• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1997년도 제12회 학술발표회 논문개요집
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• pp.72-72
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• 1997

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1996년도 재료학회 추계학술발표회
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• pp.88-88
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• 1996

• 한국진공학회지
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• 제8권1호
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• pp.63-69
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• 1999

고밀도 플라즈마 source인 helical resonator의 특성을 알기 위해 Langmuir probe를 사용하여 특성 변수들-플라즈마 밀도, 전자 온도, 이온 전류 밀도-의 값을 측정하였다. 또한 $Cl_2$/poly-Si 시스템에서의 식각반응 메카니즘을 규명하기 위해 Si와 SiCi의 에미션 시그날을 분석하였다. $Cl_2$/poly-Si 식각 시스템계에서는 화학식각에 의한 반응이 물리식각에 의한 반응보다 주됨을 알 수 있다. 또한 폴리 실리콘 내의 불순물 P농도가 증가함에 따라 식각의 화학반응 산출물인 SiCl의 양이 물리식각 산출물인 Si의 양보다 급격히 증가하는 양상을 보였다. 이는 표면 반응중 형성된 Si-Cl 결합을 통해 실리콘 내부의 전자들이 Cl쪽으로 이동함으로써 Si-Cl은 더욱 유동적이며 이온화된 특성을 갖게 되고, 따라서 $Cl_2\;^+$/와 같은 에천들이 표면에 흡착될 확률이 커져 $SiCl_x$의 형성을 용이하게 하기 때문으로 생각된다. 즉 불순물 P농도가 증가함에 따라 표면의 Si를 제거하는데는 물리식각보다 화학시각이 더욱 큰 역할을 하는 것으로 밝혀졌다.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• 제3권1호
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• pp.24-29
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• 1999

The characteristic behaviors of CH3Br were examined first for the dry etching of polysilicon in a Cl2/CH3Br/O2 plasma. CH3Br is revealed one of the excellent additive gases to control anisotropy of etching profile and to give no undercutting for various typed of polysilicons. CH3Br acts as a passivation precursor on the side wall in etch cavity by forming polymer-like films such as CHxBry(x+y=1,2). The decrease of etch selectivity due to the reaction if the C-containing species from CH3Br with the surface O atoms of SiO2 was overcome by the addition of O2 into plasma, resulting that the selectivity increased by 2~3 times. According to the results of optical emission signals, CH3Br should be dissociated into several fragments to give more hydrogen atoms than bromine atoms in our helical resonator system.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권4호
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• pp.261-266
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• 1998

In developing the high density memory device, the etching of fine pattern is becoming increasingly important. Therefore, definition of ultra fine line and space pattern and minimization of damage and contamination are essential process. Also, the high density plasma in low operating pressure is necessary. The candidates of high density plasma sources are electron cyclotron resonance plasma, helicon wave plasma, helical resonator, and inductively coupled plasma. In this study, planar type magnetized inductively coupled plasma etcher has been built. The density and temperature of Ar plasma are measured as a function of rf power, flow rate, external magnetic field, and pressure. The oxide etch rate and selectivity to polysilicon are measured as the above mentioned conditions and self-bias voltage.

• 한국항행학회논문지
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• 제20권3호
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• pp.246-251
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• 2016

본 논문에서는 자기공진방식 무선전력전송 표준인 A4WP (alliance for wireless power) 주파수 6.78 MHz에서, 1 m 거리 무선전력전송 안테나를 최적화하고 이에 따른 시뮬레이션 및 측정 결과를 비교하였다. 전력전송 거리는 시스템 형태, 안테나의 크기, 공진기내 코일과 코일사이 간격인 피치(pitch) 등 다양한 요인에 따라 영향을 받으며, 전자계 시뮬레이션을 통해 이를 확인하였다. 시뮬레이션을 통해 고정된 거리에 대하여 최적화된 무선전력전송 안테나를 설계하였으며, 거리에 따른 전송손실인 ${\mid}S_{21}{\mid}$ 값을 계산하였다. 설계된 안테나를 제작하여 측정치를 시뮬레이션 값과 비교한 결과, 최대 1.3 m 거리에서 시뮬레이션은 전송손실 1.6dB 및 효율 69 %, 측정결과는 전송손실 1.5dB 및 효율 70 %를 나타내었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제18권12호
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• pp.2823-2830
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• 2014

안테나에서의 소형화 기법은 안테나의 물리적인 모양을 변형하여 공진에 필요한 전기적인 길이를 주어진 공간에서 최대화하고 경우에 따라서 고차의 공진모드를 이용하는 방법이다. 가장 대표적인 설계방법으로는 헬리컬 안테나, 미앤더 안테나, 프랙탈 안테나 등이다. 본 논문에서 제안한 소형화 안테나는 프랙탈 개념의 koch curve 구조이다. 안테나는 ISM 대역의 2.45 GHz 주파수이며, 마이크로스트립 패치 안테나로 제작하였다. koch curve 마이크로스트립 패치 안테나는 유전율 4.7, 유전체 높이 1.6 mm, 손실 탄젠트 0.02의 FR4 epoxy 기판을 사용하였으며, 에칭공정으로 제작하였다. 제작된 안테나의 반사손실 결과는 2.45 GHz 대역에서 -23.17 dB, VSWR 결과는 1.1491, 임피던스 정합은 $46{\Omega}$이다.