Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
/
2015.08a
/
pp.62-62
/
2015
In this study, we study the effects of CF4 plasma treatment on the characteristics of enhancement mode (E-mode) AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs). The CF4 plasma is generated by inductively coupled plasma reactive ion etching (ICP-RIE) system. The CF4 gas is decomposed into fluorine ions by ICP-RIE and then fluorine ions will effect the AlGaN/GaN interface to inhibit the electron transport of two dimension electron gas (2DEG) and increase channel resistance. The CF4 plasma method neither like the recessed type which have to utilize Cl2/BCl3 to etch semiconductor layer nor ion implantation needed high power to implant ions into semiconductor. Both of techniques will cause semiconductor damage. In the experiment, the CF4 treatment time are 0, 50, 100, 150, 200 and 250 seconds. It was found that the devices treated 100 seconds showed best electric performance. In order to prove fluorine ions existing and CF4 plasma treatment not etch epitaxial layer, the secondary ion mass spectrometer confirmed fluorine ions truly existing in the sample which treatment time 100 seconds. Moreover, transmission electron microscopy showed that the sample treated time 100 seconds did not have etch phenomena. Atomic layer deposition is used to grow Al2O3 with thickness 10, 20, 30 and 40 nm. In electrical measurement, the device that deposited 20-nm-thickness Al2O3 showed excellent current ability, the forward saturation current of 210 mA/mm, transconductance (gm) of 44.1 mS/mm and threshold voltage of 2.28 V, ION/IOFF reach to 108. As IV concerning the breakdown voltage measurement, all kinds of samples can reach to 1450 V.
Jo, Soo-Jin;Lee, Keun-Woo;Cho, Kyoo-Sung;Moon, Ik-Sang
Journal of Periodontal and Implant Science
/
v.33
no.3
/
pp.383-393
/
2003
The aim of this retrospective study was to compare the amount of marginal bone loss between upper anterior area and upper posterior area with 71 upper single-tooth restorations on 2 stage machined $Br{{\aa}}nemark$ implants since Jan 1995. The second aim was to compare the bone defect group which had dehiscence and fenetration and the others in the upper anterior region. The results were as follows. 1. The most frequent reason of missing tooth in the upper anterior region was trauma by 61%. While upper posterior region showed various reasons such as congenital missing, advanced periodontitis, trauma. 2. Peri-implantitis with fistula occurred 1 of 41 implants in the upper anterior group in 1 year after loading and 2 of 32 implants in the upper posterior group failed before loading. The 1 year success rate of upper anterior group was 97.56 %, and 93.75 % for upper posterior group. 3. The mean marginal bone loss in the upper anterior group was 0.44${\pm}$0.25 mm, while 0.57${\pm}$0.32 mm in the upper posterior group. There was statistically significant difference in the amount of mean marginal bone loss (P${\pm}$0.10 mm at one year, and 0.48${\pm}$0.26 mm for the control group. No statistically significant difference of mean marginal bone loss was showen between bone defect group and the others at implantation. According to the results, the upper anterior region showed less marginal bone loss than the upper posterior region. In case of missing single upper tooth, careful consideration on recipient residual ridge to determine proper implant diameter and length, sufficient healing time, proper loading would lead to implant success. Single tooth implants in the maxilla seemed to be an alternative to fixed partial dentures without damage to adjacent teeth.
The dependence of compensation mechanism in $P^+$-InGaAs layer implanted with oxygen on the annealing temperatures was investigated. The oxygen implantation was performed for electrical isolation. The conductivity was controlled by damage related traps below $500^{\circ}C$. For the temperature of 500 to $600^{\circ}C$, oxygen began to show the chemical effect of compensating the acceptors due to activation and type conversion (plongrightarrown-type) occurred at $600^{\circ}C$. This indicates that the defects generated by the chemical activity of oxygen increased with increasing annealing temperature, where activation energy of 24.2 meV was obtained. It is attributed to the formation of native defects, such as In interstitials, acting as shallow donor in InGaAs. Above $600^{\circ}C$, the interstitial Be atoms become reactivated and the n-type conductivity decreases.
For Longevity of implant, considerations of biomechanical and microbiological aspects must be done. Recently, due to the remarkable development of bone grafting procedure. Implant has been implanted into the more favorable sites but peri-implantitis resulted from periodontal bacteria may obscure the long-term prognosis. Although many different modalities have been introduced to treat the failed implant. Implant's surface and irreversible bony destruction around the implant prevents good result. After Er,Cr:YSGG (waterlase) laser using the wave-length of 2780nm has been introduced to dental field, good results have been reported. Because waterlase uses the hydrokinetic force of water. It is excellent device to detoxify the implant surface mechanically without the heat generation and damage to the implant surface. We designed to evaluate waterlase effect on the peri-implantitis has been occurred after implantation. Four beagle dogs were involved. We have made four premolar extraction in each right and left side of the lower jaw and placed two implants in the anterior of the jaw as a control and six implant were placed posterior in each socket after extraction immediately as an experimental group. We tied floss-silk in each implant to make peri-implantitis intentionally. After three months, we explored peri-implant sites on each experimental fixtures. Using waterlase laser irradiation was performed on that implantitis sites under 3W, air 30% and water 20% intensity for 2 minutes. In control group, we repositioned the flap to cover the exposed fixture without any supportive care. Three months later, we sacrificed experimental animals and extracted and preparated bone blocks with Donath and Breuner (982), Donath (988)'s methods and examined under microscope. We have obtained good re-osseointegration around fixtures after treating with waterlaser irradiation. But it was shown fibroosseointegration in the control group.
Purpose: Peri-implantitis, a clinical term describing the inflammatory process that affects the soft and hard tissues around an osseointegrated implant, may lead to peri-implant pocket formation and loss of supporting bone. However, this imprecise definition has resulted in a wide variation of the reported prevalence; ${\geq}10%$ of implants and 20% of patients over a 5- to 10-year period after implantation has been reported. The individual reporting of bone loss, bleeding on probing, pocket probing depth and inconsistent recording of results has led to this variation in the prevalence. Thus, a specific definition of peri-implantitis is needed. This paper describes the vast variation existing in the definition of peri-implantitis and suggests a logical way to record the degree and prevalence of the condition. The evaluation of bone loss must be made within the concept of natural physiological bony remodelling according to the initial peri-implant hard and soft tissue damage and actual definitive load of the implant. Therefore, the reason for bone loss must be determined as either a result of the individual osseous remodelling process or a response to infection. Methods: The most current Papers and Consensus of Opinion describing peri-implantitis are presented to illustrate the dilemma that periodontologists and implant surgeons are faced with when diagnosing the degree of the disease process and the necessary treatment regime that will be required. Results: The treatment of peri-implantitis should be determined by its severity. A case of advanced peri-implantitis is at risk of extreme implant exposure that results in a loss of soft tissue morphology and keratinized gingival tissue. Conclusions: Loss of bone at the implant surface may lead to loss of bone at any adjacent natural teeth or implants. Thus, if early detection of peri-implantitis has not occurred and the disease process progresses to advanced peri-implantitis, the compromised hard and soft tissues will require extensive, skill-sensitive regenerative procedures, including implantotomy, established periodontal regenerative techniques and alternative osteotomy sites.
Journal of Dental Rehabilitation and Applied Science
/
v.32
no.2
/
pp.123-129
/
2016
Whereas a somatic pain notifies tissue damage, a neuropathic pain presents disorder of the nerve itself. The causes of neuropathic pains are trauma, infection, chronic irritation by adjacent tissue and so on. The iatrogenic trauma or infection also causes traumatic neuropathy, which may exert a bad influence on doctor-patient relationship. Some of related dental treatments are implantation (directly or indirectly through heating), root canal treatment, teeth extraction, block anesthesia, mandibular surgery. If inappropriate management is performed after nerve trauma, there will be many chances to develop chronic neuropathy for the patient. It is important that the sign of nerve trauma have to be caught by the practitioner as soon as possible and treated properly.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
/
v.17
no.9
/
pp.916-923
/
2004
In this paper, the strained Si$_{0.9}$Ge$_{0.1}$ epitaxial layers grown by a reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD) on Si (100) were characterized by Rutherford backscattering spectrometery (RBS) for the fabrication of an SiGe heterojunction bipolar transistor(HBT). RBS spectra of the ${Si}_0.9{Ge}_0.1$epitaxial layers grown on the Si substrates which were implanted with the phosphorus (P) ion and annealed at a temperature between $850^{\circ}C$ - $1000^{\circ}C$ for 30min were analyzed to investigate the post thermal annealing effect on the grown${Si}_0.9{Ge}_0.1$epitaxial layer quality. Although a damage of the substrates by P ion-implantation might be cause of the increase of RBS yield ratios, but any defects such as dislocation or stacking fault in the grown ${Si}_0.9{Ge}_0.1$ epitaxial layer were not found in transmission electron microscope (TEM) photographs. The post high temperature rapid thermal annealing (RTA) effects on the crystalline quality of the ${Si}_0.9{Ge}_0.1$ epitaxial layers were also analyzed by RBS. The changes in the RBS yield ratios were negligible for RTA a temperature between $900^{\circ}C$ - $1000^{\circ}C$for 20 sec, or $950^{\circ}C$for 20 sec - 60 sec. A SiGe HBT array shows a good Gummel characteristics with post RTA at $950^{\circ}C$ for 20 sec.sec.sec.
Angiotensin-(1-9) [Ang-(1-9)], generated from Ang I by Ang II converting enzyme 2, has been reported to have protective effects on cardiac and vascular remodeling. However, there is no report about the effect of Ang-(1-9) on pulmonary hypertension. The aim of the present study is to investigate whether Ang-(1-9) improves pulmonary vascular remodeling in monocrotaline (MCT)-induced pulmonary hypertensive rats. Sprague-Dawley rats received Ang-(1-9) ($576{\mu}g/kg/day$) or saline via osmotic mini-pumps for 3 weeks. Three days after implantation of osmotic mini-pumps, 50 mg/kg MCT or vehicle were subcutaneously injected. MCT caused increases in right ventricular weight and systolic pressure, which were reduced by co-administration of Ang-(1-9). Ang-(1-9) also attenuated endothelial damage and medial hypertrophy of pulmonary arterioles as well as pulmonary fibrosis induced by MCT. The protective effects of Ang-(1-9) against pulmonary hypertension were inhibited by Ang type 2 receptor ($AT_2R$) blocker, but not by Mas receptor blocker. Additionally, the levels of LDH and inflammatory cytokines, such as $TNF-{\alpha}$, MCP-1, $IL-1{\beta}$, and IL-6, in plasma were lower in Ang-(1-9) co-treated MCT group than in vehicle-treated MCT group. Changes in expressions of apoptosis-related proteins such as Bax, Bcl2, Caspase-3 and -9 in the lung tissue of MCT rats were attenuated by the treatment with Ang-(1-9). These results indicate that Ang-(1-9) improves MCT-induced pulmonary hypertension by decreasing apoptosis and inflammatory reaction via $AT_2R$.
Kim, Byung Jun;Lim, Jong Woo;Park, Ji Hoon;Lee, Yoon Ho
Archives of Craniofacial Surgery
/
v.15
no.2
/
pp.82-88
/
2014
Background: The chin shape and position is important in determining the general shape of the face, and augmentation genioplasty is performed alone or in combination with other aesthetic procedures. However, augmentation genioplasty using osteotomy is an invasive and complex procedure with the potential to damage mentalis muscle and mental nerve, to affect chin growth, and prolonged recovery. Our aim was to present our experience with a modified augmentation genioplasty procedure for hypoplastic chins using a Gore-Tex implant. Methods: Two vertical slit incisions were made at the canine level to create a supra-periosteal pocket between the incisions, preserving the periosteum and mentalis muscle. Minimal sub-periosteal dissection was performed lateral to the incisions along the mandibular border. The both wings of implant were inserted under the periosteum to achieve a stable dual plane implantation. Results: In total, 47 patients underwent dual plane chin augmentation using a Gore- Tex implant between January 2008 and May 2013. The mean age at operation was 25.77 years (range, 15-55 years). There were 3 cases of infection; one patient was treated with antibiotics, the others underwent implant removal. Additionally, two patients complained of postoperative parasthesia that spontaneously improved without any additional treatment. Most patients were satisfied with the postoperative outcomes, and no chin growth problems were observed among the younger patients. Conclusion: Dual plane Gore-Tex chin augmentation is a minimally-invasive operation that is simple and safe. All implants yielded satisfactory results with no significant complications such as mental nerve injury, lower lip incompetence, or chin growth limitation.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
/
v.1
no.4
/
pp.1-6
/
2000
The mechanical strength of silicon carbide dose nor permit the use of diffusion as a means to achieve selective doping as required by most electronic devices. While epitaxial layers may be doped during growth, ion implantation is needed to define such regions as drain and source wells, junction isolation regions, and so on. Ion activation without an annealing cap results in serious crystal damage as these activation processes must be carried out at temperatures on the order of 1600$^{\circ}C$. Ion implanted silicon carbide that is annealed in either a vacuum or argon environment usually results in a surface morphology that is highly irregular due to the out diffusion of Si atoms. We have developed and report a successful process of using silicon overpressure, provided by silane in a CAD reactor during the anneal, to prevent the destruction of the silicon carbide surface, This process has proved to be robust and has resulted in ion activation at a annealing temperature of 1600$^{\circ}C$ without degradation of the crystal surface as determined by AFM and RBS. In addition XPS was used to look at the surface and near surface chemical states for annealing temperatures of up to 1700$^{\circ}C$. The surface and near surface regions to approximately 6 nm in depth was observed to contain no free silicon or other impurities thus indicating that the process developed results in an atomically clean SiC surface and near surface region within the detection limits of the instrument(${\pm}$1 at %).
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.