. In this study, the optimal conditions for the haze value of the particles were found by adjusting the amount of precursors and pH. Magnesium hydroxide layers were formed on the surfaces of mica and converted to MgO after calcination at $400^{\circ}C$ for 4 h. The results showed that the value of MgO-coated mica haze can be controlled easily by the amount of the magnesium hydroxide and pH. The optical properties of the inorganic composite powder were analyzed using a hazemeter and the highest haze value was 85.92 % at pH 9. The physicochemical properties of the synthesized composite was analyzed by SEM, XRD, EDS, and PSA.
Oxide layers were formed by an environmentally friendly plasma electrolytic oxidation (PEO) process on AZ91 Mg alloy. PEO treatment also resulted in strong adhesion between the oxide layer and the substrate. The influence of the KF electrolytic solution and the structure, composition, microstructure, and micro-hardness properties of the oxide layer were investigated. It was found that the addition of KF instead of KOH to the $Na_2SiO_3$ electrolytic solution increased the electrical conductivity. The oxide layers were mainly composed of MgO and $Mg_2SiO_4$ phases. The oxide layers exhibited solidification particles and pancake-shaped oxide melting. The pore size and surface roughness of the oxide layer decreased considerably with an increase in the concentration of KF, while densification of the oxide layers increased. It is shown that the addition of KF to the basis electrolyte resulted in fabricating of an oxide layer with higher surface hardness and smoother surface roughness on Mg alloys by the PEO process. The uniform thickness of the oxide layer formed on the Mg alloy substrates was largely determined by the electrolytic solution with KF, which suggests that the composition of the electrolytic solution is one of the key factors controlling the uniform thickness of the oxide layer.
Proceedings of the Korean Institute of Building Construction Conference
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2016.05a
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pp.34-35
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2016
Most of the construction adhesive may contain harmful component to the human body with an organic adhesive. In addition, when the adhesive caused hydroquinone, alkyl benzophenone, etc, also it raises the skin diseases to workers. Therefore, the inorganic adhesive development is necessary. This study was a study to know adhesive strength properties that adhesive using a magnesium oxide according to the addition ratio of the retarder. It has experiments to two types of magnesium oxide and type and ratio of retarder differently.
The degradation of dielectric breakdown field of 8nm-thick gate oxide ($SiO_2$) for Tipolycide MOS(meta1-oxide-semiconductor) capacitor with different annealing conditions and thickness of the polysilicon film on gate oxide was investigated. The degree of degradation in dielectric breakdown strength of the gate oxide for Ti-polycide gate became more severe with increasing annealing temperature and time, especially, for the case that thickness of the polysilicon film remained on the gate oxide after silicidation was reduced. The gate oxide degradation may be occurred by annealing although there is no direct contact of Ti-silicide with gate oxide. From SIMS analysis, it was confirmed that the degration of gate oxide during annealing was due to the diffusion of titanium atoms into the gate oxide film through polysilicon from the titanium silicide film.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.301.2-301.2
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2016
Metal-oxide thin-film transistors (TFTs) have gained a considerable interest in transparent electronics owing to their high optical transparency and outstanding electrical performance even in an amorphous state. Also, these metal-oxide materials can be solution-processed at a low temperature by using deep ultraviolet (DUV) induced photochemical activation allowing facile integration on flexible substrates [1]. In addition, high-dielectric constant (k) inorganic gate dielectrics are also of a great interest as a key element to lower the operating voltage and as well as the formation of coherent interface with the oxide semiconductors, which may lead to a considerable improvement in the TFT performance. In this study, we investigated the electrical properties of solution-processed high-k strontium-doped AlOx (Sr-AlOx) gate dielectrics. Using the Sr-AlOx as a gate dielectric, indium-gallium-zinc oxide (IGZO) TFTs were fabricated and their electrical properties are analyzed. We demonstrate IGZO TFTs with a 10-nm-thick Sr-AlOx gate dielectric which can be operated at a low voltage (~5 V).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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