• 한국재료학회지
• /
• 제6권8호
• /
• pp.817-824
• /
• 1996

리모트 수소 플라즈마를 이용하여 Si 기판 위의 구리 오염의 제거 효과에 관하여 조사하였다. 최적의 공정 조건을 찾기 위하여 Si 기판을 1ppm ${CuCI}_{2}$ 표준 화학 용액으로 인위적으로 오염시킨 후 rf power와 세정시간, 거리 (수소플라즈마 중심에서 Si 기판표면까지의 거리)등의 공정 변수를 변화시키며 리모트 수소 플라즈마 세정을 실시하였다. 리모트 수소 플라즈마 세정 후 Si 표면의 분석을 위하여 TXRF(total x-ray reflection fluorescence)와 AFM(atomic force microscope)측정을 실시하였다. 리모트 수소 플라즈마 세정이 Cu의 제거에 효과적이며 Si 표면의 거칠기에 나쁜 영향을 주지 않음을 TXRF와 AFM 분석결과로부터 알 수 있었다. Cu 불순물의 흡착 메커니즘은 산화 환원 전위 이론으로 설명될 수 있으며, Cu 불순물의 제거 메커니즘은 XPS(x-ray photoelectron spectroscopy)분석결과를 근거로 하여 다음과 같이 설명할 수 있다. :먼저 Cu 이온이 Si 표면에 흡착되어 화학적 산화막을 생성한다. 그 다음, 수소 플라즈마 중의 반응성이 강한 수소이온이 이 산화막을 분해시켜 제거하며 Cu 불순물은 산화막이 제거될 때 함께 제거된다.

• 공업화학
• /
• 제27권3호
• /
• pp.335-341
• /
• 2016

본 연구에서는 지상 및 미소중력환경하에서 물리적 승화법 공정에서의 확산-대류유동에 미치는 불순물의 영향을 이론적으로 $Hg_2Cl_2-I_2$ 시스템에 적용하여 규명하는 것이다. 이론적 해석은 증기상에서 확산-대류 흐름, 열 및 물질전달을 속도 벡터 흐름, 유선, 온도, 농도 분포를 통하여 제시된다. 결정 영역에서의 전체 몰플럭스는 중력가속도와 성분 $I_2$, 불순물에 상당히 민감하게 반응한다. 성분 $I_2$을 증가시켰을 때, 농도 대류효과는 확산-대류 유동흐름을 안정화시키는 경향이 있다. 지상중력가속도의 0.001환경에서는 유동흐름은 1차원포물선의 흐름 구조를 나타내며, 확산지배형태를 보여주고 있다. $10^{-3}$지상중력가속도 이하에서는 대류 영향은 무시할 수 있다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제48권5호
• /
• pp.426-432
• /
• 2011

The oxidation behavior of CVD ${\beta}$-SiC was investigated for Very High Temperature Gas-Cooled Reactor (VHTR) applications. This study focused on the surface analysis of the oxidized CVD ${\beta}$-SiC to observe the effect of impurity gases on active/passive oxidation. Oxidation test was carried out at $950^{\circ}C$ in the impurity-controlled helium environment that contained $H_2$, $H_2O$, CO, and $CH_4$ in order to simulate VHTR coolant chemistry. For 250 h of exposure to the helium, weight changes were barely measurable when $H_2O$ in the bulk gas was carefully controlled between 0.02 and 0.1 Pa. Surface morphology also did not change based on AFM observation. However, XPS analysis results indicated that a very small amount of $SiO_2$ was formed by the reaction of SiC with $H_2O$ at the initial stage of oxidation when $H_2O$ partial pressure in the CVD ${\beta}$-SiC surface placed on the passive oxidation region. As the oxidation progressed, $H_2O$ consumed and its partial pressure in the surface decreased to the active/passive oxidation transition region. At the steady state, more oxidation did not observable up to 250 h of exposure.

• 응용통계연구
• /
• 제34권5호
• /
• pp.711-721
• /
• 2021

이 논문에서는 불균형 자료에 대한 분류 분석에서 불순도지수를 이용하여 임계값을 조정하는 방법에 대해 알아본다. 이항자료에 대한 분류에서는 소수범주를 Positive, 다수범주를 Negative라고 하면, 일반적으로 사용하는 0.5 기준으로 범주를 정하면 불균형 자료에서는 특이도는 높은 반면 민감도는 상대적으로 낮게 나오는 경향이 있다. 소수범주에 속한 개체를 제대로 분류하는 것이 상대적으로 중요한 문제에서는 민감도를 높이는 것이 중요한데 이를 분류기준이 되는 임계값을 조정을 통해 높이는 방법에 대해 알아본다. 기존연구에서는 G-mean이나 F1-score와 같은 측도를 기준으로 임계값을 조정했으나 이 논문에서는 CHAID의 카이제곱통계량, CART의 지니지수, C4.5의 엔트로피를 이용하여 최적임계값을 선택하는 방법을 제안한다. 최적임계값이 여러 개 나올 수 있는 경우 해결방법을 소개하고 불균형 분류 예제로 사용되는 데이터 분석을 통해 0.5를 기준으로 ?(무엇?)을 때와 비교하여 어떤 개선이 이루어졌는지 등을 분류성능측도로 알아본다.

• 청정기술
• /
• 제16권1호
• /
• pp.1-11
• /
• 2010

우리가 사용하는 원유는 점점 중질화 되고 산도가 높아지고 있다. 석유의 품질에 영향을 미치는 유황의 함량을 조절하고, 오염금속을 제거하기 위하여 탈황, 탈질, 탈금속 등 불순물 제거기술의 중요성이 커지고 있으며 제품의 생산량과 수율을 조절하기 위한 정제 관련 촉매기술의 중요성 역시 증대하고 있다. 본 논문에서는 원유에서 황, 질소, 금속성분 등을 제거하는 기술과 원유의 정제와 관련된 촉매 기술에 대하여 한국, 미국, 일본, 유럽 등을 중심으로 1970년대 중반부터 2009년까지의 특허를 조사하고, 각국의 출원현황, 점유율, 주요출원인, 특허활동지수 등을 분석하였다. 또한, 주요 기술 분야에 대한 기술흐름도를 작성하여 기술 동향을 살펴보았다.

• 한국해양공학회지
• /
• 제19권3호
• /
• pp.47-53
• /
• 2005

Model for dust and salt transportation from the dried bottom of the Aral Sea is suggested. Theoretical analysis is based on the turbulent diffusion equation for the averaged function of passive impurity concentration. One-layer model of the atmospheric boundary layer is assumed. Impurity precipitation rates are calculated as the functions of the particle size and the distance source of particles. Analytical solutions for the point and two-dimensional sources of impurities are found. Model calculations for salt and sand transport from the Aral Sea basin are made on the basis of 2D source model with a constant intensity.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제10권1호
• /
• pp.5-8
• /
• 1989

Conventional ceramic method has been used to prepare the green phase, $Y_2BaCuO_5$, commonly observed in 90-K superconductor $YBa_2Cu_3O_P{7-{\delta}}$as an impurity phase. The powder X-ray diffraction analysis indicates that $Y_2BaCuO_5$ has an orthorhombic symmetry with lattice parameter of a = 12.2 $\AA$, b = 5.61 $\AA$, and c = 7.14 $\AA.$ The average g-value 2.13 observed in ESR spectrum is attributable to Cu2+ stabilized in $C_{4v}$ field. From the magnetic susceptibility ($\mu$eff = 2.29 BM) and the ESR measurements, it is confirmed that Cu(II) $3d^9$ electrons in $Y_2BaCuO_5$ are localized and can be characterized by Curie-Weiss behavior. Optical reflectance spectrum shows a broad absorption peak around 680 nm due to dxy ${\rightarrow}$ $dx^2-y^2$ eletronic transition.

• Mass Spectrometry Letters
• /
• 제12권1호
• /
• pp.26-30
• /
• 2021

The impurity concentration is a crucial parameter for semiconductor thin films. Evaluating the impurity distribution in silicon thin film is another challenge. In this study, we have investigated the doping concentration of boron in silicon thin film using time of flight secondary ion mass spectrometry in dynamic mode of operation. Boron doped silicon film was grown on i) p-type silicon wafer and ii) borosilicate glass using hot wire chemical vapor deposition technique for possible applications in optoelectronic devices. Using well-tuned SIMS measurement recipe, we have detected the boron counts 101~104 along with the silicon matrix element. The secondary ion beam sputtering area, sputtering duration and mass analyser analysing duration were used as key variables for the tuning of the recipe. The quantitative analysis of counts to concentration conversion was done following standard relative sensitivity factor. The concentration of boron in silicon was determined 1017~1021 atoms/㎤. The technique will be useful for evaluating distributions of various dopants (arsenic, phosphorous, bismuth etc.) in silicon thin film efficiently.

• 한국진공학회지
• /
• 제14권1호
• /
• pp.17-23
• /
• 2005

본 논문은 글로우방전 질량분석법(Glow Discharge Mass Spectrometry: GDMS)을 이용하여 구리 박막내의 미량 불순물의 농도분석과 음의 기판 바이어스에 대한 구리 박막내의 불순물의 농도변화에 대해서 고찰하였다. 구리 박막은 실리콘 기판 위에 비질량 분리형 이온빔 증착장비를 이용하여 기판 바이어스를 걸지 않은 경우와 -50 V의 기판 바이어스를 걸은 상태에서 증착하였다. 전기를 통하지 않는 분석 샘플의 경우, 직류(DC) GDMS에 의한 분석시, 샘플 표면에서의 charge-up 효과에 의해 분석에 어려움이 있었지만, 본 실험에서는 간편하게 분석이 가능하도록 샘플을 알루미늄 포일(foil)로 감싸서 구리 박막으로부터 실리콘 기판 뒤의 샘플 홀더까지 전기적 접촉이 이루어지도록 하였다. 구리 타겟과 증착된 구리 박막들에 대한 GDMS 분석결과에 의해서, 전체적으로 박막내의 불순물의 양이 음의 기판 바이어스에 의해 줄어듦으로써 구리 박막의 전체 순도를 높일 수 있다는 것을 알게 되었다. 음의 기판 바이어스에 의한 불순물들의 농도변화는 각각의 불순물의 이온화 포텐셜의 차이에 의한 것으로, 박막 증착시 플라즈마내의 Penning ionization effect와 본 논문에서 제시한 이온화 과정에 의해 각 불순물의 농도변화가 설명되어질 수 있었다. 또한, 기판 위에서의 구리 이온들의 충격에 의한 cleaning effect도 박막내의 불순물의 농도변화에 기여했다고 판단된다.

• 대한약학회:학술대회논문집
• /
• 대한약학회 2000년도 NEW STRATEGY FOR DRUG DEVELOPMENT IN POST-GENOMIC ERA(대한약학회)
• /
• pp.247.2-247.2
• /
• 2000