GaN-based green light-emitting diode (LED) structures suffer from low internal quantum efficiency (IQE), known as the "green gap" problem. The IQE of LED structures is expected to be improved to some extent by exploiting the Purcell effect. In this study, the Purcell effect on the IQE of green LED structures is investigated numerically using a finite-difference time-domain simulation. The Purcell factor of flip-chip LED structures is found to be more than three times as high as that of epi-up LED structures, which is attributed to the high-reflectance mirror near the active region in the flip-chip LED structures. When the unmodified IQE is 20%, the relative enhancement of IQE can be greater than 50%, without utilizing the surface-plasmon coupling effect. Based on the simulation results, the "green gap" problem of GaN-based green LEDs is expected to be mitigated significantly by optimizing flip-chip LED structures to maximize the Purcell effect.
The radiation characteristics of a high-luminance light-emitting diode (LED) light source were studied to evaluate its potential as an energy-saving light source for fishing lamps. The angle of the LED light source with 50% illuminance was $8-15^{\circ}$, and it had strong directional characteristics. The wavelengths at which the radiance and irradiance were maxima were 709, 613, 473, 501, 525, and 465 nm for red, orange, blue, peacock blue, green, and white light, respectively. The underwater transmission characteristics of the LED light source were superior in the order blue, white, peacock blue, and green in optical water type I: blue, peacock blue, white, and green in optical water type II; and blue, peacock blue, green, and white in optical water type III. Setting the underwater transmission characteristics of the LED light source in optical water type I at 100%, the transmission of water types II and III decreased to 67 and 17%, respectively. Based on the underwater transmission characteristics calculated in optical water types I-III, the blue and peacock blue LED light sources can be used as an energy-saving light source for fishing lamps.
The antimicrobial properties of Light-Emitting Diode (LED) are an area of increasing interest. The aim of this study was to evaluate the bactericidal effects of blue (peak at 456 nm), green (peak at 518 nm), red (peak at 654 nm) and blue-green combined (blue 456 nm : green 558 nm = 69:31) LED irradiation to pathogenic bacteria. For this, LED equipment providing power density of $10mW/cm^2$ was installed and plates were exposed to 0.9 or $3.0mW/cm^2$ to irradiate bacteria with 3.2 to $259.2mW/cm^2$ of energy density. As a result, blue and combined LED have shown bactericidal effects on Escherichia coli KCTC 1467 and Listeria monocytogenes ATCC 19115 after irradiation of $3.0mW/cm^2$ for 2 and 4 hr, respectively. Staphylococcus aureus KCTC 1916 was inhibited at 518 nm green LED irradiation. However, red LED irradiation showed no inhibitory effect to the other tested strains. Light technology that utilizes the bactericidal properties of blue (at 456 nm) and blue-green(blue 456 nm : green 558 nm = 69:31) combined LED may have potential applications in the food industry sector.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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제29권7호
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pp.795-800
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2005
The optical properties of $ZnS_{y}Se_{1-x-y}:Te_x\;(x\;<\;0.08,\;y\∼0.11$) alloys grown by molecular beam epitaxy (MBE) have been investigated by photoluminescence (PL) and PL-excitation (PLE) spectroscopy. Good optical properties and high crystal quality were established with lattice match condition to GaAs substrate. At room temperature, emission in the visible spectrum region from blue to green was obtained by varying the Te content of the ZnSSe:Te alloy. The efficient blue and green emission were assigned to $Te_{1}$Tel and $Te_{n}$ (n$\geq$2) cluster bound excitons, respectively. Bright blue (462 nm) and green (535 nm) light emitting diodes (LEDs) have been developed using ZnSSe:Te system as an active layer.
We have investigated the optical properties of Te-doped ZnSSe:Te epitaxial layers grown on (100) GaAs substrates by molecular beam epitaxy. The Te-doped ternary specimen shows strong blue or green emission (at 300k) which is assigned to Te$_{1}$ or Te$_{n}$( n$\geq$2) cluster bound exciton. Bright green and blue light-emitting diodes (LEDs) have been developed using ZnSSe:Te system as an active layer. The green LEDs exhibit a fairly long device lifetime (>2000 h) when operated at 3 A/cm$^{2}$ under CW condition at room temperature. It is confirmed that the Te-doping induced "crystal-hardening effect" plays a significant role in both efficient and strong suppression of the optical device degradation.gradation.
Recently high and persistent spontaneous buildup of a surface potential (SP) upon vacuum deposition of tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (III) ($Alq_3$), which is widely used for organic light emitting devices. The removal of the giant surface potential by visible light irradiation has also been reported. In this study, we coated $Alq_3$ on the FTO substrate and raise the capacity for absorbing sun light. The $Alq_3$ which is green light emitting diode emits light at wavelengths between 500 and 550nm. If we apply one's FTO/$Alq_3$ substrate in one's DSSC, we could get higher energy conversion efficiency because the N719 dye that we used for fabricating the DSSC emits light just at near 540nm. The energy conversion efficiency of approximately 4.8 % at the condition of irradiation of AM 1.5 (100 mW/$cm^2$) simulated sunlight, and the $J_{sc}$ is 12.0 mA/$cm^2$, $V_{oc}$ is 0.71 V, FF is 0.56, respectively.
유기 발광 다이오드(OLED)는 학문 및 산업분야에서 많은 관심을 받고 있다. OLED는 이미 휴대폰과 TV분야에서 상업화에 성공하고 있으며, 조명분야에서는 기존에 사용되어왔던 백열등, 형광등과는 다르게 면발광, 대면적, 초경량, 초박형, 유연성의 특징은 물론 낮은 에너지 사용 등의 차별성을 가지고 있기 때문에 최근 많은 관심을 받고 있다. 본 논문에서는 white organic light-emitting diode (WOLED)에 적용되는 대표적인 형광 및 인광 발광 재료들을 소개한다. 이렇게 선행 연구된 물질들을 이해하고 체계적으로 분류하는 것은 앞으로 새로운 발광 재료를 연구, 개발하는데 큰 도움을 줄 수 있을 것으로 기대된다.
We fabricated white light-emitting diode which have a mixed single emitting layer containing poly(N-vinylcarbazole), trois(8-hydroxyquinoline)aluminum and poly(3-hexylthiophene) and investigated the emission properties of it. It is possible to obtain a blue light from poly(N-vinylcarbazole). green light from tris(8-hydroxyquinoline)aluminum and red light from poly(3-hexylthiophene). The fabricated device emits white light with slight orange light. We think that the energy transfer in a mixed layer occurred from PVK to Alq₃ and P3HT resulted in decreasing the blue light intensity from PVK. We find that the efficiency of the white light electroluminescent device can be improved by injecting electron more effectively and blue light need to improve the color purity of white light.
A Wide Color Gamut Backlight system was studied using a three-band white Light-Emitting Diode. A three-band white light-emitting diode (LED) was fabricated using an InGaN-based blue LED chip that emits 445-nm blue peak, and a green phosphor and red phosphor that emit 535-nm green and 621-nm red peak emissions, respectively, when excited by 450-nm blue light. Using for this three-band white LED, wide color gamut backlight unit (BLU) was attained. The luminance of BLU and CIE 1931 chromaticity coordinates was $1,700Cd/m^2$ and (0.337, 0.346). Color filter matching simulations for this configuration show that the three-band white LED backlight can be enhanced by up to 16% over conventional white LED backlight color gamut.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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