• 제목/요약/키워드: immersion time

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$Cs^+$치환에 따른 수전해용 공유가교 SPEEK/HPA 복합막의 안정화 (Stabilization of Covalently Cross-Linked SPEEK/Cs-Substituted HPA Composite Membranes for Water Electrolysis)

  • 지봉철;하성인;송민아;정장훈;문상봉;강안수
    • 한국수소및신에너지학회논문집
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    • 제22권1호
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    • pp.1-12
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    • 2011
  • To improve the mechanical properties, such as durabilities and antioxidative characteristics, the covalently cross-linked (CL-) SPEEK (sulfonated polyether ether ketone)/Cs-substituted HPA (heteropoly acid) organic-inorganic composite membranes (CL-SPEEK/Cs-HPAs), have been intensively investigated. The composite membrane were prepared by blending cesium-substituted HPAs (Cs-HPAs), including tungstophosphoric acid (TPA), molybdophosphoric acid (MoPA), and tungstosilicic acid (TSiA) with cross-linking agent content of 0.01 mL. And composite electrolytes composed of Cs-HPAs, prepared by immersion (imm.) and titration (titr.) methods to increase the stability of HPAs in water, were applied to polymer electrolyte membrane electrolysis (PEME). As a result, the proton conductivity of Cs-substituted composite membranes increased rapidly over $60^{\circ}C$ but mechanical properties, such as tensile strength, decreased in accordance with added Cs content. The bleeding-out of Cs-TPA membranes by titration method (50 vol.% Cs) decreased steadily to 2.15%. In the oxidative stability test by Fenton solution, the durability of membranes with Cs-HPA significantly increased. In case of CL-SPEEK/ Cs-TPA membrane, duration time increased more than 1200 hours. It is expected that even though CL-SPEEK/Cs-MoPA membrane shows the high proton conductivity, electrocatalytic activity and cell voltage of 1.80 V for water electrolysis, the CL-SPEEK/Cs-TPA (imm.) is more suitable as an alternative membrane in real system with the satisfactory proton conductivity, mechanical properties, anti-oxidative stability and cell voltage of 1.89 V.

고무 소재의 슬러리 마모 거동에 관한 연구 (The Study on the Slurry Wear Behavior of Rubber Vulcanizates)

  • 정경호;홍영근;박문수
    • Elastomers and Composites
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    • 제46권1호
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    • pp.70-77
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    • 2011
  • 슬러리와 접하는 환경에서 사용되는 고무 소재의 슬러리 마모 거동을 평가하기 위해 새로운 형태의 슬러리 마모시험기(Slurry Wear Tester; SWT)가 본 연구에서 제안되었다. 슬러리 마모 거동을 평가하기 위한 기본 매트릭스로 천연고무(NR)와 클로로프렌고무(CR)가 선정되었다. SWT 장치의 챔버를 채우기 위한 유체로는 35% HCl 용액과 NaCl 용액이 사용되었다. SWT의 결과는 기존의 고무 마모시험 방법들중의 하나인 건식 상태에서 시험이 진행되는 Akron 마모시험의 결과와 비교를 하였다. Akron 마모 시험의 결과에 따르면 CR이 NR 보다 더 빠른 속도로 마모가 됨을 알 수 있었으며 재료의 히스테레시스 특성이 마모에 영향을 미침을 알 수 있었다. 그러나 SWT 결과에 따르면 CR과 NR의 슬러리 마모거동은 큰 차이가 없었으며 더구나 산의 농도와 HCl 용액과 NaCl 용액에 침지된 시간에 따라서도 슬러리 마모속도에는 큰 영향이 없었다. 이는 슬러리에 포함된 유체가 마모지와 시편 사이의 마찰을 감소시켰기 때문이라고 사료되었다. 또한 Akron 마모 시험의 경우 고무 소재의 히스테레시스가 마모에 영향을 미쳤지만, SWT의 경우 유체는 반복 변형에 의해 발생되는 열을 감소시키고 마모지 표면에 남아있는 마모 찌꺼기들을 제거하였기 때문에 Akron 마모 시험의 결과와는 다른 결과를 나타내었다. 따라서 슬러리에 의한 고무 소재의 마모를 평가하는데 있어서 기존의 방식인 건식방법으로 마모 거동을 평가할 경우 잘못된 결과를 초래할 수 있음을 알 수 있었다.

창의력 기반 게임을 위한 디자인 접근 교육 사례 (Case Study on Design Approach Education for Creativity Based Game)

  • 은광하;이완복;경병표;유석호;이동열
    • 디지털융복합연구
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    • 제10권7호
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    • pp.229-235
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    • 2012
  • 국내 게임 산업은 온라인 게임을 중심으로 짧은 기간 동안 지속적인 발전을 했으며 현재까지 고부가가치 산업으로 성장하고 있다. 또한, 사회적으로도 게임의 중독성에 대한 비판적 인식에서 벗어나 점차 긍정적이며 디지털시대의 새로운 놀이문화로서 자리 잡기 위한 다양한 대안들을 모색 중에 있다. 무엇보다도 게임 산업 인프라가 확장되고 문화로서 더욱 발전하기 위한 중요한 부분 중에 하나는 기존 핵심 장르(수익기반)의 개발 이외에 다양한 콘텐츠소재와의 융합, 순기능 등의 접근이 활성화 되어서 다양한 게임소재에 의한 유저층의 확산이라고 할 수 있다. 즉 더 다양한 대상층을 기반으로 한 긍정적인 게임 소재를 기반으로 쉬운 몰입성에 의한 게임 디자인 접근이라고 볼 수 있다. 그리고 게임 디자인 접근의 확장은 게임 산업 인프라가 확장되기 위한 시발점이며 이를 위해서 학술적 기반 및 교육 프로세스에 의한 전문인력 양성은 중요한 부분이라고 본다. 본 연구는 이와 관련하여 다양한 순기능 소재중에 창의력 소재를 기반으로 디자인 접근 교육에 대한 사례를 제시하며 그 방식에 있어서 캡스톤 디자인 교육 내용을 응용한 교육 프로세스를 제시해 보았다.

Resorbable blasting media 및 산처리한 임플란트의 제거회전력에 생리식염수를 적시는 것이 미치는 영향 (On the effect of saline immersion to the removal torque for resorbable blasting media and acid treated implants)

  • 권재욱;조성암
    • 구강회복응용과학지
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    • 제34권1호
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    • pp.1-9
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    • 2018
  • 목적: Resorbable blasting media (RBM) 표면처리 후 산처리한 티타늄 임플란트와 동일한 표면처리 후 생리식염수에 적신 티타늄 임플란트에서 생리식염수에 적신 경우 초기 골유착에 미치는 영향을 제거회전력 및 표면분석을 통해서 알아보고자 하였다. 연구 재료 및 방법: 대조군은 RBM 표면처리 후 산처리된 임플란트(RBM + HCl)이고, 실험군은 대조군과 동일한 표면처리 후 생리식염수에 2주간 적신 임플란트(RBM + HCl + Sal)이다. 토끼 10마리의 좌우측 경골에 각각 대조군 및 실험군 임플란트를 식립하고, 동시에 식립회전력(ITQ)을 측정하였다. 10일 후 임플란트 식립부위를 노출시켜 제거회전력(RTQ)을 측정하였다. 실험에 사용된 임플란트 시편의 표면분석을 위해 field emission-scanning electron microscopy (FESEM), energy dispersive X-ray Spectroscopy (EDS), 표면거칠기 측정 및 Raman 분광분석을 시행하였다. 결과: RBM 표면처리 및 산처리하여 생리식염수에 적신 티타늄 임플란트에서 대조군에 비해 높은 제거회전력을 나타냈으며, 통계적으로 유의미한 값을 보였다(P = 0.014 < 0.05). 표면거칠기는 실험군에서 더 높은 거칠기를 나타냈다. 결론: 티타늄 임플란트에 RBM 표면처리 및 산처리 후 생리식염수에 적신 것이 생리식염수를 적시지 않은 것 보다 초기 골유착을 향상시키는 것으로 생각된다.

추출방법 및 용매에 따른 청나래고사리의 항산화 활성 (Antioxidant Activities of Ostrich Fern by Different Extraction Methods and Solvents)

  • 신소림;이철희
    • 생명과학회지
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    • 제21권1호
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    • pp.56-61
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    • 2011
  • 본 연구는 청나래고사리 성엽 추출물의 항산화물질의 함량과 항산화능을 향상시킬 수 있는 효과적인 추출방법을 개발하기 위하여 시행하였다. 동결건조한 청나래고사리 성엽의 분쇄시료 1 g을 메탄올, 80% 에탄올 및 물 등 3가지 용매와 섞은 후 6시간 동안 상온 침지, $60^{\circ}C$ 가열 및 200 rpm에서 교반하여 추출하거나 42 kHz의 초음파 수조에서 15, 30, 45분 동안 추출하였다. 추출물은 여과한 다음 가용성고형분, 총 폴리페놀 및 총 플라보노이드의 함량을 측정하였으며, 항산화활성은 DPPH와 ABTS radical 소거활성을 $RC_{50}$으로 환산하여 측정하였다. 80% 에탄올을 용매로 하여 30분 동안 초음파추출 하였을 때 가용성고형분(0.317 $g{\cdot}g^{-1}$ db), 총 폴리페놀(70.90 $mg{\cdot}g^{-1}$ db) 및 총 플라보노이드(41.53 $mg{\cdot}g^{-1}$ db)의 추출수율이 가장 우수하였으며, DPPH와 ABTS radical 소거활성 또한 가장 우수하였다(각 $RC_{50}$=0.14 $mg{\cdot}ml^{-1}$와 0.09 $mg{\cdot}ml^{-1}$). 상기의 연구결과에 따라 청나래고사리의 성엽은 천연항산화소재로 활용가능하며, 80% 에탄올을 용매로 15-30분 동안 초음파추출하는 것이 추출물의 항산화효과를 증가시키며 추출에 소요되는 시간을 줄일 수 있는 효과적인 추출방법으로 생각되었다.

수종 임플랜트 금속의 내식성에 관한 전기화학적 연구 (AN ELECTROCHEMICAL STUDY ON THE CORROSION RESISTANCE OF THE VARIOUS IMPLANT METALS)

  • 전진영;김영수
    • 대한치과보철학회지
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    • 제31권3호
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    • pp.423-446
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    • 1993
  • Titanium and its alloys are finding increasing use in medical devices and dental implants. The strong selling point of titanium is its resistance to the highly corrosive body fluids in which an implant must survive. This corrosion resistance is due to a tenacious passive oxide or film which exists on the metal's surface and renders it passive. Potentiodynamic polarization measurement is one of the most commonly used electro-chemical methods that have been applied to measure corrosion rates. And the potentiodynamic polarization test supplies detailed information such as open circuit, rupture, and passivation potential. Furthermore, it indicates the passive range and sensitivity to pitting corrosion. This study was designed to compare the corrosion resistance of the commonly used dental implant materials such as CP Ti, Ti-6A1-4V, Co-Cr-Mo alloy, and 316L stainless steel. And the effects of galvanic couples between titanium and the dental alloys were assessed for their useful-ness-as. materials for superstructure. The working electrode is the specimen , the reference electrode is a saturated calomel electrode (SCE), and the counter electrode is made of carbon. In $N_2-saturated$ 0.9% NaCl solutions, the potential scanning was performed starting from -800mV (SCE) and the scan rate was 1 mV/sec. At least three different polarization measurements were carried out for each material on separate specimen. The galvanic corrosion measurements were conducted in the zero-shunt ammeter with an implant supraconstruction surface ratio of 1:1. The contact current density was recorded over a 24-hour period. The results were as follows : 1. In potential-time curve, all specimens became increasingly more noble after immersion in the test solution and reached between -70mV and 50mV (SCE) respectively after 12 hours. 2. The Ti and Ti alloy in the saline solution were most resistant to corrosion. They showed the typical passive behavior which was exhibited over the entire experimental range. Therefore no breakdown potentials were observed. 3. Comparing the rupture potentials, Ti and Ti alloy had the high(:st value (because their break-down potentials were not observed in this study potential range ) followed by Co-Cr-Mo alloy and stainless steel (316L). So , the corrosion resistance of titanium was cecellent, Co-Cr-Mo alloy slightly inferior and stainless steel (316L) much less. 4. The contact current density sinks faster than any other galvanic couple in the case of Ti/gold alloy. 5. Ag-Pd alloy coupled with Ti yielded high current density in the early stage. Furthermore, Ti became anodic. 6. Ti/Ni-Cr alloy showed a relatively high galvanic current and a tendency to increase.

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Effect of KNO3 Priming on Various Properties of Kenaf Seed under Non-Saline and Saline Conditions

  • Lee, In-Sok;Kang, Chan-Ho;Lee, Ki-Kwon
    • 한국작물학회지
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    • 제62권4호
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    • pp.373-381
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    • 2017
  • The main objective of this study was to increase the germination percentage of kenaf seeds with less number of times under non-saline and saline conditions. Therefore, the first goal was to assess the response of kenaf seeds to NaCl. The second goal was to evaluate the effects of $KNO_3$ on kenaf seed germination. The germination percentage exhibited a decreasing tendency in germination rate. Plant dry weight was approximately 0.2 g in all treatments at 5 days after germination. As time passed, the electrical conductivity (EC) value of hydro-priming (HP) consistently increased by 8.7 mS/cm at 24 hours of immersion. However, seeds primed with $KNO_3$ showed no difference in EC values even as times passed. Regarding the priming effect, priming in 100 mM $KNO_3$ concentration for 12 hours increased germination up to 85% in $H_20$ solution and in 0 mM $KNO_3$ concentration upto 73.8% under 0.3% NaCl solution, compared to that of Control. Germination synchronization, shoot length, and leaf unfolding of primed seeds were greater than those of the Control. In addition, main root and hair roots appeared more rapidly in the treated seeds and were more abundant compared to that of the Control. The T50 (times to reach 50% of the final germination percentage) of the Control in both $H_20$ and 0.3% NaCl solutions was 18 and 22 hours, respectively. However, when treated $KNO_3$ priming (0 to 100 mM) in $H_20$ and 0.3% NaCl solution, 9 hours was sufficient to reach T50. Primed (hydro-priming and $KNO_3$) seeds had a lower MDG (mean days untill germination; 0.6-0.62) compared to that of the Control (1.13-1.31) in $H_20$ and 0.3% NaCl solutions. Regarding dry weight of plants after priming, an increasing tendency after the priming treatment in the H20 solution was observed. Furthermore, no significant difference in plant dry weight under 0.3% NaCl stress was observed between the Control and primed seeds. Taken together, the results suggest that 50-100 mM $KNO_3$ priming for 24 hours optimize seed germination rate in less number of times of exposure with great vigor. Therefore, it is recommended for kenaf seed invigoration before planting.

단마(Dioscorea aimadoimo)의 열풍건조 시 갈변 억제 방안 연구 (Studies on the browning inhibition of yam(Dioscorea aimadoimo) during hot air dehydration)

  • 정용열;정우식;정신교
    • Applied Biological Chemistry
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    • 제39권5호
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    • pp.384-388
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    • 1996
  • 건강식품에 대한 기호도가 높아짐에 따라 최근 그 수요가 증가하고 있는 단마의 열풍건조 시의 건조특성과 건조 시 갈변 억제 방법에 관해 조사하였다. 단마의 일반 성분은 수분 81.17%, 조단백질 1.43%, 조섬유 0.29%, 가용성 무질소물이 15.81%었다. 단마를 세척 박피 후 0.5 cm 두께로 세절하여 plastic tray에 박층 및 적층($4{\sim}5$겹)으로 건조온도 $50,\;65,\;80^{\circ}C$에서 중량의 변화가 없을 때까지 건조하면서 건조 중의 중량을 측정한 결과, 각 온도에서 분말화가 가능한 수분함량(18%, 습량기준)까지는 박층의 경우 10, 6, 3시간, 적층의 경우에는 12, 7, 5시간 정도의 건조시간이 요구되었다. 고온 건조 조건($80^{\circ}C$)에서의 갈변을 억제하기 위해 열풍건조 전 blanching, steam 및 가정용 전자랜지를 이용한 microwave 처리를 각각 30초, 60초간 실시한 결과, 30초간 steam 처리한 구가 대조구에 비하여 비교적 갈변도가 적었다. Ascorbic acid, cysteine, citric acid, NaCl 등을 이용하여 각각 1000 ppm, 500 ppm의 농도에서 열풍건조 전 단마를 1분간 dipping하여 건조 분말 제품의 색도를 측정한 결과 cysteine, citric acid, NaCl에서 갈변 억제 효과가 있는 것으로 나타났으며, 이틀을 두 가지 씩 조합한 복합 갈변 억제액에 dipping시에는 갈변 억제 효과가 더욱 우수한 것으로 나타났으며 citric acid 500 ppm, cysteine 1000 ppm 처리구가 가장 갈변 억제 효과가 뚜렷하였다.

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디즈니 장편애니메이션 타이틀 시퀀스 분석 (An Analysis on the Title Sequence of Disney Full-length Animation)

  • 김설미;김규정
    • 만화애니메이션 연구
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    • 통권39호
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    • pp.183-214
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    • 2015
  • 디즈니는 오랜 세월동안 가족을 타겟으로 하여 가족중심, 보수적 이데올로기, 해피엔딩 등의 세계관을 담은 애니메이션을 만들어 왔다. 시대적인 상황과 관객의 요구가 조금씩 변하긴 했지만 현재까지도 디즈니는 애니메이션 산업적으로 명실공히 가장 성공한 기업이다. 성공의 비결에는 철저히 계산되어 만들어진 스토리와 이미지라는 조작된 애니메이션환상세계가 있다. 관객이 애니메이션을 감상할 때 그 환상 속으로 충분히 몰입하도록 하는 것은 현실을 잊게 만드는 것이다. 이러한 목적을 이루기 위해 디즈니애니메이션은 타이틀 시퀀스를 사용하여 작품 초반에서부터 관객의 이목을 집중시킨다. 타이틀 시퀀스의 역할은 관객의 호기심 자극, 앞으로 이어질 내용의 분위기와 사전 정보 전달 등이 있으며 특히 디즈니 애니메이션에서는 이러한 역할을 수행하는 방법으로 아래 4가지 방법을 빈번히 사용하고 있다. 디즈니가 빈번히 사용한 타이틀 시퀀스는 첫 번째, 동화책 표지가 열리면서 시작되는 방법, 두 번째는 스토리텔러가 직접 이야기를 들려주며 시작하는 방법, 세 번째는, 실사 영화로 시작하여 애니메이션으로 이어지는 방법, 네 번째는 뮤지컬 방법이다. 이 네 가지 방법은 관객의 현실과 디즈니의 환상에 명확히 선을 긋는 출입문 역할을 한다. 이러한 과정은 현실과 환상의 모호한 경계로 불안한 관객을 안심시키고 애니메이션 안에 마음 놓고 충분히 몰입하게 하는 계기를 만들어 준다. 디즈니 애니메이션의 타이틀 시퀀스는 관객으로 하여금 가상의 세계라는 것을 충분히 인지하고 확인하는 절차를 거침으로서 현실의 스위치는 끄고 환상세계의 스위치는 켜게 하는 것이다.

Strain-Relaxed SiGe Layer on Si Formed by PIII&D Technology

  • Han, Seung Hee;Kim, Kyunghun;Kim, Sung Min;Jang, Jinhyeok
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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    • pp.155.2-155.2
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    • 2013
  • Strain-relaxed SiGe layer on Si substrate has numerous potential applications for electronic and opto- electronic devices. SiGe layer must have a high degree of strain relaxation and a low dislocation density. Conventionally, strain-relaxed SiGe on Si has been manufactured using compositionally graded buffers, in which very thick SiGe buffers of several micrometers are grown on a Si substrate with Ge composition increasing from the Si substrate to the surface. In this study, a new plasma process, i.e., the combination of PIII&D and HiPIMS, was adopted to implant Ge ions into Si wafer for direct formation of SiGe layer on Si substrate. Due to the high peak power density applied the Ge sputtering target during HiPIMS operation, a large fraction of sputtered Ge atoms is ionized. If the negative high voltage pulse applied to the sample stage in PIII&D system is synchronized with the pulsed Ge plasma, the ion implantation of Ge ions can be successfully accomplished. The PIII&D system for Ge ion implantation on Si (100) substrate was equipped with 3'-magnetron sputtering guns with Ge and Si target, which were operated with a HiPIMS pulsed-DC power supply. The sample stage with Si substrate was pulse-biased using a separate hard-tube pulser. During the implantation operation, HiPIMS pulse and substrate's negative bias pulse were synchronized at the same frequency of 50 Hz. The pulse voltage applied to the Ge sputtering target was -1200 V and the pulse width was 80 usec. While operating the Ge sputtering gun in HiPIMS mode, a pulse bias of -50 kV was applied to the Si substrate. The pulse width was 50 usec with a 30 usec delay time with respect to the HiPIMS pulse. Ge ion implantation process was performed for 30 min. to achieve approximately 20 % of Ge concentration in Si substrate. Right after Ge ion implantation, ~50 nm thick Si capping layer was deposited to prevent oxidation during subsequent RTA process at $1000^{\circ}C$ in N2 environment. The Ge-implanted Si samples were analyzed using Auger electron spectroscopy, High-resolution X-ray diffractometer, Raman spectroscopy, and Transmission electron microscopy to investigate the depth distribution, the degree of strain relaxation, and the crystalline structure, respectively. The analysis results showed that a strain-relaxed SiGe layer of ~100 nm thickness could be effectively formed on Si substrate by direct Ge ion implantation using the newly-developed PIII&D process for non-gaseous elements.

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