한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.537-539
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2009
We report the improvement in adhesion of IZO thin films through oxygen ($O_2$) plasma treatment of organic polymer film. In conclusion, the $O_2$ plasma treatment of an organic polymer film was accomplished with improving ca. 1.8 times in adhesion than that of the only general etch treatment on the same organic polymer film.
Ji, Seung-Hun;Youn, Hyun-Oh;Seo, Sung-Bo;Kim, Mi-Sun;Sohn, Sun-Young;Kim, Jong-Jae;Kim, Hwa-Min
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.1428-1429
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2009
Compared to the indium zinc oxide (IZO) film fabricated by micro-powder target, the IZO film with nano-powder target exhibited improved optoelectronic properties of wide bandgap, high transmittance, surface uniformity, and low sheet resistance due to the high film density.
마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 $100^{\circ}C$미만의 저온에서 플라스틱 기판위에 IZO(Indium Zinc Oxide) 박막을 증착하였다. 저전압 방전을 위하여 RF 중첩형 DC 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하였으며, 인가 power에 따른 IZO 박막의 전기적, 광학적 특성과 굽힘에 대한 신뢰성을 평가하였다. 플라스틱 기판이 변형되지 않도록 $90\;^{\circ}C$ 이하의 범위에서 기판온도와 산소분압을 변화하여 $2{\times}10^{-4}$${\Omega}$ cm의 비저항, 95 % 이상의 가시광 투과도를 가지는 IZO 박막을 증착할 수 있었다. 또한 본 연구에서 비가열의 플라스틱기판 위에 증착한 IZO 투명전극을 이용하여 유연성 OLED를 제작하였으며, 제작된 소자의 특성은 13.7 %의 최대양자 효율과 32.7 lm/W의 전력효율을 보였다.
IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) 물질은 기존에 사용되던 Amorphous Silicon에 비해 전자 이동도가 더욱 빠르기 때문에 차세대 디스플레이 재료로서 각광받고 있으며, 이러한 빠른 전자 이동도는 디스플레이 소자에 있어서 매우 중요한 요소 중 하나이다. 이를 향상시키기 위하여 본 연구에서는 ICP(inductively coupled plasma) antenna를 이용하여 rf power와 requency를 변화함으로써 박막 증착 시 발생되는 플라즈마의 특성을 조절하여, 박막의 특성을 조절하고자 했다. 이렇게 증착된 IGZO 박막은 Hall Effect Measurement를 이용하여 전기적 특성을 분석하였으며, XPS(x-ray photoelectron spectroscopy)를 이용하여 박막의 조성을 분석하였다.
Kim, Hyo Jung;Lee, Jeong-Hwan;Kim, Jang-Joo;Lee, Hyun Hwi
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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pp.192.2-192.2
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2013
Crystalline order and surface stability of 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexanitrile (HATCN) thin films on organic surface were investigated using grazing incidence wide angle x-ray scattering and x-ray reflectivity measurements. In the initial growth regime (less than 20 nm), HATCN molecules were stacked to low crystalline order with substantial amorphous phase. Meanwhile, a thicker film with 50 nm thickness showed high crystalline order of hexagonal phase with three different orientational domains. The domain distribution was quantitatively obtained as a function of tilted angle. By an organic-inorganic interface formation of IZO/HATCN thin film from an indium zinc oxide (IZO) electrode deposition, the surface stability of HATCN film was investigated and the sharp interface was confirmed by the x-ray reflectivity measurement.
마그네트론 스퍼터링 공정을 이용하여 $100^{\circ}C$미만의 저온에서 산소유량을 변화시켜 Indium Zinc Oxide(IZO) 박막을 증착하였다. 기판온도의 영향과 산소유량의 변화에 따른 IZO 박막의 전기적 특성 변화를 조사하였다. 그 결과 가열하지 않고 증착한 경우 산소유량비의 증가와 함께 IZO 박막의 비저항이 증가되었고, $80^{\circ}C$로 증착온도를 가열한 경우 산소유량비 조절조건에 따라 최소 비저항이 얻어졌다. IZO 박막의 최저 비저항은 증착온도 $80^{\circ}C$, 산소유량비 1%조건에서 $2{\times}10^{-4}$${\Omega}$ cm로 나타났다.
투명전극 산화막은 태양전지, 평판 디스플레이 등의 투명전극과 같은 광전자 소자에 사용되고 있다. 투명 전도성 산화막으로서 ITO (Indium tin oxide)는 높은 투과도, 낮은 비저항, 높은 일함수 등의 장점을 가지고 있어서 그동안 널리 사용되어 왔다. 그러나 In의 희소성으로 인한 고가격 문제 때문에 이를 대체하기 위해 불순물을 도핑한 ZnO (Zinc oxide)에 관한 연구가 활발히 진행되어 왔다. ZnO의 전기전도도를 높이기 위해 일반적으로 Al, Ga, B와 같은 3족 원소가 ZnO의 n형 도펀트로 널리 사용된다. 그 중에서 Al은 반응성이 커서 박막 증착 중에 산화되기 쉬운 반면 낮은 생산단가, 우수한 전기적 및 광학적 특성을 보이기 때문에 투명 전극으로서 Al-doped ZnO (AZO)가 많이 이용되고 있다. 본 연구에서는 rf 마그네트론 스퍼터링 공정을 이용하여 glass 기판 위에 Al-doped ZnO (AZO) 투명 전도막을 증착하였고, 수명 및 신뢰성에 영향에 미치는 주요 인자로서 온도, 온도 사이클 및 습도에 따른 AZO 박막의 열화 특성에 대한 연구를 진행하였다. 또한, 온도 사이클, 고온 및 고온고습 환경에 장시간 노출된 AZO 박막들의 성능 저하 원인들을 미세구조 관찰, 전기적 및 광학적 특성 변화들을 연계하여 규명하고자 하였다.
Recently, in order to improve the performance of the colloidal quantum dot solar cells (CQDSCs), various efforts such as the modification of the cell architecture and surface treatment for quantum dot (QD) passivation have been made. Especially, the incorporation of halides into the QD matrix was reported to improve the performances significantly via passivating QD trap states that lower the life-time of the minority-carrier. In this work, we fabricated a lead sulfide (PbS) QD bilayer treated with different ligands and utilized it as a photoactive layer of the CQDSCs. The bottom and top PbS layer was treated using metal iodide ($MI_x$ and butanedithiol (BuDT), respectively. All the depositions and ligand treatments were carried out in air using layer-by-layer spin-coating process. The fabrication of the active layers as well as the n-type zinc oxide (ZnO) layer was successfully carried out on the bendable indium-tin-oxide (ITO)-coated polyethylene terephthalate (PET) substrate, which implies that this technique can be applied to the fabrication of flexible and/or wearable solar cells. The power conversion efficiency (PCE) of the CQDSCs with the architecture of $PET/ITO/ZnO/PbS-MI_x/PbS-BuDT/MoO_x/Ag$ reached 4.2 %, which is significantly larger than that of the cells with single QD (PbS-BuDT) layer.
We report growth of vertically well-aligned zinc oxide (ZnO) nanorods on indium-tin oxide (ITO)/glass substrates using a simple aqueous solution method at low temperature via control of the ZnO seed layer morphology. ZnO nanoparticles acting as seeds are pre-coated on ITO-coated glass substrates. by spin coating to control distribution and density of the ZnO seed nanoparticles. ZnO nanorods were synthesized on the seed-coated substrates in a dipping process into a main growth solution. It was found that the alignment of ZnO nanorods can be effectively manipulated by the spin-coating speed of the seed layer. A grazing incidence X-ray diffraction pattern shows that the ZnO seed layer prepared using the higher spin-coating speed is of uniform seed distribution and a flat surface, resulting in the vertical growth of ZnO nanorods aligned toward the [0001] direction in the main growth process.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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