• 조명전기설비학회논문지
• /
• 제26권7호
• /
• pp.92-98
• /
• 2012

It is made compulsory to install SPD for the purpose of protecting electric and electronic devices when an abnormal voltage such as lightning occurs to power line using power frequency of 60Hz. Recently, the high speed communication technology utilizing power line is receiving attention again as a communication technology for smart grid. The SPD influences the performances of power line communication when using SPD and power line communication system together. In order to improve the performance of power line communication, a proposed scheme for series connection of gas discharge tube to ZnO varistor was presented. This paper measured the impacts of series connection of GDT to SPD using ZnO varistor on the limit voltage of Class III SPD. This paper also presented the DC operating voltage of GDT which satisfies the limit voltage of power line communication system and SPD simultaneously.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 광주전남지부
• /
• pp.43-47
• /
• 2006

In this paper, parameters of electron temperature and density for the mercury-free lighting-source were measured to diagnosis and analyze in Xe based inductively coupled plasma (ICP). As results at several dependences of 20~100mTorr Xenon pressure, the brightness of discharge tube was higher (4,900 $cd/m^2$) than other conditions when Xe pressure was 20mTorr and RF power was 200W. In that case, the electron temperature and density were 3.58eV and $3.56{\times}10^{12}cm^2$, respectively. The key parameters of Xe based ICP depended on Xe pressure more than RF power that could be verified. A high electron temperature and low electron density with a suitable Xe pressure are indispensible parameters for Xe based ICP lighting-source.

• 조명전기설비학회논문지
• /
• 제16권6호
• /
• pp.130-136
• /
• 2002

본 논문은 비유전율이 100 이상으로 제작된 Ti-Si-Al형 세라믹 촉매 방전관에 전원 전압 4 ～6［kV］, 구동 주파수0.6～1.0［kHz］를 방전관 전극에 인가하여 오존 농도와 수율을 측정한 것이다. 측정 결과 구동 주파수 600［Hz］, 유량 2［1/min］, 동작 압력 1.6［atm］, 방전관 주위 온도 20［$^{\circ}C$］에서 산소 원료의 경우, 오존 발생 농도는 50～60［g/㎥］이었고, 오존 발생 수율은 180(g/kWh)로 나타났다. 그리고 반응기 내부 온도 또는 유입 가스 온도가 낮을수록 오존 수율은 상승하였다.

• 연구논문집
• /
• 통권33호
• /
• pp.99-109
• /
• 2003

Recently the utilization of the ozone dissolved de-ionized water(DIW-$O_3$) in semiconductor wet cleaning process and photoresist stripping process to replace the conventional sulfuric acid and hydro peroxide mixture(SPM) method has been studied. In this paper, we propose the water-electrode type ozone generator which has the characteristics of the high concentration and purity to produce the high concentration DIW-$O_3$ for the photoresist strip process in the semiconductor fabrication. The proposed ozone generator has the dual dielectric tube structure of silent discharge type and the water is both used to electrode and cooling water. Through this study, we obtained the results of the 10.3 wt% of ozone gas concentration at the oxygen gas of 0.5 [liter/min.] and the DIW-$O_3$ concentration of 79.5 ppm.. Through the photoresist stripping test using the produced DIW-$O_3$, we confirmed that the photoresist coated on the silicon wafer was removed effectively in the 12 minutes.

• 대한환경공학회지
• /
• 제34권7호
• /
• pp.459-466
• /
• 2012

유전체 장벽 방전(Dielectric Barrier Discharge; DBD) 플라즈마의 처리 성능을 개선시키기 위하여, 플라즈마+ UV 공정과 기-액 혼합기의 적용에 대해 연구하였다. 처리 대상물질로는 표백효과에 의해 육안으로 쉽게 확인이 가능하고 분석이 간편한 OH 라디칼 생성의 간접 지표인 N, N-Dimethyl-4-nitrosoaniline (RNO)이었다. 기본 플라즈마 반응기는 플라즈마 반응기 [석영관 유전체, 티타늄 방전(내부) 전극, 및 접지(외부) 전극], 공기와 전원 공급장치로 구성되어 있다. 플라즈마 반응기의 개선은 기본 플라즈마 반응기에 UV 공정과의 결합, 기-액 혼합기의 적용에 의해 이루어 졌다. 플라즈마+ UV 공정의 UV 전력 변화(0~10 W), 기-액 혼합기의 존재 유무와 형태, 공기 유량(1~6 L/min), 산기관 기공 크기 범위(16~$160{\mu}m$), 액체 순환 유량(2.8~9.4 L/min) 및 개선된 플라즈마+ UV 공정에서 UV 전력의 영향 등이 평가되었다. 실험 결과 플라즈마+ UV 공정은 기본 플라즈마 반응기보다 RNO 처리율이 7.36% 높아진 것으로 나타났다. 기-액 혼합기의 적용이 플라즈마+ UV 공정보다 RNO 처리율이 더 높은 것으로 나타났고, 기-액 혼합법에 따른 RNO 분해는 기-액 혼합기 > 펌프 순환 > 기본 반응기의 순으로 나타났다. 산기관 형 기-액 혼합기에 의한 RNO 처리율 증가는 17.42%로 나타났다. 최적 공기 유량, 산기관 기포 크기 범위 및 순환 유량은 각각 4 L/min, 40~$100{\mu}m$와 6.9 L/min으로 나타났다. 기-액 혼합기 플라즈마+ UV공정의 경합으로 인한 시너지 효과는 미미한 것으로 나타났다.

• 한국환경과학회지
• /
• 제21권7호
• /
• pp.797-804
• /
• 2012

A dielectric barrier discharge (DBD) plasma reactor was investigated for the inactivation of Ralstonia Solanacearum which causes bacterial wilt in aquiculture. The DBD plasma reactor of this study was divided into power supply unit, gas supply unit and plasma reactor. The plasma reactor consisted of a quartz dielectric tube, discharge electrode (inner) and ground electrode (outer). The experimental results showed that the optimum 1st voltage, 2nd voltage, air flow rate and pH were for 100 V (1st voltage), 15 kV (2nd voltage), 4 L/min, and pH 3, respectively. At a low 1st voltage, shoulder and tailing off phenomena was observed. The shoulder phenomenon was decreased as the increase of 1st voltage. R. Solanacearum disinfection in the lower air flow rate was showed shoulder and tailing off phenomenon because the active species generated less. Under optimum condition, shoulder and tailing off phenomenon was reduced. When the 2nd voltage was less than 7.5 kV, tailing off phenomenon was observed and this was not vanishes even though the increase of the disinfection time. The inactivation efficiency increased as the increase of air flow rate, however, the efficiency decreased when the air flow rate was above 4 L/min. R. Solanacearum disinfection at pH 3 showed somewhat higher than in pH 11. The pH effect of R. Solanacearum deactivation is less than the impact on other factor.

• 분석과학
• /
• 제15권6호
• /
• pp.514-520
• /
• 2002

효율적인 시료의 분석을 위하여 개선된 전열증기화 속빈음극관 글로우 방전 우너자방출분광 장치를 제작하여 그에 대한 기초 연구를 수행하였다. 본 시스템은 개선된 속빈음극관 글로우 방잔에 개선된 전열증기화법을 이용한 샘플주입방법을 응용하였으며, ${\mu}{\ell}$단위의 적은 양으로도 분석가능하도록 순수한 텅스템 재질로 된 나선형 코일을 제작하여 증기화 효율을 최대한 높일수 있도록 하여 글로우 방전으로 최대한 많은 양이 주입될 수 있도록 개선하였다. 최적화된 분석조건을 위한 방전조건으로 시료운반기체 사용량과 방전 전력을 측정하였으며, 그 전에 글로우 방전셀의 냉각장치 및 내부의 구조적인 문제 여부에 따른 방출세기에 미치는 영향과 측정 정밀도를 관찰하였다. 방출되어 발생된 빛은 광전송용 광파이버에 의하여 효율적으로 검출기에 운반되도록 구성 제작하였으며, 마지막으로 본 연구결과에 의한 직선성을 관찰하였다.

• 한국진공학회지
• /
• 제17권6호
• /
• pp.495-500
• /
• 2008

Ne+Ar의 혼합 기체와 수은이 주입된 세관 형광램프에서 플라즈마의 형성에 필요한 기체 수은의 량을 계산하였다. 전자($kT_e{\sim}1\;eV$)와 중성 원자(Ne, Ar, Hg)들과의 충돌에 의한 각 원자들의 이온화를 계산하여, 양광주 플라즈마의 밀도($n_o{\sim}10^{17}m^{-3}$)를 생성하는 조건으로부터 기체 수은 원자의 밀도 $3.43{\times}10^{22}m^{-3}$을 얻었다. $32{\sim}42$ 인치 LCD-TV용 액정표시장치에 사용되는 직경이 4 mm인 형광램프의 혼합 기체 Ne(95%)+Ar(5%) 50 Torr에 대하여, 글로우 방전에 필요한 기체 수은의 량은 $0.02{\sim}0.08\;mg$으로 계산되었다.

• 반도체디스플레이기술학회지
• /
• 제21권4호
• /
• pp.106-109
• /
• 2022

The green-emitting Zn₂SiO₄:Mn²⁺ phosphor film was evaluated in a xenon excimer lamp. The phosphor film with 2 ㎛ thick was formed of monolithic structure on the inner side of quartz through a long-time annealing process of coated ZnO solution doped with Mn²⁺ ion and SiO₂ of quartz tube. The coated quartz was filled with 100 torr of xenon gas, and simultaneously both sides was melt and sealed. The xenon-field quartz tube was discharge by applying the voltage of 15 kV with a frequency of 26 kHz, and emitted the glow with dominant peak at 172 nm. The vacuum ultraviolet excited the inner-side coated Zn₂SiO₄:Mn²⁺ phosphor film, which emitted the pure and strong green light.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제33권5호
• /
• pp.367-372
• /
• 2020

As packaging processes for atomic gyroscope vapor cells, the glass tube tip-off process, anodic bonding, and paste sealing have been widely studied. However, there are stability issues in the alkali metal which are caused by impurity elements and leakage during high-temperature processes. In this study, we investigated the applicability of a vapor cell low-temperature packaging process by depositing Au on a Pyrex cell in addition to forming an Au-Sn thin film on a cap to cover the cell, followed by laser irradiation of the Au/Au-Sn interface. The mechanism of the thin film bonding was evaluated by XRD, while the packaging reliability of an Ne gas-filled vapor cell was characterized by variation of plasma discharge behavior with time. Furthermore, we confirmed that the Rb alkaline metal inside the vapor cell showed no color change, indicating no oxidation occurred during the process.