• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2001년도 추계 학술발표강연 및 논문개요집
• /
• pp.61-61
• /
• 2001

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
• /
• 한국분말야금학회 1996년도 추계학술강연 및 발표대회 강연 및 발표논문 초록집
• /
• pp.25-25
• /
• 1996

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
• /
• 한국분말야금학회 2003년도 international symposium on advanced powder metallurgy
• /
• pp.126-126
• /
• 2003

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 1996년도 재료학회 춘계학술발표회
• /
• pp.104-104
• /
• 1996

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 1997년도 한국재료학회 춘계학술발표회
• /
• pp.112-112
• /
• 1997

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 1997년도 한국재료학회 춘계학술발표회
• /
• pp.10-10
• /
• 1997

• 한국표면공학회:학술대회논문집
• /
• 한국표면공학회 2007년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.4-4
• /
• 2007

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 1998년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
• /
• pp.92-92
• /
• 1998

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2002년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
• /
• pp.38-38
• /
• 2002

• 한국결정성장학회지
• /
• 제29권6호
• /
• pp.383-388
• /
• 2019

개선된 열탄소환원법으로 합성된 금속불순물함량 1 ppm 이하의 고순도 SiC 미립 분말을 이용하여 2,100℃ 이상고온의 RF 가열 PVT 장치에서 SiC 단결정을 성장시켰으며, In-situ x-ray 이미지 분석을 통해 성장과정 중 분말의 승화거동 및 단결정 성장거동을 관찰하였다. SiC 분말은 단결정 성장의 공급원으로 온도가 높은 외곽 부분부터 소진되고 graphite 잔여물이 남았다. 성장 중 원료의 흐름은 가운데 부분으로 집중되었으며 SiC 단결정의 성장거동에도 영향을 미쳤는데, 이는 미립분말로 인한 도가니 내부 온도분포 차이가 원인으로 예상되었다. 단결정 성장이 완료된 후, 단결정 잉곳을 1 mm 두께의 단결정 기판으로 절단하고 또한, 잉곳에서 얻어진 단결정 기판은 전반적으로 짙은 황색의 4H -SiC가 관찰되었으며, 외곽에 일부 발생한 다결정은 시드결정을 시드홀더에 부착하는 과정에서 혼입된 기포층과 같은 불순물 혼입이 원인으로 사료된다.