Effects of Nitrogen Additive Gas on the Property of Active Layer and the Device Characteristic in Indium-zinc-oxide thin Film Transistors (산화인듐아연 박막 트랜지스터에서 질소 첨가가스가 활성층의 물성 및 소자의 특성에 미치는 영향)
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- The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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- v.59 no.11
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- pp.2016-2020
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- 2010