• 한국안광학회지
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• 제13권4호
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• pp.9-12
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• 2008

목적: 현재의 방독면은 안경을 착용하는 사람들에게는 매우 불편한 구조로 되어 있다. 이를 개선하여 군인이나 소방관들이 자신을 보호하고 인명을 구조하는데 도움이 되도록 하였다. 방법: 외면렌즈와 내면의 시력보정용 렌즈의 2중 구조로 되어 있는 것을 아크릴 프레임을 방독면에 부착하는 단일 구조로 변경하고 실리콘 차단제를 이용하여 렌즈와 프레임 사이를 밀폐하여 가스의 유입을 방지하게 하였다. 렌즈에서 발생하게 되는 비점수차제거와 정간거리 유지를 위해 S자형의 프레임으로 개발하였다. 결과: 완전한 시력교정과 가스차단이 가능하고 일반 안경처럼 안경렌즈를 교환하여 사용할 수 있게 되었으며 시선과 렌즈면의 경사로 발생하던 비점수차 0.53D~1.78D, 짧은 정간거리로 발생하던 0.07D~0.66D의 과교정, 전경각 미설정으로 발생하던 0.1D~0.3D의 비점수차를 제거할 수 있게 되었다. 결론: 방독면을 쓴 상태에서도 밝은 시야의 확보가 가능하여 전투력 향상과 인명구조 활동 등에서 큰 도움이 될 수 있을 것으로 예상된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권2호
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• pp.111-117
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• 2008

We have studied surface roughness, contamination of impurity, bonding with some gas element, reflectance and zeta potential on masks to be generated or changed during photolithography/dry or wet etching process. Mask surface roughness was not changed after photolithography/dry etching process. But surface roughness was changed on some area under MoSi film of Cr/MoSi/Qz. There was not detected any impurity on mask surface after plasma dry etching process. Reflectance of mask was increased after variable plasma etching treatment, especially when mask was treated with plasma including $O_2$ gas. Blank mask was positively charged when the mask was treated with Cr plasma etching gas($Cl_2:250$ sccm/He:20 $sccm/O_2:29$ seem, source power:100 W/bias power:20 W, 300 sec). But this positive charge was changed to negative charge when the mask was treated with $CF_4$ gas for MoSi plasma etching, resulting better wet cleaning. There was appeared with negative charge on MoSi/Qz mask treated with Cr plasma etching process condition, and this mask was measured with more negative after SC-1 wet cleaning process, resulting better wet cleaning. This mask was charged with positive after treatment with $O_2$ plasma again, resulting bad wet cleaning condition.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권1호
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• pp.14-19
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• 1999

Hexamethyldisilane$(Si_{2}(CH_{3})_{6})$의 single precursor를 사용하여 화학기상증착법으로 $1100^{\circ}C$에서 Si 기판의에 $\beta$-SiC 막을 증착시켰다. 증착과정 중 hexamethyldisilane/$H_{2}$ gas system에 HCI gas를 도입하여 mask 재료에 의해 부분적으로 덮여져 있는 Si 기판에서 SiC 증착의 선택성을 조사하였다. Si 기판과 mask 재료에서 SiC 증착의 선택성을 증진시키기 위해 출발물질과 HCI gas의 공급 방법을 변화시켰다. 결국, HCI gas를 도입함으로서 SiC 증착의 선택성은 증진되었고 펄스 형태로의 gas 공급 방법은 선택성을 향상시키는데 효율적이었다.

• 한국화재소방학회논문지
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• 제29권4호
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• pp.57-60
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• 2015

화재 시 발생하는 독성 가스인 CO, HCl, HCN, $SO_2$를 방독면에 의해 제거하는 효율은 화재로 인한 인명구조의 핵심 요소이다. 머리와 목끈이 없는 탄력있는 방독면은 전방을 주시할 수 있는 창, 탄력후드, 가스정화기와 공기 환풍구로 되어 있어서 화재 시 빠르고 쉽게 착용할 수 있다. 이 연구에서는 이러한 방독면의 CO, HCl, HCN, $SO_2$ 제거 효율에 대한 연구를 진행하였다. 실험결과 CO 제거 효율은 최초 농도가 2505.0 ppm인 경우 3.5분 후에 99.99%였고, 8.5분 후에는 99.98%로 나타났다. 8.5분 후에는 CO 농도가 급격히 증가하는 특성을 보였다. HCl, HCN, $SO_2$에 대해서는 최초 농도가 각각 1003.0, 399.0, 100.3 ppm인 경우 20분 동안 제거 효율이 100%로 나타났다.

• 소성∙가공
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• 제11권8호
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• pp.691-700
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• 2002

Injection molded plastic parts have many surface detects: weld line, sink mark, flow mark, gloss, shading, scratching, and so on. Because these surface faults have not been accepted esthetically, plastic parts are Produced through painting or texturing. The purpose of this paper is to develop a paintless molded part of TV Mask Front by flow control method and gas-assisted injection molding. In order to minimize defects from injection molding, this study was carried out using computer aided injection mold filling simulations using MF/FLOW and MF/GAS. Based on these numerical results, we developed FR(Flame Retardant) HIPS and established guidelines of part design, mold design, and Processing conditions. We have achieved of cost sayings, improvement of productivity, and utilization of recycling by eliminating surface defects and painting process.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.233-233
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• 2010

Magnetic random access memory (MRAM), based on magnetic tunnel junction (MTJ) and CMOS, is a prominent candidate among prospective semiconductor memories because it can provide nonvolatility, fast access time, unlimited read/write endurance, low operating voltage and high storage density. The etching of MTJ stack with good properties is one of a key process for the realization of high density MRAM. In order to achieve high quality MTJ stack, the use of CoFeB and IrMn magnetic films as free layers was proposed. In this study, inductively coupled plasma reactive ion etching of CoFeB and IrMn thin films masked with Ti hard mask was investigated in a $Cl_2$/Ar gas mix. The etch rate of CoFeB and IrMn films were examined on varying $Cl_2$ gas concentration. As the $Cl_2$ gas increased, the etch rate monotonously decreased. The effective of etch parameters including coil rf power, dc-bais voltage, and gas pressure on the etch profile of CoFeB and IrMn thin film was explored, At high coil rf power, high dc-bais voltage, low gas pressure, the etching of CoFeB and IrMn displayed better etch profiles. Finally, the clean and vertical etch sidewall of CoFeB and IrMn free layers can be achieved by means of thin Ti hard mask in a $Cl_2$/Ar plasma at the optimized condition.

• 한국결정성장학회지
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• 제21권4호
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• pp.164-168
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• 2011

고이온밀도 플라즈마 식각에 의한 고종횡비, 고이방성을 갖는 ZnO, $SnO_2$ 나노 구조 가스 감응층 형성을 위하여 mask 재료들과의 식각 선택도를 조사하였다. $25BCl_3$/10Ar ICP 플라즈마에서는 ZnO와 Ni 간 5.1~6.1 범위의 식각 선택도가 확보된 반면에 Al의 경우 효율적인 식각 선택도를 확보할 수 없었다. $25CF_4$/10Ar ICP 플라즈마에서는 ZnO와 Ni 간에 7~17 범위의 높은 식각 선택도를 얻을 수 있었다. $SnO_2$는 $SnF_x$ 식각 생성물의 높은 휘발성에 기인하여 Ni에 비해 매우 높은 식각 속도를 나타내었고, 최고치 약 67의 매우 높은 식각 선택도를 확보하였다.

• 한국안전학회지
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• 제19권4호
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• pp.48-54
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• 2004

The recent Ire incident in an elementary school of Chonan city causes the media focus on the fire safety of residential container buildings. In this study, real fire tests were conducted in this kind of buildings. Combustion products including $O_2,\; CO_2,\;CO,\;NOx,\;SOx,\;HCI,\;HCN$ were measured, and blood samples of lab rats were analyzed in terms of Co-Hb, Glucose, AST(GOT), ALT(GPT), in order to investigate the hazard-reduction effects of employing gas mask protected with filter during the fire emergency of residential container buildings. According to the test results, whether or not employing the filter showed a sheer difference in the toxicity of the fire-induced gases, and then the importance of wearing a gas mask was evidently demonstrated.

• 한국안전학회지
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• 제21권2호
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• pp.35-45
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• 2006

Cobalt catalysts for gas mask loaded on various supports such as $Al_{2}O_{3},\;TiO_{2}$, AC(activated carbon) and $SiO_{2}$ were used to examine influences of calcination temperatures and reaction temperatures for CO oxidation. $Co(NO_{3})_2{\cdot}6H_{2}O$ was used as cobalt precursor and the catalysts were prepared by incipient wetness impregnation. The catalysts were characterized using XRD, TGA/DTA, TEM, $N_{2}$ sorption, and XPS. For the catalytic activity, support was in the order of ${\gamma}-Al_{2}O_{3}>TiO_{2}>SiO_{2}>AC\;and\;Al_{2}O_{3}$. The catalytic activity at lower temperature than $80^{\circ}C$ showed that with the increase of reaction temperature, cobalt catalysts on ${\gamma}-Al_{2}O_{3},\;TiO_{2},\;AC\$ has the negative activation energy but that of $SiO_{2}$ was positive.

• 한국세라믹학회지
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• 제36권1호
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• pp.55-60
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• 1999

Hexamethyldisilane(Si2(CH3)6)의 single precursor를 출발원료로 사용하여 화학기상증착법으로 Si 기판위에 buffer층의 형성 없이 $\beta$-SiC의 박막을 증착하였다. Si 기판과 SiO2 mask에서 SiC 박막 증착의 선택성을 위하여 HCI의 식각 가스를 도입하였고 출발원료와 HCI 가스의 공급방법을 변화시켰다. SiC 박막 증착 과정에서 HCI 가스의 도입이 막의 표면 조도에 미치는 영향을 조사하였고 Hall 측정을 통하여 SiC 막의 전기적 특성을 조사하였다.