• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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• pp.13-15
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• 2005

The growth of $Bi_2Te_3$ thin films on (001) GaAs substrates by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) is discussed in this paper. The results of surface morphology, electrical and thermoelectrical properties as a function of growth parameters are given. The surface morphologies of $Bi_2Te_3$ films were strong1y dependent on the deposition temperatures. Surface morphologies varied from step-flow growth mode to island coalescence structures depending on deposition temperature. In-plane carrier concentration and electrical Hall mobility were highly dependent on precursor's ratio of Te/Bi and deposition temperature. The high Seebeck coefficient (of $-160{\mu}VK^{-1}$) and good surface morphology of our result is promising for $Bi_2Te_3$ based thermoelectric thin film and two dimensional supperlattice device applications.

• 한국소음진동공학회:학술대회논문집
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• 한국소음진동공학회 2003년도 추계학술대회논문집
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• pp.1000-1005
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• 2003

The shock separation test simulates the environmental effects of the spacecraft separation from launch vehicle. The shock separation test for a structural model of KOMPSAT-Ⅱ(Korea Multi-Purpose SATellite Ⅱ) was performed in SITC(Satellite Integration ＆ Test Center) launch environmental test hall at KARI(Korea Aerospace Research Institute) to verify the shock test requirement of the spacecraft, to predict the induced acceleration responses on the primary structures and payloads by the explosion of pyre-lock and to perform mechanical fit check. The spacecraft with S/A was mated vertically to LV(Launch Vehicle) adapter simulator via a clamp band, then hoisted and suspended above a foam test bed by four isolation springs secured to the spacecraft hoist fittings to isolate the payload platform shock wave from the sling elements. For separation process, real pyre-devices were used and the time response signals from 60 accelerometers installed on the interested points was acquired and recorded. The SRS responses for each response channels were calculated and the achieved SRS's on the separation plane was reviewed and evaluated in comparison to the ICD(Interface Control Document) value.

• 센서학회지
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• 제6권6호
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• pp.483-490
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• 1997

Thin film Si has been used in sensors, radiation detectors, and solar cells. The carrier mobility of thin film Si influences the device behavior through its frequency response or time response. Since poly-Si shows the higher mobility value, a-Si:H films on Mo substrate were subjected to various crystallization treatments. Consequently, we need to find an appropriate method in mobility measurement before and after the anneal treatment. This paper investigates the carrier mobility improvement with anneal treatments and summarizes the mobility measurement methods of the a-Si:H and poly-Si film. Various techniques were investigated for the mobility determination such as Hall mobility, HS, TOF, SCLC, TFT, and TCO method. We learned that TFT and TCO method are suitable for the mobility determination of a-Si:H and poly-Si film. The measured mobility was improved by $2{\sim}3$ orders after high temperature anneal above $700^{\circ}C$ and grain boundary passivation using an RF plasma rehydrogenation.

• ETRI Journal
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• 제13권4호
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• pp.70-79
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• 1991

$In_1-x$$GA_X$$As_y$$P_1-y$ has a very wide range of applications in optoelectronic devices especially for optical communications because $In_1-x$$GA_X$$As_y$$P_1-y$ has the bandgap of the lowest dispersion ($1.3\mum$) and the lowest loss ( $1.55\mum$) of the optical fiber by changing the composition. The quality of $In_1-x$$GA_X$$As_y$$P_1-y$ epitaxial layer is believed to have a significant effect on the performance of device. The OMVPE growth conditions for the latticematched $In_1x$$GA_X$$As_y$$P_1-y$/InP were investigated. Effects of growth conditions such as V/III ratio, growth temperature, and Ga source material on the electrical and optical properties were studied. The composition, electrical and optical properities of $In_1-x$$GA_X$$As_y$$P_1-y$ were characterized using double crystal X-ray diffractometer (DCD), photoluminescence (PL), XPS(ESCA) and Hall measurement.

• 한국자기학회지
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• 제22권4호
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• pp.136-141
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• 2012

본 연구에서는 집게형 맥진기와 심전도계를 이용하여 전기적인 심전도 파형과 요골동맥파형을 동시 측정하여 얻은 맥파전달속도를 분석하였다. 두 신호의 동시 측정에 의한 맥파전달속도는 평균 6 m/s의 값을 보여 주었으며, ECG 파형과 홀소자 맥진파형으로 동시 측정한 방법은 기존 방법들 보다 정확하게 맥파전달속도를 측정할 수 있는 새로운 방법임을 입증하였다. 따라서 이결과는 한방의료기기인 맥진기에서 측정된 데이터를 임상적으로 활용할 수 있음을 보인다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1996년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.235-238
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• 1996

An inverted double channel AIGaAs/lnGaAs/GaAs heterostructure grown by LP-MOCVD is demonstrated and discussed. Sheet carrier densities in excess of $4.5{\times}10^{12}cm^{-2}$ at 300K are obtained with a hall mobility of $5010cm^2/V{\cdot}s$. The proposed device with a $1.8{\times}200{\mu}m^2$ gate dimension reveals an extrinsic transconductance as high as 320 mS/mm and a saturation current density as high as 820 mA/mm at 300K. This is the highest current density ever reported for GaAs MODFET's with the same gate length. Significantly improvements on gate voltage swing (up to 3.5 V) and on reverse breakdown voltage (-10V) are demonstrated due to inverted structure.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.50-50
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• 2008

ZnO has been extensively studied for optoelectronic applications such as blue and ultraviolet (UV) light emitters and detectors, because it has a wide band gap (3.37 eV) anda large exciton binding energy of ~60 meV over GaN (~26 meV). However, the fabrication of the light emitting devices using ZnO homojunctions is suffered from the lack of reproducibility of the p-type ZnO with high hall concentration and mobility. Thus, the ZnO-based p-n heterojunction light emitting diode (LED) using p-Si and p-GaN would be expected to exhibit stable device performance compared to the homojunction LED. The n-ZnO/p-GaN heterostructure is a good candidate for ZnO-based heterojunction LEDs because of their similar physical properties and the reproducibleavailability of p-type GaN. Especially, the reduced lattice mismatch (~1.8 %) and similar crystal structure result in the advantage of acquiring high performance LED devices with low defect density. However, the electroluminescence (EL) of the device using n-ZnO/p-GaN heterojunctions shows the blue and greenish emissions, which are attributed to the emission from the p-GaN and deep-level defects. In this work, the n-ZnO:Ga/p-GaN:Mg heterojunction light emitting diodes (LEDs) were fabricated at different growth temperatures and carrier concentrations in the n-type region. The effects of the growth temperature and carrier concentration on the electrical and emission properties were investigated. The I-V and the EL results showed that the device performance of the heterostructure LEDs, such as turn-on voltage and true ultraviolet emission, developed through the insertion of a thin intrinsic layer between n-ZnO:Ga and p-GaN:Mg. This observation was attributed to a lowering of the energy barriers for the supply of electrons and holes into intrinsic ZnO, and recombination in the intrinsic ZnO with the absence of deep level emission.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제17권6호
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• pp.1-8
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• 2016

오늘날 전류센서는 전류량 제어, 감시, 계측 등 매우 다양한 분야에서 사용되고 있다. 또한 전력망의 스마트 그리드사업, 신재생에너지 발전, 전기자동차와 하이브리드 자동차 등의 수요가 커지면서 그 사용영역이 점차 확대되고 있는 추세이다. 여러 종류의 전류센서 중에서 홀 소자를 사용하는 개방형 전류센서는 다른 형식의 전류센서에 비해 가격이 싸고, 크기와 무게가 작은 장점이 있지만 정밀도가 낮고 주위의 온도 변화에 따라 특성이 변하는 것이 단점이다. 이러한 단점을 보완하기 위하여 본 연구에서는 정밀도와 온도성능이 뛰어난 300A급 개방형 전류센서를 설계 및 제작하였다. 300A급 개방형 전류센서를 제작하기 위해서 수치해석을 통해 철심을 설계하고 회로해석 프로그램을 이용하여 신호처리에 필요한 회로들을 설계하였다. 이러한 과정을 통해서 SMD(Surface Mount Device) 형태로 제작된 300A급 개방형 전류센서는 30 ~ 300A의 직류 및 교류전류를 통전한 실험에서 정밀도 오차가 0.75% 이내, 선형도 오차가 0.19% 이내였다. 또한 온도보상회로를 포함한 전류센서를 $-25{\sim}85^{\circ}C$의 온도범위에서 동작시켰을 때 온도계수는 $0.012%/^{\circ}C$ 이내였다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제16권12호
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• pp.8306-8313
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• 2015

개방형 전류측정기는 DC 모터 콘트롤러, AC 가변 콘트롤러, UPS(Uninterruptible Power System)에 주로 사용되며 최근 신재생 에너지의 성장과 전력망의 스마트 그리드화로 인하여 활용성이 점차 확대되고 있다. 이러한 신재생 에너지의 성장으로 관련 핵심기술의 보유여부가 중요해지고 있으며 대부분 수입에 의존하고 있는 개방형 전류측정기의 국산화 및 관련 기술의 확보를 필요로 한다. 본 논문에서는 일반 산업용 개방형 전류측정기의 제작과정과 특성을 측정한 결과를 기술하였다. 개방형 전류측정기를 구성하는 C형 철심의 공극자장분포 해석 및 형상 설계, 홀센서의 선정 및 특성시험, 정전류 전원공급회로와 신호처리회로의 회로설계 과정을 기술하며 DIP(Dual In-line Package) type과 SMD (Surface Mount Device) type의 100A급 개방형 전류측정기를 제작하고 특성을 측정했다. 제작된 전류측정기로 0~100A 범위에서 통전 실험을 실시한 했고 직류전류와 60Hz의 교류전류에서 특성을 측정한 결과 정밀도 오차 2% 이내, 선형도 오차 2% 이내의 성능을 만족하였다. 또한 부 특성 온도계수를 갖는 NTC(Negative Temperature Coefficient) 서미스터를 이용한 온도보상회로를 사용하여 $-35{\sim}100^{\circ}C$의 범위에서 온도보상 효과를 확인하였다.

• 한국지반공학회논문집
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• 제19권4호
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• pp.145-153
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• 2003

공진주 실험은 탄성파 이론을 이용하여 흙의 동적 물성, 즉 전단변형률의 크기에 따른 전단탄성계수와 재료감쇠비를 측정하는 실험이다. 공진주 실험에 의한 시료의 동적물성의 측정은 공진주 실험 시스템의 동적 거동에 대한 이해를 전제로 한다. 공진주 실험의 시료 및 실험장치의 구성은 고정단-자유단 경계조건을 가지고 있는 연속보로 단순화할 수 있어서, Richart, Hall and Woods는 공진주 실험 시스템에 대한 파동방정식을 유도하였으나, 시료를 단순히 탄성으로 가정하였고 시료의 점성을 고려하지는 않았다. 그리고, Hardin은 파동방정식의 유도에서 시료의 점탄성을 고려하였으나, 시료의 전단탄성계수를 결정하기 위하여 시료의 점탄성을 가정하여야 하는 문제점을 가지고 있었다. 본 연구에서는 기존의 연구자들이 시도했던 공진주 실험 시스템에 대한 파동방정식을 새로운 측면에서 유도하였으며, 새로이 유도된 파동방정식의 해법을 제안하였다. 한편, 일반적으로 시스템에 대한 동적 거동을 이해하는 방법으로, 시스템의 운동방정식을 이용하는 방법이 있으나, 공진주 실험 시스템에 대한 동적 거동의 해석방법으로 이와 같은 운동방정식을 이용하는 해석방법을 연구한 경우는 거의 없었다. 운동방정식에 의한 해법은 시스템의 동적 증폭계수와 동적 응답에 대한 위상각을 구할수 있기 때문에 파동방정식에 대한 해법보다 더 많은 정보를 활용할 수 있는 장점이 있다. 따라서, 본 연구에서는 공진주 실험 시스템에 대한 보다 기본적이고 많은 정보를 도출하기 위하여, 공진주 실험 시스템에 대한 운동방정식을 유도하였으며, 이를 이용하여 공진주 실험자료를 해석하는 새로운 해석기법의 제안을 위한 근간을 마련하였다. 그리고, 공진주 실험 시스템에 대한 유한요소 해석을 수행하여, 본 연구에서 제안한 공진주 실험시스템의 이론적 모델링의 타당성과 합리성을 검증하였다.