Sludged silicon powders that are generated during silicon ingot slicing process have potential usage as silicon source in fabricating silicon carbide powders by adding carbon. A thermodynamic calculation is performed to consider a plausible formation condition for the silicon carbide powders. A thin silicon oxide layer around silicon powder is sufficient to supply equilibrium oxygen partial pressure at the formation temperature($1400^{\circ}C$) of the silicon carbide in the Si-C-O ternary system. Formation of silicon carbide by using the sludged silicon powders is more efficient than by using silicon oxide powders.
In the steel industry, there is a need to produce large forged parts for the automobile industries, the flight and shipping industries ad military industries. In the steel-industry application, a cogging technique for cast ingots is required, because the major parts are needed as one large body in order to obtain higher quality. Therefore, cogging process is the primary step in manufacturing of practically large open-die forging. In the cogging process, internal voids have to be eliminated as defects, The present work is concerned with the elimination of the internal voids in large ingots so as obtain sound products. In this study, hot compression tests were carried out to obtain the flow stress of cast microstructure at different temperature and strain rates. The FEM analysis are performed to investigate the overlap defect of cast ingots during cogging stage. The measure flow stress data were used to simulate the cogging process of cast ingot using the practical material properties. Also the analysis of void closure are performed by using the $DEFORM^{TM}$-3D. The calculated results of void closure behavior are compared with the measured results before and after cogging, which are scanned by the X-ray scanner. From this result, the criteria for deformation amounts effect on the void closure can be investigated by the comparison of practical experiment and numerical analysis.
The forging process produces complicated and designed components in a die at high productivity for mass production and minimizes the machining amount for favorable material utilization; the forging products used at highly stressed sections are well accepted at a wide range of industry such as automobile, aerospace, electric appliance and et cetera. Accordingly, recent R&D activities have been emphasized on improvement of forging die-life and near net shaping technology for cost effectiveness and better performance. Usually closing and consolidation of internal void defects in a ingot is a vital matter when utilized as large forged products. It is important to develop cogging process for improvement of internal soundness without a void defect and cost reduction by solid forging alone with limited press capacity. For experiments of cogging process, hydraulic press with a capacity of 800 ton was used together with a small manipulator which was made for rotation and overlapping of a billet. Size of a void was categorized into two types; ${\phi}$ 6.0 mm and ${\phi}$ 9.0 mm to investigate the change of closing and consolidation of void defects existed in the large ingot during the cogging process. In addition for forming experiment of piston grown air drop hammer with a capacity of 16 ton was used. The experiment with piston crown was carried out to show the formability and void closing status. In this paper systematic configuration for closing process of void defects were expressed based on this experiment results in the cogging process. Also forging defects through forming process for piston crown was improved using the experiment results and FE analysis. Consequently this paper deals with the effect of radial parameters in cogging process on a void closure far large forged products and formability of piston crown.
The effects of homogenization, hot-forging, and annealing condition on microstructure and hardness of a modified STD61 hot-work tool steel were investigated. The ingot specimen had a dendritic structure consisting of bainite and martensite. Spherical VC particles of approximately 50 nm and cuboidal (V,Ti)C particles of about 100 nm were observed in the ingot specimen. After homogenization, the dendritic structure was blurred, and the difference in hardness between martensite and bainite became narrow, resulting in the more homogeneous microstructure. Needle-shaped non-equilibrium $(Fe,Cr)_3C$ particles were additionally observed in the homogenized specimen. The hot-forged specimen had bainite single phase with spherical VC, cuboidal (V,Ti)C, and needle-shaped $(Fe,Cr)_3C$ particles. After annealing at $860^{\circ}C$, the microstructures of specimens were ferrite single phase with various carbides such as VC, $(Fe,Cr)_7C_3$, and $(Fe,Cr)_{23}C_6$ because of relatively slow cooling rates. The size of carbides in annealed specimens decreased with increasing cooling rate, resulting in the increase of hardness.
본 연구에서는 법정광물 및 정부비축광물을 대상으로 HSK Code 개정(안)을 수립하였다. 법정 광물 중 리튬 광, 희토류 광, 사문석, 연옥, 비축 대상 광종 중 인듐 괴, 페로텅스텐, 안티모니 괴, 셀렌 그래뇰, 갈륨, 산화란탄, 탄산세륨 등의 경우 타 품목과 혼합되어 HSK Code가 부여되어있어 세부 품목별로 정확한 무역통계를 파악하기가 어렵다. 또한 현재의 HSK Code 분류체계에서는 대략적인 품목의 명칭 정도만을 확보할 수 있을 뿐 용도, 규격, 성분, 타입 등 보다 구체적인 품목에 대한 정보는 확보하기가 어려운 상황이다. 법정광물, 정부비축 등 국가적 차원에서 관리되고 있는 광물자원에 대해서는 정확한 통계적 데이터 구축을 위해 품목분류를 세분화하여 단독으로 HSK Code를 관리하는 것을 원칙으로 하였다. 단, 국제 공통기준(HS Code 6단위)을 준수하는 범위 내에서 개정안을 마련하였으며, 수입규모가 일정규모 이상(금액기준 : 5천만불 이상, 물량기준 : 5천톤 이상)인 품목을 개정 대상으로 선정하였고 HSK Code간 Hierarchy의 균형을 고려하였다.
In this study, the effect of scrap ratio on the mechanical properties of Zr alloys was studied. Oxygen content in the ingot cake increased rapidly with increasing fraction of scrap, which can be attributed to the surface oxide of scrap including small pieces of turning, chips, etc. Iron content did not increase much with the increasing addition of scrap, suggesting scrap materials was well reserved in the iron-free container. As-cast structure of Zr alloy with the scrap:sponge ratio displayed plate/or needle ${\alpha}$ phase and no appreciable change of the cast structure was observed with change of scrap fraction. The strength increases with increasing fraction of scrap, which can be attributed to the increase of oxygen content. The ductility decreased slightly with increase of scrap fraction. Dislocation-oxygen interaction is known to increase the strength at the expense of ductility. Ingot cake with intentionally added $Fe_2O_3$ exhibited the drastic decrease of the formability, even exhibited the brittle fracture behavior during rolling. The oxidation resistance, however, increased with the increase of scrap fraction because of high oxygen content, which may prevent more penetration and diffusion of oxygen into matrix.
반도체용 규소 원료는 11 N급의 고순도이나 가격이 고가이고 또한 생산이 제한되어서 폭발적인 태양전지의 수요를 따르지 못하고 있어 저급(5$\sim$6 N)의 UMG(Upgraded Metallurgical Grade)를 사용하자 하는 노력이 진행 중이다. 이 5$\sim$6 N급에서는 dopant 원소인 붕소(B)외 인(P)의 농도가 1 ppm 이상 존재한다. 이들 원료를 사용하여서 결정 성장을 하였을 경우에 존재하는 여러 불순물들의 편석계수(segregation coefficient)를 활용하여 화학적, 전기적 성질을 예상 하여본 결과 결정성장 초기에는 붕소(B)의 농도가 인(P) 보다 높아 p영역이 발생하고 후반부에는 인의 농도가 붕소 보다 높아 n 형 기판이 생성됨을 보았다. 또한 응고속도를 조절하여 여러 불순물을 제거하고자 히는 노력은 편식계수가 적은 금속 일소들의 제거에는 효과적이나 편석계수가 큰 붕소와 인의 제거에는 효과가 크지 않음을 예상 할 수 있다.
Voids in a large rotor are formed in solidification process of a cast ingot. The voids have to be eliminated from the rotor by a forming process, because they would became stress-intensity factors which suddenly fracture the rotor in the operation. Previous studies on void-elimination of a large rotor have mainly focused on finding the process variables affecting the void-closure. But the study on the amount of void closure in a large rotor has been very rare. This study was performed to obtain an equation which predicts the amount of void-closure in a forging process of a large rotor and to evaluate the availability of the void-closure equation through finite element analyses. Firstly, 2D FE analysis was carried out to find effects of time integral of hydrostatic stress and effective strain on void volume rate of a large rotor in the upsetting process for various diameters and shapes of void, and material temperature. From the 2D FE analysis, we found that effective strain was suitable for predicting the void-closure of a large rotor, because there was a constant relationship between void volume rate and effective strain. And a void-closure equation was proposed fur predicting void-closure of a large rotor in the upsetting process. Finally, ken the 3D FE analysis, the proposed void-closure equation was verified to be useful for upsetting and cogging processes.
In crystalline solar cells, the substrate itself constitutes a large portion of the fabrication cost as it is derived from semiconductor ingots grown in costly high temperature processes. Thinner wafer substrates allow some cost saving as more wafers can be sliced from a given ingot, although technological limitations in slicing or sawing of wafers off an ingot, as well as the physical strength of the sliced wafers, put a lower limit on the substrate thickness. Complementary to these economical and techno-physical points of view, a device operation point of view of the substrate thickness would be useful. With this in mind, BC-BJ Si and GaAs solar cells are compared one to one by means of the Medici device simulation, with a particular emphasis on the substrate thickness. Under ideal conditions of 0.6 ${\mu}m$ photons entering the 10 ${\mu}m$-wide BC-BJ solar cells at the normal incident angle (${\theta}=90^{\circ}$), GaAs is about 2.3 times more efficient than Si in terms of peak cell power output: 42.3 $mW{\cdot}cm^{-2}$ vs. 18.2 $mW{\cdot}cm^{-2}$. This strong performance of GaAs, though only under ideal conditions, gives a strong indication that this material could stand competitively against Si, despite its known high material and process costs. Within the limitation of the minority carrier recombination lifetime value of $5{\times}10^{-5}$ sec used in the device simulation, the solar cell power is known to be only weakly dependent on the substrate thickness, particularly under about 100 ${\mu}m$, for both Si and GaAs. Though the optimum substrate thickness is about 100 ${\mu}m$ or less, the reduction in the power output is less than 10% from the peak values even when the substrate thickness is increased to 190 ${\mu}m$. Thus, for crystalline Si and GaAs with a relatively long recombination lifetime, extra efforts to be spent on thinning the substrate should be weighed against the expected actual gain in the solar cell output power.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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